刘建林
- 作品数：13 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 高迁移率Si／Si_（0．7）Ge_（0．3）／Si调制掺杂异质结构的生长和输运性质
- 1994年
- 采用计算机控制的快速辐射加热、超低压ＣＶＤ（ＲＲＨ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）方法生长了Ｓｉ／Ｓｉ０．７Ｇｅ０．３／Ｓｉｐ－型调制掺杂双异质结构．研究了该结构的输运性质，其空穴霍尔迁移率高达３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（３００Ｋ，薄层载流于浓度ｐｓ为２．６×１０１３ｃｍ－２）和８４００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（７７Ｋ，ｐｓ为１．１×１０１３ｃｍ－２）．
- 江若琏刘建林李海峰郑厚植郑有炓
- 关键词：掺杂异质结迁移率SIGE
- 一种用SiGe/Si异质结构制备硅量子线的方法
- 一种利用SiGe/Si异质结构制备硅量子线的方法，其特征是在硅单晶上生长Si/SiGe/Si异质薄膜，光刻和反应离子刻蚀形成沟槽；采用选择化学腐蚀去除SiGe层并形成硅线，通过低温热氧化过程对硅线进行细化和光滑达到最终所...
- 施毅郑有斗刘建林张荣顾书林韩平汪峰陆阳朱顺民胡立群王荣华沈波
- 文献传递
- Si/SiO_2异质界面的超精细硅量子线被引量：1
- 1995年
- 作为半导体科学技术研究前沿领域的硅低维量子结构,它无论在低维物理基础研究,还是在技术应用上,都具有十分重要的意义.硅量子线作为纳米电子学的基础,将发展实现特大规模集成电路和开拓新一代硅量子效应的器件;同时,这种人工设计的一维微结构材料的能带结构不同于天然硅材料,可望获得高的发光效率,用于发展硅基集成光电子技术.
- 施毅刘建林汪峰张荣韩平朱顺明郑有斗茅保华
- 关键词：硅二氧化硅
- SiO_2全封闭的硅量子线列阵
- 1995年
- 采用硅工艺的反应离了刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压化学气相淀积生长技术，成功地在硅单晶衬底上制作了ＳｉＯ２全封闭结构的硅量产线列阵．扫描电镜观察清楚地显示了这种高质量的量子线结构．实验表明，通过热氧化过程可以非常有效地控制量子线的尺寸．
- 施毅刘建林汪峰张荣韩平余是东张学渊顾书林胡立群茅保华郑有
- 关键词：二氧化硅硅量子线化合物半导体
- 一种对硅/锗的硅化学选择腐蚀方法
- 一种对硅/锗硅化学选择腐蚀方法,采用NH<Sub>4</Sub>OH溶液对硅/锗合金的硅进行化学选择性腐蚀。本发明所提出采用NH<Sub>4</Sub>OH溶液从锗硅上选择腐蚀硅的方法。此方法不仅具有很高的选择腐蚀比,而...
- 施毅郑有炓汪峰刘建林陆阳吴军张荣顾书林胡立群韩平江若琏朱顺明
- 文献传递
- 硅基低维结构制备与性质
- 该文对硅基硅量子线及其器件的制备和表征,p-型调制掺杂Si/Si<,1-x>/Ge<,x>/Si双异质结构的生长和输运性质进行了深入的研究.主要结果如下:一、论述了硅基低维结构的物理基础;二、硅量子线是一种重要的硅基低维...
- 刘建林
- 关键词：硅工艺输运性质
- 用气液固相互反应方法生长线状硅晶研究被引量：1
- 1999年
- 以SiH4为生长气源，利用VLS（气相一液相一固相）互反应生长机制，在RT－CVD生长设备上通过向（111）硅衬底表面引入Au，生长出长达数个微米而直径小于1μm的垂直于衬底表面的线状晶体。对生长出的线状晶体作了扫描电镜观察，并分析讨论了生长的异常现象。
- 陆阳施毅刘建林汪峰顾书林朱顺民郑有
- 关键词：真空微电子技术
- 采用锗硅异质外延方法制备硅量子线
- 1996年
- 报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构基础上，采用光刻和反应离子刻蚀技术形成槽状图形，用选择腐蚀液进行选择化学腐蚀，获得Ｓｉ线阵列，最后通过湿氧、干氧氧化过程，成功实现了高质量Ｓｉ／ＳｉＯ２异质界面结构硅量子线。采用扫描电子显微镜对量子线形成特征进行了研究，并讨论了硅线的热氧化性质。
- 陆阳施毅刘建林汪峰张荣顾书林郑有茅保华谢中华
- 关键词：热氧化
- 两步浸渍法制备发光多孔硅及NO_2的作用
- 1994年
- 用两步浸渍染色法在单晶硅片上制备了室温光致发光多孔硅,膜层均匀,其等效折射率在2.0—2.4之间,测量了荧光激发谱和荧光发射谱以及Fourier变换红外透射谱,结果表明:浸渍染色多孔硅与阳极电化多孔硅特征一一对应,指出染色多孔硅的形成动力是中性NO_2的传递电子的催化作用,HNO_3的氧化和HF的氢化共同作用形成的化学染色多孔硅与阳极电化多孔硅具有相似的红外透射谱,分析了斑秃染色层的成因,认为染色多孔硅中有偏硅酸混合体的成分。
- 柳承恩刘建林王峻岭陈红明鲍希茂
- 关键词：多孔硅光致发光
- 可调节势垒高度的Al／Si_（1—x）Gex肖特基接触被引量：1
- 1996年
- 本文首次报道了Ａｌ／ｐ－Ｓｉ１－ｘＧｅｘ肖特基（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）接触的制备与电学性质．Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变外延层采用快速加热、超低压化学气相淀积方法生长．实验表明，改变Ｇｅ组分ｘ的大小可以调节肖特基势垒高度．随着Ｇｅ组分的增大，肖特基势垒高度降低，其降低值与Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层带隙的降低值相一致，界面上费米能级钉扎于导带下约０．４３ｅＶ处．文中还研究了ＳｉＧｅ合金层的应变弛豫以及Ｓｉ顶层对肖特基接触特性的影响．
- 江若琏李健周晓春刘建林郑有
- 关键词：肖特基势垒肖特基结
