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唐光盛

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇存储器
  • 3篇低电阻
  • 3篇电阻
  • 3篇氧化锌薄膜
  • 3篇兼容性
  • 3篇非易失性
  • 3篇非易失性存储
  • 3篇非易失性存储...
  • 2篇制备金属
  • 2篇室温铁磁性
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁性
  • 2篇偏振
  • 2篇偏振器
  • 2篇铌酸锂
  • 2篇离子
  • 2篇离子注入
  • 2篇纳米
  • 2篇金属
  • 2篇金属光栅

机构

  • 12篇清华大学

作者

  • 12篇曾飞
  • 12篇唐光盛
  • 11篇潘峰
  • 5篇陈超
  • 4篇刘宏燕
  • 4篇罗景庭
  • 2篇盛蓬
  • 2篇宋成
  • 1篇陈光
  • 1篇杨玉超
  • 1篇王之顺
  • 1篇高双
  • 1篇潘峰

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2018
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 5篇2011
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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离子束轰击诱导硅表面自组装纳米结构的形成和模拟
离子束轰击诱导固体表面自组装纳米结构是一种自下而上高效制备功能纳米器件的方法,近年来成为研究热点。在离子束垂直或倾斜入射条件下,固体表面常分别自组装出典型的纳米点阵或纳米条纹结构,取决于离子束诱导的表面粗化和表面扩散引起...
唐光盛刘宏燕曾飞潘峰
文献传递
离子束轰击诱导硅表面纳米结构和铁纳米条纹
2012年
研究了氩离子束轰击诱导硅表面自组装纳米结构和铁纳米条纹的形成规律。在单晶Si(100)表面水平放置直径为2mm的铁棒,采用3 keV氩离子束垂直轰击硅样品表面。扫描电镜观察表明:在金属铁棒周围由近及远,硅表面形成纳米条纹和纳米点阵,纳米条纹向纳米点阵的过渡形貌为链状纳米椭圆结构;并在铁棒区域自组装出金属铁纳米条纹。通过阻尼Kuramoto-Sivashinsky方程对离子束作用下固体表面纳米结构的形成机理进行了合理的诠释与讨论。
唐光盛刘宏燕曾飞潘峰
关键词：表面形貌
一种具有自整流效应的阻变存储器
本发明公开了一种阻变存储器。所述阻变存储器由底电极、沉积于所述底电极上的阻变层和沉积于所述阻变层上的上电极组成；所述底电极为条状的p型硅电极；所述阻变层为n型氧化锌薄膜；所述上电极为条状的铝电极或钛电极；所述底电极和所述...
潘峰陈超曾飞罗景庭唐光盛
文献传递
一种具有室温铁磁性的铌酸锂薄膜及其制备方法
本发明公开了一种具有室温铁磁性的铌酸锂薄膜及其制备方法。所述铌酸锂薄膜中掺杂Co、Mn、V、Cr和Fe中至少一种元素。本发明提供的铌酸锂薄膜的制备方法，包括如下步骤：采用离子注入法向铌酸锂基底中注入Co、Mn、V、Cr和...
曾飞盛蓬潘峰唐光盛
一种基于SOI材料的具有自整流效应的阻变存储器
本发明公开了一种基于SOI材料的具有自整流效应的阻变存储器。所述阻变存储器由SOI基片、沉积于所述SOI基片上的底电极、沉积于所述底电极上的阻变层和沉积于所述阻变层上的上电极组成；所述底电极为条状的p型硅电极；所述阻变层...
潘峰陈超曾飞罗景庭唐光盛
文献传递
一种基于SOI材料的具有自整流效应的阻变存储器
本发明公开了一种基于SOI材料的具有自整流效应的阻变存储器。所述阻变存储器由SOI基片、沉积于所述SOI基片上的底电极、沉积于所述底电极上的阻变层和沉积于所述阻变层上的上电极组成；所述底电极为条状的p型硅电极；所述阻变层...
潘峰陈超曾飞罗景庭唐光盛
一种具有大压电常数的AlN薄膜
本发明公开了一种具有大压电常数的AlN薄膜。所述薄膜由V和AlN组成；其中，V的原子百分数为0-11.4％，但不为0，Al的原子百分数为38.6％-50％，余量为N。本发明提供的AlN薄膜中掺V，引起晶格畸变，c常数变小...
潘峰刘宏燕曾飞罗景庭唐光盛
文献传递
阻变存储材料与器件若干基础问题研究
潘峰曾飞宋成杨玉超高双陈超李思钊王之顺陈光唐光盛
成果属于新材料、微电子、物理交叉领域。 阻变存储器兼具信息处理和存储的功能，具有非易失性、高速度、高密度、低功耗等特点，已成为下一代存储器的有力竞争者。诠释阻变激活区电操作过程、精确调控器件性能是自上世纪六十年代以来科学...
关键词：
关键词：生长动力学电磁性能
一种具有室温铁磁性的铌酸锂薄膜及其制备方法
本发明公开了一种具有室温铁磁性的铌酸锂薄膜及其制备方法。所述铌酸锂薄膜中掺杂Co、Mn、V、Cr和Fe中至少一种元素。本发明提供的铌酸锂薄膜的制备方法，包括如下步骤：采用离子注入法向铌酸锂基底中注入Co、Mn、V、Cr和...
曾飞盛蓬潘峰唐光盛
文献传递
一种制备金属纳米条纹的方法
本发明公开了一种制备金属微纳米条纹的方法。该方法包括如下步骤：将靶材的靶面以平行于衬底表面呈θ角的角度放置后，以惰性气体为工作气体，用离子束枪垂直轰击衬底表面，所述离子束枪发出的离子束以与所述靶材表面法线呈θ角度轰击所述...
潘峰唐光盛曾飞
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