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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇电致发光
  • 5篇发光
  • 3篇咔唑
  • 3篇光材料
  • 3篇光谱
  • 3篇发光材料
  • 3篇芳基
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电致发光材料
  • 2篇电致发光器件
  • 2篇衍生物
  • 2篇色纯
  • 2篇色纯度
  • 2篇平板显示
  • 2篇紫外
  • 2篇紫外吸收
  • 2篇紫外吸收光谱
  • 2篇咔唑衍生物
  • 2篇吸收光谱
  • 2篇稀土

机构

  • 6篇深圳大学

作者

  • 6篇唐伟群
  • 3篇王质武
  • 3篇杨清斗
  • 3篇刘文
  • 3篇卫静婷
  • 2篇刘亚伟
  • 2篇曾鹏举
  • 2篇牛憨笨
  • 2篇向海峰
  • 2篇牛芳芳
  • 2篇张勇
  • 2篇张浩希
  • 1篇刘毅

传媒

  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2008
  • 4篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
氮化铝薄膜的光学性质(英文)被引量:7
2007年
采用直流磁控溅射法在石英衬底上制备了氮化铝(AlN)薄膜。用 X 射线衍射仪分析了薄膜结构。利用椭圆偏振仪和紫外/可见/近红外分光光度计对 AlN 薄膜进行了相关光学性能的研究,获得到了薄膜的折射率随波长的色散关系曲线。在波长为 250~1 000 nm,薄膜的折射率为 1.87~2.20。结合透射光谱图,分析了 AlN 薄膜的光学性质。结果表明:利用磁控溅射方法可以获得(100)择优取向 AlN 薄膜;AlN 薄膜在 200~300 nm 远紫外光范围内具有强烈的吸收,在 300~1000 nm 波长范围内具有良好的透过率。透射光谱图计算得到的薄膜厚度(427 nm)与椭圆偏振拟合得到的薄膜厚度(425 nm)一致。
刘文王质武杨清斗刘毅卫静婷唐伟群
关键词:氮化铝折射率透射光谱
一类基于1,3,6,8-四芳基-9-烷基取代咔唑衍生物及在发光二极管中的应用
本发明公开了一种含9-烷基-1,3,6,8-四芳基取代咔唑衍生物的近紫外至深蓝色电致发光材料及其制备方法。用元素分析、核磁共振谱和质谱表征了该类化合物的结构,用紫外吸收光谱和荧光光谱研究该类化合物的光物理性质;并研究了该...
曾鹏举唐伟群牛芳芳刘亚伟向海峰牛憨笨
文献传递
稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用
介绍了稀土掺杂氮化镓(GaN:RE)的发光机理及其掺杂的方法(热扩散、离子注入和原位掺杂),对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评.综述了近年来国内外稀土掺杂 GaN 的研究进展及其相关电致发光器件在平板显示领域的应用...
王质武刘文张勇杨清斗卫静婷唐伟群张浩希
关键词:稀土氮化镓电致发光平板显示
文献传递
稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用
2007年
介绍了稀土掺杂氮化镓(GaN:RE)的发光机理及其掺杂的方法(热扩散、离子注入和原位掺杂),对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评,综述了近年来国内外稀土掺杂GaN的研究进展及其相关电致发光器件在平板显示领域的应用。
王质武刘文张勇杨清斗卫静婷唐伟群张浩希
关键词:稀土氮化镓电致发光平板显示
9-烷基-1,3,6,8-四芳基咔唑的合成研究
咔唑衍生物作为一类重要的有机半导体材料已经广泛用于有机电致发光的器件中。本文设计合成一系列新的以咔唑为发光中心化合物9-烷基-1,3,6,8-四芳基咔唑,通过引入不同的有机功能基团来证明该合成方法的有效性,并且调节有机发...
唐伟群
关键词:有机电致发光有机发光材料咔唑SUZUKI反应半导体材料
文献传递
一类基于1,3,6,8-四芳基-9-烷基取代咔唑衍生物及在发光二极管中的应用
本发明公开了一种含9-烷基-1,3,6,8-四芳基取代咔唑衍生物的近紫外至深蓝色电致发光材料及其制备方法。用元素分析、核磁共振谱和质谱表征了该类化合物的结构,用紫外吸收光谱和荧光光谱研究该类化合物的光物理性质;并研究了该...
曾鹏举唐伟群牛芳芳刘亚伟向海峰牛憨笨
文献传递
共1页<1>
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