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刘全朴

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：剑桥大学更多>>
发文基金：The Royal Society国家攀登计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇GAN薄膜
  • 2篇体缺陷
  • 2篇位错
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体缺陷
  • 1篇氮化镓
  • 1篇位错结构
  • 1篇晶界
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇GAN

机构

  • 3篇剑桥大学
  • 2篇中国科学院金...

作者

  • 3篇王绍青
  • 3篇刘全朴
  • 1篇叶恒强
  • 1篇王元明

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇第十次全国电...

年份

  • 3篇1998
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究
1998年
我们利用电子显微镜的高阶弱束暗场成像技术和高分辨电子显微术对在ＧａＰ基体上由分子束外延生长方法制备的六角ＧａＮ薄膜中的晶界、畴界、线型位错进行了详细系统的研究。研究中我们确定了ＧａＮ薄膜中存在的大量线型位错基本都是Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量为ｂ＝１／３〈１１...
王绍青刘全朴王元明
关键词：晶界位错GAN晶体缺陷
六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究
王绍青刘全朴
关键词：晶体缺陷
分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构被引量：1
1998年
利用高分辨电子显微术，对在ＧａＰ基体上由分子束外延生长六角ＧａＮ晶体薄膜中的晶体缺陷结构进行了研究．实验中发现了ＧａＮ薄膜外延生长过程中产生的一种典型早期刃型位错结构．此晶体缺陷位于一大块ＧａＮ晶粒内部，其外观类似于一段（１１２０）晶界．它由一条（１１２０）高能孤立晶界段及其两端的两个１／６［１１２０］不完全刃型位错组成．从大晶格失配材料之间分子束外延生长的机理上对这种缺陷结构的形成进行了解释．
王绍青刘全朴叶恒强
关键词：位错结构氮化镓分子束外延生长
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