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何建平

作品数:6 被引量:9H指数:2
供职机构:华中科技大学更多>>
发文基金:国防基础科研计划更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程理学交通运输工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 4篇钛酸
  • 4篇钛酸锶
  • 4篇钛酸锶钡
  • 3篇BA
  • 2篇第一性原理
  • 2篇电性能
  • 2篇介电
  • 2篇介电性
  • 2篇介电性能
  • 2篇SR
  • 2篇BST
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电畴
  • 1篇氧化物
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元分析
  • 1篇三维仿真
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电性

机构

  • 6篇华中科技大学
  • 1篇香港理工大学

作者

  • 6篇何建平
  • 4篇吕文中
  • 4篇汪小红
  • 1篇范桂芬
  • 1篇胡永明
  • 1篇王雨
  • 1篇史霄

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2006
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3有序构型的第一性原理研究被引量:5
2011年
采用第一性原理计算了Ba0.5Sr0.5TiO3三种有序构型的晶格结构和对应的电子结构,晶格结构的详细分析结果表明BST{100}有序构型为四方相,Ti-O八面体中Ti原子和Ba-Sr平面上的O原子沿[100]方向分别偏心位移0.040和0.065,八面体畸变导致反平行自发极化出现,构型处于反铁电态.BST{110}构型也是四方相,并且(110)和(110)面上的O原子存在0.029偏心移动,但Ti原子仍位于Ti-O八面体中心,构型处于顺电态.而BST{111}构型为立方相,其Ti-O八面体高度对称无畸变,构型为顺电态.态密度结果显示Ti3d和O2p轨道的杂化作用对BST钙钛矿晶体中铁电性的产生起着至关重要的作用,计算结果的综合分析表明A位的局部有序性会导致无序结构BST固溶体的结构相变.
何建平吕文中汪小红
关键词:钛酸锶钡第一性原理铁电性
公路涵管填土碾压的三维仿真与碾压优化
我国公路建设飞速发展,同时由于我国地形复杂,涵管在我国应用非常普遍。在已建成的公路中,曾经多处出现涵管开裂,有些还导致路基下沉,给国民经济造成了严重损失。从涵管开裂位置分析,有一部分是因为施工填土过程中,不同埋深下,由于...
何建平
关键词:非线性有限元分析三维仿真公路涵管
文献传递
稀土氧化物掺杂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3-MgO复合物结构及微波介电性能的影响(英文)
2010年
研究了不同质量分数(0~1.5%)的各种稀土氧化物对Ba0.6Sr0.4Ti O3(40%)-MgO(60%)陶瓷微观结构和介电性能的影响。研究表明,大半径的稀土离子掺杂能有效降低材料的介电常数并提高品质因数;而小半径的稀土离子掺杂则会提高材料的微波介电损耗。当掺杂量超过0.2%时,所有样品的调谐率都随着添加量的增加而下降。与未掺杂的BST-MgO相比,0.2%稀土掺杂样品的调谐率变化规律及机理随掺杂物的不同而不同:Nd2O3和Yb2O3掺杂样品中调谐率的大幅度升高归因于结电容的贡献,Sm2O3掺杂样品调谐率的下降主要由MgO晶粒的聚集所致,而Y3+同时占据A位和B位引起了样品调谐率的下降。研究发现在BST-MgO中添加具有大离子半径的稀土氧化物(如La2O3、CeO2、Nd2O3、Sm2O3)并优化其添加量,能满足铁电移相器等微波调谐器件的要求。
汪小红吕文中范桂芬何建平
关键词:微波介电性能稀土氧化物BSTMGO
钛酸锶钡结构及其极化特性的第一性原理计算与实验研究
钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)具有介电常数调节方便、较低的介电损耗以及电场作用下高介电常数非线性等良好的介电性能,在可调介质滤波器和移相器等微波调谐器件方面有着广泛的应用。本文以钛酸锶钡为研究对象,采用基于...
何建平
关键词:极化特性第一性原理计算密度泛函理论
SiO_2掺杂对BST-MgO陶瓷微观结构和介电性能的影响被引量:1
2011年
采用普通陶瓷工艺制备了0.4Ba0.6Sr0.4TiO3-0.6MgO-xSiO2(0≤x≤5.0%)陶瓷,研究了SiO2含量对所制BST-MgO(BSTM)陶瓷微观结构以及低频、微波介电性能的影响。XRD分析表明,随着掺杂量的增加,SiO2在BSTM陶瓷中首先以SiO2的形式存在,然后与MgO反应生成Mg2SiO4。质量分数x为0.5%的SiO2掺杂提高了BSTM陶瓷的致密度及可调率,并降低了其微波损耗,此时,陶瓷样品的可调率为16.21%,Q.f=109.5 GHz。随着SiO2掺杂量的进一步增加,BSTM陶瓷的可调率有所提高,介电常数逐渐降低,微波品质因数先降后升。在x=3.0%时,BSTM陶瓷的可调率达17.6%,Q.f=89 GHz。
汪小红史霄何建平吕文中
关键词:无机非金属材料钛酸锶钡介电性能
Ba_(1-x)Sr_xTiO_3陶瓷电畴的压电响应力显微研究被引量:1
2010年
采用常规固相反应法制备了Ba1-xSrxTiO3(x=0.7,0.4,0.1)陶瓷,利用扫描力显微镜的压电响应模式得到了压电响应像,并观察到了外加直流电压时的电畴诱导和极化反转.在10V电压下(样品厚90μm,下同),室温时顺电体Ba0.6Sr0.4TiO3中诱导出了铁电畴,而顺电体Ba0.3Sr0.7TiO3中并未诱导出铁电畴.12V和-12V电压下,Ba0.9Sr0.1TiO3中的电畴发生了明显的极化反转.对x=0.4、0.1的样品使用透射电子显微镜进行观察,发现室温下前者无电畴,进一步验证了压电响应图像的结果;后者有电畴,且为鱼刺状的畴结构.同时对顺电相Ba1-xSrxTiO3材料中非线性介电特性的起源进行了探讨。
何建平吕文中汪小红王雨胡永明
关键词:钛酸锶钡电畴极化反转
共1页<1>
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