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吴天如

作品数：79 被引量：34H指数：3
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划江苏高校优势学科建设工程资助项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 56篇专利
  • 17篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 13篇理学
  • 11篇化学工程
  • 9篇一般工业技术
  • 6篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇生物学

主题

  • 49篇石墨
  • 48篇石墨烯
  • 17篇衬底
  • 16篇化学气相
  • 15篇化学气相沉积
  • 12篇氮化
  • 12篇氮化硼
  • 12篇气相沉积
  • 10篇单晶
  • 9篇退火
  • 9篇光电
  • 8篇碳化硅
  • 8篇合金
  • 7篇电子器件
  • 7篇场效应
  • 7篇场效应管
  • 6篇气相
  • 6篇气相沉积法
  • 6篇六方氮化硼
  • 6篇金属

机构

  • 59篇中国科学院
  • 22篇南京航空航天...
  • 2篇南京大学
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇香港理工大学
  • 1篇中南大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 79篇吴天如
  • 44篇谢晓明
  • 40篇王浩敏
  • 24篇张学富
  • 22篇江绵恒
  • 21篇沈鸿烈
  • 20篇卢光远
  • 19篇谢红
  • 14篇陈吉
  • 12篇孙秋娟
  • 8篇张超
  • 6篇黄海宾
  • 6篇丁古巧
  • 6篇李蕾
  • 6篇杨超
  • 6篇张磊
  • 5篇邓联文
  • 5篇贺立
  • 5篇刘斌
  • 4篇岳之浩

传媒

  • 6篇人工晶体学报
  • 5篇真空科学与技...
  • 2篇科学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇科技纵览

年份

  • 1篇2024
  • 6篇2022
  • 4篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 10篇2017
  • 8篇2016
  • 10篇2015
  • 8篇2014
  • 9篇2013
  • 6篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
共 79 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种石墨烯晶畴的制备方法
本发明提供一种石墨烯晶畴的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一镍片和一抛光的铜箔，将所述铜箔置于保护气体中退火；以含镍化合物和硼酸为溶质配置镍电镀溶液；将镍片和退火后的铜箔放入盛有镍电镀溶液的电解槽中通电，使铜箔被电镀后...
卢光远吴天如杨超张学富
文献传递
一种石墨烯-相变材料结构、存储器单元及其制备方法
本发明涉及半导体器件领域，本发明公开了一种石墨烯‑相变材料结构，其包括相变材料层和石墨烯层，该石墨烯层设于该相变材料层的顶部或者底部。本发明提供的相变材料结构具有不易扩散和热稳定性好的特点。
宋志棠宋文雄赵进吴天如
文献传递
“黑金”与“白石墨”的联姻
2017年
“黑金”石墨烯与“白石墨”六方氮化硼能够互取所长，碰撞出新的火花，为石墨烯微电子应用基础研究领域带来新的可能。
王浩敏吴天如贺立张学富卢光远陈令修
关键词：石墨六方氮化硼电子应用碰撞
一种石墨烯的制备方法
本发明涉及一种石墨烯的制备方法，包括以下步骤：在催化剂存在下，六卤代苯在有机溶剂中发生反应，形成石墨烯的悬浮溶液；经过滤、洗涤和干燥除去悬浮溶液中的溶剂和未反应的六卤代苯，得到石墨烯和催化剂的混合物；混合物经酸洗后再过滤...
李修兵吴天如孙静丁古巧谢晓明江绵恒
文献传递
用于电子器件的石墨烯薄膜化学气相沉积制备
石墨烯要在电子学领域发挥重要作用还需要克服多项技术挑战，包括晶元级石墨烯薄膜制备和带隙调控等.本报告将介绍中科院上海微系统所在石墨烯晶元以及大晶畴AB堆垛双层石墨烯薄膜方面的研究进展.通过向具有适中碳固溶度的Cu85Ni...
吴天如王浩敏狄增峰谢晓明
热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究被引量：6
2010年
采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析。结果表明:在衬底温度200℃时,Si(111)单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0cm-1;X射线半峰宽(FWHM)为5.04cm-1。结晶质量非常接近于体单晶的(111)取向的本征Si薄膜;在衬底温度为300℃时,在Si(100)单晶衬底上异质外延,得到了Raman峰位置为300.3cm-1的Ge薄膜,Ge薄膜的晶体取向为Ge(220)。研究表明热丝CVD是一种很好的低温外延薄膜的方法。
黄海宾沈鸿烈唐正霞吴天如张磊
晶圆级石墨烯单晶形核控制与快速生长机理研究
本文作者对石墨烯单晶的快速可控制备提出了独创性的研究思路和制备方案。通过向具有一定溶碳能力的Cu85Ni15合金表面局域提供碳源，产生局部碳浓度过饱和，成功解决了石墨烯单个核心控制形核这一技术难题。研究发现，Cu85Ni...
吴天如张学富袁清红卢光远谢晓明江绵恒
关键词：石墨烯单晶生长性能表征
石墨烯器件的制作方法
本发明提供一种石墨烯器件的制作方法，所述石墨烯器件的制作方法至少包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上形成PVA层；在所述PVA层上形成PMMA层；在所述PMMA层上形成石墨烯器件；将所述第一衬底、所述PVA层、所述PMM...
王浩敏谢红孙秋娟王慧山吴天如谢晓明江绵恒
文献传递
一种PIN硅基薄膜太阳能电池及其制备方法
本发明属于太阳能电池器件技术领域，涉及PIN结硅基薄膜太阳能电池及其制备工艺。具体而言，对硅基薄膜太阳能电池的核心-PIN结的P-层，I-层，N-层均采用热丝化学气相沉积的方法制备，并且用热丝化学气相沉积的方法在P-层和...
沈鸿烈黄海宾吴天如鲁林峰
文献传递
多晶硅—碳化硅叠层薄膜太阳能电池
本发明公开一种多晶硅－碳化硅叠层薄膜太阳能电池，属太阳能电池技术领域。该太阳能电池由玻璃衬底或者不锈钢衬底，在该衬底上通过磁控溅射沉积的透明导电氧化物层以及通过热丝化学气相沉积方法制备的二个叠接的薄膜子太阳能电池构成，其...
沈鸿烈黄海宾吴天如鲁林峰
文献传递
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