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丁鼎

作品数：10 被引量：20H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 10篇量子点
  • 8篇量子
  • 4篇量子点激光器
  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇INAS/G...
  • 3篇发光
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇INAS/G...
  • 2篇砷化镓
  • 2篇退火
  • 2篇热退火
  • 2篇量子点材料
  • 2篇快速热退火
  • 2篇光学
  • 2篇发光特性
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光谱
  • 1篇英文

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇王占国
  • 10篇丁鼎
  • 9篇梁基本
  • 6篇刘峰奇
  • 6篇张金福
  • 5篇韩勤
  • 4篇龚谦
  • 4篇钱家骏
  • 4篇张秀兰
  • 3篇陈涌海
  • 3篇魏永强
  • 3篇刘会赟
  • 2篇姜卫红
  • 2篇叶小玲
  • 2篇刘会云
  • 1篇江潮
  • 1篇白春礼
  • 1篇许怀哲
  • 1篇吴巨
  • 1篇张元常

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇发光学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第六届全国分...
  • 1篇2000年中...

年份

  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 4篇2000
  • 2篇1999
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
应变自组装InAlAs量子点材料和红光量子点激光器被引量：2
2002年
通过提高量子点材料的质量和优化量子点激光器材料的结构 ,研制出高质量的应变自组装 In Al As/Al Ga As/Ga As量子点材料和低温连续激射的红光量子点激光器。
徐波刘会赟王占国韩勤钱家骏梁基本丁鼎刘峰奇张金福张秀兰
关键词：量子点材料量子点量子点激光器半导体
1.08μm InAs/GaAs量子点激光器光学特性研究
2000年
介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器。室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88％,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出。
钱家骏叶小玲徐波韩勤陈涌海丁鼎梁基本刘峰奇张金福张秀兰王占国
关键词：INAS/GAAS量子点激光器电致发光谱光学特性
InAs量子点的原子力显微镜测试结果分析被引量：10
1999年
我们利用分子束外延（ Ｍ Ｂ Ｅ）技术在 Ｇａ Ａｓ（００１）衬底上生长 １８ 个原子层的 Ｉｎ Ａｓ，形成了纳米尺寸的 Ｉｎ Ａｓ 量子点．对 Ｉｎ Ａｓ 量子点进行原子力显微镜（ Ａ Ｆ Ｍ ）测量，得到了量子点的高度和横向尺寸的统计分布以及量子点的测量形貌特征．
龚谦梁基本徐波丁鼎王占国裘晓辉商广义白春礼
关键词：砷化铟MBE技术
快速热退火对带有InGaAs盖层的InAs/GaAs量子点发光特性的影响
我们系统地研究了快速热退火对带有3nm InGaAs(x=0,0.1,0.2)盖层的3nm高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响。随着退火温度从650℃上升到850℃,量子点发光峰位的蓝移趋势是相似的。但是,量子点发...
魏永强刘会云徐波丁鼎梁基本王占国
关键词：INAS/GAAS量子点快速热退火
文献传递
种子层对较大共格InAs/GaAs量子点的形成的影响
我们利用原子力显微镜和透射电子显微镜系统地研究了2个原子单层InAs种子层对InAs/GaAs量子点尺寸和形状在不同InAs 覆盖厚度(2.0,2.5,2.9原子单层)的影响。对于单层样品,非共格而且较大的InAs 量子...
张金福刘会赟徐波陈涌海丁鼎王占国
关键词：INAS/GAAS量子点分子束外延
文献传递
快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响(英文)
2001年
系统地研究了快速热退火对带有 3nm Inx Ga1 - x As(x=0 ,0 .1,0 .2 )盖层的 3nm高的 In As/ Ga As量子点发光特性的影响 .随着退火温度从 6 5 0℃上升到 85 0℃ ,量子点发光峰位的蓝移趋势是相似的 .但是 ,量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于 In Ga As盖层的组分 .实验结果表明 In- Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用 .另外 ,我们在较高的退火温度下观测到了 In Ga
魏永强刘会云徐波丁鼎梁基本王占国
关键词：快速热退火砷化镓量子点发光特性
大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器被引量：7
2000年
利用分子束外延技术和 S- K生长模式 ,系统研究了 In As/Ga As材料体系应变自组装量子点的形成和演化 .研制出激射波长λ≈ 960 nm,条宽 1 0 0μm,腔长 80 0μm的 In( Ga) As/Ga As量子点激光器 :室温连续输出功率大于 3.5W,室温阈值电流密度 2 1 8A/cm2 ,0 .61 W室温连续工作寿命超过
王占国刘峰奇梁基本徐波丁鼎龚谦韩勤
关键词：量子点激光器砷化镓分子束外延
应变自组装InAlAs量子点材料和红光量子点激光器
本文报道了对GaAs基InAlAs量子点材料的MBE生长和材料物理性质的研究结果,以及在此基础上研制的红光量子点激光器的工作.
徐波中国科学院半导体材料科学实验室刘会赟王占国韩勤钱家骏梁基本丁鼎刘峰奇张金福张秀兰
关键词：分子束外延生长材料性质
文献传递
红光InAlAs量子点的结构和光学性质被引量：1
1999年
利用ＭＢＥ方法在（００１）衬底上成功地生长了密度大、尺寸小、发红光的ＩｎＡｌＡｓ／Ａｌ－ＧａＡｓ 量子点结构． 通过原子力显微镜观测表明， ＩｎＡｌＡｓ量子点的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大； 发现Ａｌ原子的表面迁移率决定ＩｎＡｌＡｓ 量子点的形貌． 光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围， 并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要是受量子点的横向尺寸影响．
周伟梁基本徐波龚谦李含轩刘峰奇姜卫红江潮许怀哲丁鼎张金福王占国
关键词：光荧光
应变自组装量子点材料和量子点激光器
研制出高质量的GaAs基In(Ga)As/GaAs、InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InGaAs/GaAs体系应变自组装量子点材料,发光波长覆盖从红光(约750nm)到近红外光(1.3μm)的范围。量子点...
徐波王占国梁基本韩勤龚谦刘会贇姜卫红魏永强丁鼎钱家骏刘峰奇张金福张秀兰张元常吴巨陈涌海杨锡权叶小玲
关键词：量子点量子点激光器INAS
文献传递
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