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乔彦彬

作品数:10 被引量:10H指数:2
供职机构:北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 8篇半导体
  • 5篇半导体器件
  • 4篇欧姆接触
  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 3篇电流
  • 3篇同时测量
  • 3篇芯片
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 3篇半导体技术
  • 2篇栅结构
  • 2篇时间常数
  • 2篇热阻
  • 2篇封装
  • 2篇高速A/D
  • 2篇采集卡
  • 2篇参数测定
  • 2篇热特性
  • 2篇GAAS

机构

  • 10篇北京工业大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 10篇乔彦彬
  • 9篇冯士维
  • 7篇郭春生
  • 4篇邓海涛
  • 2篇刘静
  • 1篇马骁宇
  • 1篇丁凯凯
  • 1篇岳元
  • 1篇熊聪
  • 1篇魏光华
  • 1篇张亚民
  • 1篇张光沉
  • 1篇王晓薇
  • 1篇孟庆辉
  • 1篇贾京

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种测量半导体器件有源区薄层材料中热传导参数的方法
一种测量半导体器件有源区薄层材料中热传导参数的方法涉及半导体器件测试领域。现有技术中有源区同时起到发热区和温度探测区的作用,热量在薄层中的传导速度也无法测量。采用本方法制备的测试芯片,将热源区和温敏探测区空间上分开。加热...
冯士维张光沉郭春生乔彦彬刘静
文献传递
一种测量半导体器件有源区薄层材料中热传导参数的方法
一种测量半导体器件有源区薄层材料中热传导参数的方法涉及半导体器件测试领域。现有技术中有源区同时起到发热区和温度探测区的作用,热量在薄层中的传导速度也无法测量。采用本方法制备的测试芯片,将热源区和温敏探测区空间上分开。加热...
冯士维张光沉郭春生乔彦彬刘静
大功率GaAs基半导体激光器失效机理研究
大功率半导体激光器具有电光转化效率高、寿命长和可靠性高等优点,广泛应用于泵浦固体激光器、激光打印、材料加工和通信等领域。近年来,随着半导体激光器光输出功率不断增大和性能不断提高,其应用范围也逐步扩大,但是,器件可靠性仍然...
乔彦彬
关键词:砷化镓大功率半导体激光器欧姆接触
半导体激光器不同封装下的封装应力被引量:2
2012年
为研究正装和倒装封装下高功率半导体激光器有源区的应力问题,利用有限元软件ANSYS分析得到了两种封装方式下应力场分布图及有源区平行于x轴路径上的应力变化曲线。模拟结果表明,与正装封装相比,倒装封装下有源区应力变化剧烈,平均值高出正装一个数量级。并通过荧光光谱实验对比了封装前后激光器芯片的波长变化,根据半导体禁带宽度与应变关系算出两种封装下的应力大小,与模拟值相符。通过模拟和实验结果可见,芯片封装形式对芯片引入的应力有显著的差别,倒装封装下芯片有源区应力远高于正装封装。
魏光华冯士维乔彦彬熊聪
关键词:半导体激光器封装应力有限元荧光
大功率激光器巴条热特性研究
2015年
利用半导体激光器结电压随温度变化关系,测量了大功率激光器巴条的稳态温升曲线,并用红外热成像方法进行了验证。同时采集到的稳态温升曲线结合结构函数方法,可以得到激光器巴条热量传递路径上各层结构的热阻。然后通过测量激光器巴条的热阻可以得到其光转换效率,,施加在半导体激光器巴条上的工作电流越大,其热阻越小,光转化效率越高,与半导体激光器测试仪测量的光转换效率的变化一致。
孟庆辉冯士维贾京张亚民乔彦彬岳元
关键词:大功率激光器热阻红外热成像光转换效率
一种测量电子元器件工作结温和热阻的装置
本实用新型涉及一种测量电子元器件工作结温和热阻的装置,属于电子器件的生产测量领域。装置特征在于:被测器件置于一真空系统中,该真空系统留有接线柱与外部装置相连;外部装置包括A/D采集板、计算机、电源、和加热电源;被测器件通...
冯士维乔彦彬郭春生张光沉丁凯凯
文献传递
一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片
一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片属于半导体技术,特别是半导体器件失效评估领域。本实用新型提供了一种专门测量欧姆接触退化的芯片,其特征在于:在至少有6个圆环电极的CTLM欧姆接触测试芯片的圆环形欧姆接触表面淀积有SiO<...
冯士维乔彦彬郭春生张光沉邓海涛
文献传递
GaAs基半导体激光器热特性被引量:8
2011年
对GaAs基808 nm半导体激光器进行恒流老化试验,并利用电学法观察退化过程中激光器有源区温度变化和热阻,发现有源区温度随老化时间明显上升,而热阻没有明显变化,同时测试了老化过程中激光器的电学和光学特性,经分析,激光器失效的主要原因是有源区载流子非辐射复合增加,引起激光器有源区温度上升,从而说明电学法热特性测试是检测激光器退化的有效方法之一,为进一步提高激光器的热管理技术和改善其热特性奠定了一定的基础。
乔彦彬冯士维马骁宇王晓薇郭春生邓海涛张光沉
关键词:电学法热特性半导体激光器阈值电流
一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片及方法
一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片及方法属于半导体技术,特别是半导体器件失效评估领域。本发明提供了一种专门测量欧姆接触退化的芯片,其特征在于:在至少有6个圆环电极的CTLM欧姆接触测试芯片的圆环形欧姆接触表面淀积有SiO...
冯士维乔彦彬郭春生张光沉邓海涛
一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片及方法
一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片及方法属于半导体技术,特别是半导体器件失效评估领域。本发明提供了一种专门测量欧姆接触退化的芯片,其特征在于:在至少有6个圆环电极的CTLM欧姆接触测试芯片的圆环形欧姆接触表面淀积有SiO...
冯士维乔彦彬郭春生张光沉邓海涛
文献传递
共1页<1>
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