刘思南
- 作品数：5 被引量：18H指数：3
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
- 发文基金：北京市人才强教计划项目北京市科委基金北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 透明导电ITO欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管被引量：8
- 2007年
- 提出了一种透明导电氧化铟锡(ITO)欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺。在这个结构里,ITO还作为窗口层材料,增强电流扩展,并应用了高反射率的金属作为反光镜。用Au-Sn合金(Au∶Sn=8∶2,重量比)作为焊料,把带有金属反光镜的AlGaInPLED(RS-LED)外延片倒装键合到GaAs基板上,并去掉外延GaAs衬底,把被GaAs衬底吸收的光反射出去。与常规AlGaInP吸收衬底LEDs(AS-LED)和带有分布布拉格反光镜(DBR)的AlGaInP吸收衬底LEDs(DBR-AS-LED)电、光特性的比较,用透明导电ITO做欧姆接触的AlGaInP薄膜RS-LED结构能极大提高光输出功率和发光强度。正向电流20mA时,RS-LED的光输出功率分别是AS-LED和DBR-AS-LED的2.4倍和1.7倍;RS-LED20mA下峰值波长624nm的轴向光强达到了179.6mcd,分别是AS-LED20mA下峰值波长627nm和DBR-AS-LED20mA下峰值波长623nm轴向光强的2.2倍和1.3倍。
- 张剑铭邹德恕刘思南朱彦旭沈光地
- 关键词：ALGAINP发光强度
- 表面粗化提高红光LED的光提取效率被引量：7
- 2008年
- 介绍了通过出光表面粗糙化来减少全反射的方法,实验中使用化学湿法腐蚀的技术获得预计的粗糙形貌,结果给出不同参数下的光强和光辐射功率比较,器件的外量子效率得到了约29%的提高。从理论和测试结果两方面阐述了表面粗糙化对提高红光LED外量子效率的机理。
- 刘思南邹德恕张剑铭顾晓玲沈光地
- 关键词：表面粗化磷化镓湿法腐蚀
- 高亮度LED中ODR反光镜反射率温度特性研究
- 2008年
- 对Al/SiO2、Al/ITO、Au/SiO2、Au/ITO构成的ODR(Omni-directional reflector)结构,对应400～800 nm的不同波长,在不同温度下,对于反光镜的反射率的影响,进行了研究。提出了在460 nm的蓝光波段,Al/SiO2合金温度在500～700 K时,反射率会达到最小值,温度在700 K以上时,又到常温值,且略微增加;Al/ITO反射率是随着温度变化单调下降的,因此要在Al反光镜的表面采用Ti/Al/Ti/Au的结构,改善反光镜的特性;620 nm的红光波段,Au/SiO2和Au/ITO的合金温度在700 K时,具有最理想的反射率,且Au/SiO2结构的反射效果要优于Au/ITO结构。用实验的方式进行了验证,分析了可能造成反射率变化的原因。
- 宋欣原邹德恕张剑铭刘思南沈光地
- 关键词：退火反射率
- AlGaInP红光LED的研制
- AlGaInP红光LED是目前受到国际上重视的光电子器件，它以体积小、功耗低、寿命长等特点，在通讯、交通、室外的大屏幕显示等领域得到了广泛的应用。发光二极管的内量子效率主要由材料的发光特性和异质结的限制作用来决定。现在高...
- 刘思南
- 关键词：表面粗化增透膜出光效率发光二极管红光LED
- 文献传递
- 新型全方位反射铝镓铟磷薄膜发光二极管被引量：4
- 2007年
- 提出了一种新型全方位反射铝镓铟磷(AlGaInP)薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺,在这个结构里应用了低折射率的介质和高反射率的金属联合作为反光镜.用金锡合金(80Au20Sn,重量比)作为焊料把带有反光镜的AlGaInPLED外延片倒装键合到GaAs基板上(RS-LED),去掉外延片GaAs衬底,把被GaAS衬底吸收的光反射出去.通过与常规AlGaInP吸收衬底LEDs(AS-LED)和带有DBR的AlGaInP吸收衬底LEDs(AS-LED(DBR))电、光特性的比较,证明新型全方位反射AlGaInP薄膜LED结构能极大提高亮度和效率.正向电流20mA时,RS-LED的光输出功率和流明效率分别是AS-LED的3.2倍和2.2倍,是AS-LED(DBR)的2倍和1.5倍.RS-LED(20mA下峰值波长627nm)的轴向光强达到194.3mcd,是AS-LED(20mA下峰值波长624nm)轴向光强的2.8倍,是AS-LED(DBR)(20mA下峰值波长623nm)轴向光强的1.6倍.
- 张剑铭邹德恕刘思南徐晨沈光地
- 关键词：铝镓铟磷发光强度
