乔士柱
- 作品数：7 被引量：11H指数：2
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- 利用PtOEP掺杂改善Spiro发光器件的发光效率(英文)
- 2008年
- 为了利用有机三线态发光提高有机发光器件的发光效率,用磷光材料掺杂到聚合物主体中作为发光层,制备有机电致发光器件.在测量器件的电流-电压特性、发光亮度-电压特性和电致发光谱的基础上,计算了器件的外量子效率,研究了磷光材料的掺杂浓度对器件发光效率的影响.结果表明,对特定的材料体系,适当控制掺杂浓度,可以同时观察到荧光和磷光光谱,使掺杂器件的外量子效率在纯聚合物发光器件的基础上得到明显提高.
- 赵俊卿乔士柱许福运张宁玉庞岩涛陈莹
- 关键词：外量子效率三线态有机发光器件
- Spiro发光双层结构有机电致发光器件被引量：1
- 2007年
- 为了研究简单结构有机电致发光器件的发光性能,采用PEDOT∶PSS作为空穴输运层,Spiro作为电子输运层和发光层,以金属Ba覆盖以金属Al作阴极,制备双层结构有机电致发光器件,得到性能稳定的蓝色发光。测量器件的电流密度-电压特性、发光亮度-电压特性和电致发光谱,计算了器件的外量子效率。结果表明,器件电流以陷阱电荷限制电流为主,最大发光亮度为3544cd/m2,最大外量子效率达2.40%。
- 赵俊卿乔士柱许福运张宁玉庞岩涛陈莹
- 关键词：有机电致发光器件亮度外量子效率
- PPV中极化子动力学方程的龙格-库塔求解被引量：2
- 2011年
- 构造求解一阶微分方程组初值问题的八阶龙格-库塔递推公式,结合描述有机分子运动的一维紧束缚模型,研究PPV原子链中极化子的形成及运动.对碳原子数N=160的PPV原子链,由可控步长八阶龙格-库塔公式求解2N(2N+1)=102 720个方程组成的方程组,用Fortran语言编程计算,得到稳定的极化子结构和运动图像;在场强E=1×105 V.cm-1的电场作用下,极化子沿分子链的运动速率约为0.263 5.fs-1.计算结果表明,八阶龙格-库塔方程可以有效地用于有机分子链中载流子运动的模拟.
- 赵俊卿贾振锋张天佑丁猛乔士柱陈莹季燕菊张宁玉付刚
- 关键词：PPV极化子FORTRAN
- OLED中自旋极化载流子的注入和输运特性
- 有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Device，OLED)具有主动发光、能耗低、发光谱带宽、品种多样、制造成本低廉、轻薄、无角度依赖性等一系列优点。OLED的电致发光过程中，75％的三线态和...
- 乔士柱
- 关键词：电致发光自旋极化
- 文献传递
- 电场对OLED中自旋极化载流子输运的影响
- 2009年
- 为了明确有机电致发光器件(OLED)双极自旋注入中电场的影响,从漂移扩散方程和载流子浓度连续性方程出发,结合泊松方程得出了注入载流子运动的微分方程,计算了自旋极化载流子浓度和自旋扩散长度的关系,讨论了电场对自旋扩散长度的影响。计算结果表明:电场通过改变自旋扩散长度来影响自旋极化载流子的运动。对电子来说,电场方向和扩散方向相同时,电场增大会导致自旋扩散长度减小,扩散变快,电子深入样品的平均距离小,不利于在有限厚度薄膜中获得高自旋极化率;电场方向和扩散方向相反时,电场越大,自旋扩散长度越大,有利于获得高自旋极化率。对空穴来说,情况正好相反。还讨论了电场对双极自旋极化注入的影响。
- 乔士柱赵俊卿贾振锋庞智勇
- 关键词：OLED自旋注入电场
- 自旋极化有机电致发光器件中单线态与三线态激子的形成及调控被引量：1
- 2010年
- 由于有机半导体(OSC)材料自旋弛豫时间长、自旋扩散长度大,OSC自旋器件逐渐成为研究热点.对于有机电致发光器件(OLED),通过自旋极化电极调控单线态和三线态激子比率是提高其效率的有效方法.本文从漂移扩散方程和载流子浓度连续性方程出发,结合朗之万定律建立了一个自旋注入、输运、复合的理论模型.计算了OSC中的极化电子、空穴浓度,得出了单线态和三线态激子的比率.分析了电场强度、自旋相关界面电导、电极和OSC电导率匹配和电极极化率等因素的影响.计算结果表明:两电极注入反向极化的载流子并提高载流子自旋极化率,有利于提高单线态和三线态激子的比率;自旋相关界面电阻、正向电场强度和电极自旋极化率的提高,电极和OSC电导率的匹配,有利于提高注入载流子浓度极化率,进而提高单线态和三线态激子比率和OLED的荧光效率.
- 乔士柱赵俊卿贾振锋张宁玉王凤翔付刚季燕菊
- 关键词：有机电致发光器件载流子复合
- 磁性隧道结自旋极化电子的隧穿特性被引量：7
- 2008年
- 铁磁金属间通过中间层的自旋极化电子隧穿产生的磁性耦合,在自旋电子器件中有许多潜在的应用.考虑由一平面磁性势垒层隔开的两铁磁性金属电极构成的磁性隧道结,针对中间层形成的矩形势垒,在近自由电子模型的基础上,计算零偏压下的隧穿电导、自旋极化率和隧穿磁阻比率,分析势垒层特性、分子场强弱、分子场相对取向等对隧道结自旋极化电子隧穿特性的影响.计算结果对自旋电子器件的设计具有一定的指导意义.
- 赵俊卿乔士柱张宁玉张慧军何鹏
- 关键词：磁性隧道结自旋极化电子隧穿电导
