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冯美鑫

作品数：61 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：中国博士后科学基金国家重点实验室开放基金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学环境科学与工程经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 51篇专利
  • 8篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 14篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 29篇半导体
  • 25篇激光
  • 25篇激光器
  • 23篇氮化物
  • 18篇发光
  • 16篇二极管
  • 16篇发光二极管
  • 14篇导体
  • 13篇III族
  • 12篇氮化物半导体
  • 11篇刻蚀
  • 10篇III族氮化...
  • 8篇辐射发光
  • 8篇超辐射
  • 8篇超辐射发光二...
  • 7篇氮化镓
  • 7篇腔面
  • 7篇光效
  • 6篇热阻
  • 6篇阈值电流

机构

  • 61篇中国科学院
  • 3篇中国科学院苏...
  • 1篇南昌大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇晶能光电(江...
  • 1篇中国科学院苏...

作者

  • 61篇冯美鑫
  • 45篇杨辉
  • 37篇孙钱
  • 27篇周宇
  • 22篇高宏伟
  • 13篇张书明
  • 10篇刘建平
  • 7篇张立群
  • 7篇李德尧
  • 6篇王怀兵
  • 6篇李增成
  • 5篇李水明
  • 5篇王辉
  • 4篇曾畅
  • 4篇戴淑君
  • 4篇严威
  • 3篇周坤
  • 3篇池田昌夫
  • 3篇张峰
  • 2篇刘德利

传媒

  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 6篇2024
  • 5篇2023
  • 2篇2022
  • 6篇2021
  • 4篇2020
  • 10篇2019
  • 4篇2018
  • 9篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
共 61 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
III-V族氮化物深紫外发光二极管结构及其制作方法
本发明公开了一种III族氮化物深紫外发光二极管结构及其制作方法。其中，所述的制作方法包括：在衬底上生长形成深紫外发光二极管的外延结构的步骤，所述外延结构包括依次在衬底上形成的n型接触层、有源区、电子阻挡层和p型接触层，以...
孙钱冯美鑫高宏伟周宇杨辉
文献传递
GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法。所述激光器和超辐射发光二极管的脊型结构通过外延生长直接形成，其包括表面分布有条形台阶结构的衬底，设置在所述衬底上并包覆所述条形台阶结构的、具有脊型结构的外延层...
孙钱冯美鑫周宇杨辉池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群
文献传递
提升材料生长产能和改善均匀性的样品托盘
本实用新型公布了一种提升材料生长产能和改善均匀性的样品托盘，包括样品托盘本体，所述样品托盘本体上端面的选定区域内分布有两个以上第一片槽，而所述样品托盘本体上端面上除所述选定区域之外的其余区域内还分布有至少一第二片槽，所述...
孙钱严威冯美鑫杨辉
文献传递
GaN基激光器腔面膜系优化设计
采用转换矩阵的处理方法，计算出了光场在GaN基激光器腔面和薄膜介质中的分布，提出了不改变光功率输出时，降低前后腔面光功率、提高GaN基激光器光学灾变损伤阈值的镀膜设计方法，并进行了理论计算。
冯美鑫张书明江德生刘宗顺朱建军赵德刚王辉杨辉
关键词：GAN基激光器腔面镀膜传输矩阵高反膜膜系设计
高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构及其制作方法
本申请公开了一种高功率基膜氮化镓基激光器管芯结构及其制作方法。该激光器管芯结构包括依次层叠的第一电极接触层、第一光学限制层、第一波导层、发光有源区、第二波导层、第二光学限制层和第二电极接触层，第二电极接触层、第二光学限制...
张书明冯美鑫孙钱
GaN基半导体器件及其制作方法
本发明公开了一种GaN基半导体器件及其制作方法。所述GaN基半导体器件包括硅衬底、以及形成于所述硅衬底上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述硅衬底上的AlN成核层，AlGaN缓冲层以及GaN缓冲层。本发明采用介质膜做为...
严威孙逸冯美鑫周宇孙钱杨辉
文献传递
基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种基于p型层的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。所述HEMT包含主要由第一半、第二半导体层组成的异质结以及与所述异质结连接的源、栅和漏电极，该栅电极与势垒层之间还分布有能与第二半导体层形成异质结的第...
孙钱周宇李水明陈小雪戴淑君高宏伟冯美鑫杨辉
文献传递
无铝氮化镓基蓝光激光器
我们在c面GaN衬底上实现了无铝蓝光激光器的脉冲激射,得到了近似圆形的光斑,激光器激射光斑纵横比为1.6,激光器激射波长440nm,阈值电流为720mA,斜率效率0.9W/A.
冯美鑫王怀兵杨辉张书明刘建平李德尧张立群李增成周坤王峰王辉
关键词：GAN蓝光激光器无铝光斑
文献传递
高取光效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种高取光效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制备方法。所述二极管结构包括外延结构，所述外延结构包括p型层、n型层和有源区，所述有源区分布于所述p型层和n型层之间；其中，所述p型层上还设置有n型布拉格反射镜...
冯美鑫孙钱刘建勋黄应南孙秀建杨辉
P型栅GaN基增强型HEMT制备的关键技术研究
P型栅GaN基增强型HEMT(p-GaN E-HEMT)是当前GaN基电力电子器件研究中最具应用前景的技术方案之一，已为业界广泛采用，如加拿大GaN System、美国EPC、日本Panasonic等。
钟耀宗周宇高宏伟戴淑君冯美鑫何俊蕾孙钱张继军杨辉
关键词：刻蚀钝化
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