刘广均
- 作品数：12 被引量：41H指数：4
- 供职机构：清华大学工程物理系更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院双百人才基金国家自然科学基金中国工程物理研究院核物理与化学研究所科技创新基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术更多>>
- 基于闪烁光纤阵列快中子照相系统的点扩展函数数值研究被引量：2
- 2007年
- 建立了基于闪烁光纤阵列构建的快中子照相系统点扩展函数(PSF)的计算模型,编制了模拟程序.基于计算结果,分析了闪烁光纤截面尺寸和快中子源尺寸对系统点扩展函数的影响.计算结果表明,为获得较理想的系统点扩展函数,光纤截面尺寸不应大于200μm;选用的中子源尺寸应在毫米量级;中子源与闪烁光纤阵列的距离应大于1m;同时受照样品应当尽量靠近阵列.计算结果对快中子照相实验布局和图像处理具有一定的指导意义,同时也定量地反映了快中子照相系统的分辨率.
- 章法强李正宏杨建伦叶凡王真夏广新应纯同刘广均
- 关键词：快中子照相点扩展函数蒙特卡罗模拟计算
- 小环径比托卡马克中粒子的捕获条件
- 2000年
- 为了研究小环径比托卡马克中粒子运动不同于大环径比的特点 ,探讨了标准模型磁场下单粒子在小环径比托卡马克中的运动 ,通过对环径比量级的假设采用漂移近似得到了保留至高阶项的导心运动方程。在对大环径比托卡马克的捕获条件进行推广的基础上 ,推导了具有较小环径比的托卡马克装置的捕获条件 ,并得到捕获粒子的比例会高于大环径比托卡马克的结论。
- 黄诚昆鲁巍刘广均应纯同
- 关键词：捕获环径比
- 14MeV中子照相中CCD芯片的屏蔽计算被引量：3
- 2007年
- 快中子照相实验中,电荷耦合装置(CCD)是重要的成像器件。快中子辐射不仅会减少CCD的使用寿命,而且会对快中子图像带来影响,因此必须对CCD芯片进行有效的屏蔽,减少快中子辐射对芯片的损伤。该文利用MCNP/4B程序计算了14MeV中子照相中不同屏蔽材料组合条件下CCD芯片的吸收剂量。计算结果表明,在对CCD进行有效的屏蔽后,芯片的吸收剂量是屏蔽前的3%,按源中子数归一后仅为1.29 aGy,已经达到屏蔽要求。计算结果还表明,环境散射中子辐射对芯片吸收剂量贡献较小,可以忽略。
- 章法强李正宏杨建伦应纯同刘广均
- 关键词：MONTECARLO方法
- 多元分离矩形级联最佳供料位置的确定被引量：2
- 1997年
- 多元同位素分离理论是稳定同位素分离的理论基础。矩形级联具有机器种类少，连接简单等特点，适合分离种类多，小规模生产的稳定同位素。用矩形级联分离多元同位素，在外界参数不变的情况下，改变供料位置，目标同位素的产品丰度有较大差别，这就要求选择最佳供料位置使产品丰度最高。从推导二元小分离系数短矩形级联的最佳供料位置出发，分析了当分离系数增大及级联加长时供料位置的变化趋势，并通过求解非定常态多元分离级联丰度非线性方程组。
- 吴红江应纯同刘广均
- 关键词：同位素
- 杂质对等离子体平行速度剪切及离子温度梯度不稳定性的影响
- 1997年
- 为综合分析影响磁约束等离子体不稳定性的重要因素，研究了磁剪切平板模型下，同时具有杂质离子及平行流速剪切效应的离子温度梯度（ＩＴＧ）不稳定性的准线性流体理论。分析表明，主要离子与杂质离子的平行流速剪切对不稳定性的影响性质相同。杂质离子的流速剪切及反向密度梯度分布增强了主要离子的温度梯度及流速剪切的驱动机制。
- 傅新宇董家齐应纯同刘广均
- 关键词：等离子体
- 价值函数的物理意义
- 1994年
- 在铀同位素分离领域中，价值函数和分离功率是非常重要的物理量。半个世纪以来，价值函数得到广泛的应用，但其物理意义则未得到明确的解释。本文引入了同位素气体混合物中丰度分布的有序度的概念，并指出价值函数就是正比于同位素气体混合物中丰度分布的有序度的一个物理量，从而给出了价值函数和分离功率的明确的物理意义，并由此出发给出了多元同位素分离过程的价值函数和分离功率的表示式。
- 刘广均
- 关键词：同位素分离价值函数分离功率铀同位素
- 14MeV中子照相中散射中子对成像影响的Monte Carlo模拟被引量：9
- 2007年
- 依据实验参数,建立了14MeV快中子照相的物理模型,并利用Monte Carlo方法对照相过程进行了模拟.分析了经聚乙烯样品散射的中子对快中子图像的影响随样品与探测器间距及样品参数的变化.计算结果表明,样品与探测器的距离d<5cm时,样品中的散射中子对图像的影响强烈依赖于d,而当d>20cm时,样品散射中子对图像的影响可忽略;当样品密度为3—5g/cm3时散射中子对图像的影响相对最大;样品宽度越大,图像中的散射成分越多,当宽度在3cm以上时散射成分的强度趋于饱和.
- 章法强杨建伦李正宏应纯同刘广均
- 关键词：快中子照相MONTECARLO模拟
- 平行速度剪切驱动湍流引起的粒子输运
- 1997年
- 通过离子温度梯度及平行速度剪切的准线性湍流理论，得到了由杂质离子及抵频Ｅ×Ｂ湍流所驱动的径向离子流及相应的输运系数．理论分析表明，主要离子和杂质离子的径向离子流具有相反的方向，并随着平衡流速剪切以及杂质离子的密度梯度的变化而改变．
- 傅新宇董家齐应纯同刘广均
- 关键词：等离子体输运湍流
- 托卡马克等离子体内部输运壁垒中电磁ITG模被引量：1
- 2002年
- 内部输运壁垒 ITB(internal transport barrier)的发现是近几年托卡马克实验研究的一项重要进展 ,ITB中微观不稳定性的研究对理解 ITB的作用至关重要。应用平板磁剪切位形和回旋动力学理论 ,通过 Raleigh- Ritz方法数值求解耦合的积分方程组 ,研究了内部输运壁垒区的电磁离子温度梯度 (ITG)模 ,计算中考虑了磁剪切的梯度和非绝热电子响应。结果表明 ,考虑非绝热电子的情况下 ,有限β(等离子体压强 /磁压强 )在极弱磁剪切区对 ITG模的 4个分支有明显的抑制作用 ,而且高阶的 ITG模更易被有限 β所抑制。
- 张杰董家齐应纯同刘广均
- 数值模拟高能中子照相被引量：11
- 2006年
- 模拟了14 MeV中子在穿透样品后与闪烁体光纤的作用。对每根光纤中的能量沉积进行了计算,并转换成可见光(496 nm)光子数。在模拟实验中,分析了影响图像质量的因素。计算了散射中子本底与闪烁体和样品(聚乙烯)间距的关系。当间距为cm量级时,散射中子本底对图像的影响很小。计算表明系统对样品的甄别厚度与入射中子总数有关,在一定范围内近似与中子总数的对数成线性关系。通过模拟结果给出了理想平行中子束入射情况下系统的平面分辨率。
- 章法强杨建伦李正宏陈法新应纯同刘广均
- 关键词：数值模拟中子照相
