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严春雷

作品数:25 被引量:64H指数:6
供职机构:国防科学技术大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖南省高校科技创新团队支持计划更多>>
相关领域:一般工业技术航空宇航科学技术电气工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 14篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 10篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 15篇复合材料
  • 15篇复合材
  • 11篇陶瓷
  • 7篇先驱体
  • 7篇化物
  • 6篇素坯
  • 6篇硼化物
  • 6篇C/C
  • 5篇陶瓷先驱体
  • 5篇高温
  • 5篇SIC复合材...
  • 5篇C/C-SI...
  • 5篇超高温
  • 4篇渗硅
  • 4篇硼化物陶瓷
  • 4篇耐烧蚀
  • 4篇高温陶瓷
  • 4篇C/C-SI...
  • 4篇超高温陶瓷
  • 4篇C-SI

机构

  • 25篇国防科学技术...

作者

  • 25篇严春雷
  • 23篇曹英斌
  • 23篇刘荣军
  • 18篇张长瑞
  • 12篇李斌
  • 12篇王思青
  • 10篇龙宪海
  • 6篇王衍飞
  • 4篇张德坷
  • 2篇曹宇
  • 2篇贺鹏博
  • 2篇袁立
  • 2篇王静
  • 1篇于坤
  • 1篇林栋
  • 1篇周浩
  • 1篇杨会永
  • 1篇曹宇

传媒

  • 3篇材料导报
  • 2篇材料工程
  • 1篇航空制造技术
  • 1篇宇航材料工艺
  • 1篇第十九届全国...

年份

  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 9篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Cf/MC-SiC复合材料及其制备方法
本发明公开了一种Cf/MC‑SiC复合材料及其制备方法,该Cf/MC‑SiC复合材料包括碳纤维预制件、MC基体和SiC基体,M为Zr或Hf,所述MC基体和SiC基体均匀填充于所述碳纤维预制件的孔隙中,所述Cf/MC‑Si...
严春雷刘荣军曹英斌张长瑞王衍飞龙宪海李斌王思青
文献传递
一种硼化物及其复相陶瓷粉体的固相制备方法
本发明提供了一种ⅣB、ⅤB族过渡金属(主要指钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铌(Nb)、钽(Ta))硼化物及其复相陶瓷粉体的固相制备方法。本发明以ⅣB、ⅤB族过渡金属氧化物或无机盐为相应陶瓷中金属元素来源,氮化硼为硼...
严春雷刘荣军曹英斌张长瑞李斌王思青
文献传递
C/C-SiC复合材料的反应烧结法制备及应用进展被引量:12
2013年
C/C-SiC复合材料具有轻质、高模、高热导率、低热膨胀系数、高温抗氧化等优异性能,是很好的高温结构材料。从C纤维的涂层保护、C/C多孔体的优化设计、反应烧结渗硅3个方面概述了C/C-SiC复合材料的反应烧结工艺制备过程;综述了C/C-SiC复合材料在航空航天、空间光学系统、刹车制动等领域的相关应用进展;展望了C/C-SiC复合材料制备工艺和应用方面的发展趋势。
王静曹英斌刘荣军张德坷严春雷
关键词:C/C-SIC复合材料
CVD制备3C-SiC及其应用于MEMS的研究进展被引量:1
2012年
高温、强振、强腐蚀、高湿等恶劣环境中的监测和控制系统对MEMS(Microelectromechanical systems)提出了新的挑战。SiC具有化学惰性,高热导率及优良的力学、电学、高温性能,在MEMS技术中备受青睐,成为Si-MEMS体系极具竞争力的替代材料。综述了关于立方相碳化硅(3C-SiC)薄膜的化学气相沉积(CVD)制备方法,介绍了其力学、电学性能的最新研究进展,最后举例说明了3C-SiC薄膜在MEMS器件中应用的研究现状。
严春雷刘荣军曹英斌张长瑞张德坷
关键词:电学性能MEMS器件
一种ZrC陶瓷先驱体,ZrC陶瓷及其制备方法
本发明提供了一种ZrC陶瓷先驱体、ZrC陶瓷及其制备方法,包括锆源、碳源、二齿配体与溶剂,锆源、碳源、二齿配体与溶剂的摩尔比为1∶1~3∶1~2∶2~9。解决现有技术中ZrC陶瓷先驱体工艺可操作性差,久置或加热后容易凝胶...
刘荣军严春雷张长瑞曹英斌王思青李斌
文献传递
一种硼化物及其复相陶瓷粉体的固相制备方法
本发明提供了一种ⅣB、ⅤB族过渡金属(主要指钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铌(Nb)、钽(Ta))硼化物及其复相陶瓷粉体的固相制备方法。本发明以ⅣB、ⅤB族过渡金属氧化物或无机盐为相应陶瓷中金属元素来源,氮化硼为硼...
严春雷刘荣军曹英斌张长瑞李斌王思青
文献传递
一种硼化物陶瓷先驱体的制备方法及其应用
本发明提供了锆(Zr)、铪(Hf)硼化物超高温陶瓷液相先驱体的制备方法与应用。本发明以水溶性的锆(Zr)、铪(Hf)无机盐为相应陶瓷中金属元素来源,碳源由水溶性羟基羧酸和水溶性多元醇的混合物提供,三氧化二硼、硼酸为相应的...
曹英斌严春雷刘荣军张长瑞王思青李斌
文献传递
素坯密度对气相渗硅制备C/C-SiC复合材料结构与性能的影响被引量:7
2016年
三维针刺碳毡经化学气相渗透(Chemical Vapor Infiltration,CVI)增密制备C/C素坯,通过气相渗硅(Gaseous Silicon Infiltration,GSI)制备C/C-SiC复合材料。研究素坯密度与CVI C层厚度及素坯孔隙率的变化规律,并分析素坯密度对C/C-SiC复合材料力学性能、热学性能的影响。结果表明:随着素坯密度增大,CVI C层变厚,孔隙率减小;C/C-SiC复合材料中残C量随之增大,残余Si量随之减小,SiC先保持较高含量(体积分数约40%),随后迅速降低,C/C-SiC复合材料密度逐渐减小,力学性能先增大后减小,而热导率及热膨胀系数降低至平稳。当素坯密度为1.085g/cm3时,复合材料力学性能最好,弯曲强度可达308.31MPa,断裂韧度为11.36MPa·m1/2。研究发现:素坯孔隙率较大时,渗硅通道足够,残余硅多,且CVI C层较薄,纤维硅蚀严重,C/C-SiC复合材料力学性能低;素坯孔隙率较小时,渗硅通道很快阻塞,Si和SiC含量少,而闭孔大且多,C/C-SiC复合材料力学性能也不高。
曹宇刘荣军曹英斌龙宪海严春雷张长瑞
关键词:C/C-SICCVI力学性能
超高温陶瓷基复合材料制备工艺研究进展被引量:17
2012年
对超高温陶瓷作了简要介绍,综述了先驱体浸渍裂解(PIP)、反应熔体浸渗(RMI)、化学气相渗透(CVI)、泥浆法(SI)等工艺的最新研究进展。
严春雷刘荣军曹英斌张长瑞张德坷
关键词:超高温陶瓷复合材料
一种硼化物超高温陶瓷的制备方法
本发明提供了一种由液相先驱体转化制备锆(Zr)、铪(Hf)硼化物(MB<Sub>2</Sub>)以及其三元硼化物超高温陶瓷(M<Sup>1</Sup>M<Sup>2</Sup>B<Sub>2</Sub>)的方法。以水溶性...
刘荣军严春雷曹英斌张长瑞李斌王思青
文献传递
共3页<123>
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