多新中
- 作品数：23 被引量：46H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术发展基金上海市青年科技启明星计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法
- 本发明属于微电子学与固体电子学中新材料的制造工艺，具体地说是一种以AIN为绝缘埋层的绝缘体上的硅即SOI材料制备方法，系利用离子束合成或AI膜氮化的方法制备具有良好导热性能的AIN绝缘薄膜，并与、氢氦离子注入、硅片键合和...
- 林成鲁张苗王连卫黄继颇多新中
- 文献传递
- 硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响被引量：1
- 2000年
- 用Ｘ射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线，分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散射沟道分析进行了比较。结果表明，在４００℃左右，氢注入形成的氢复合体分解；形成氢分子，氢分子在晶格中聚集，生成氢气，在高温下膨胀，引起晶格形变，并产生缺陷；当退火温度达到５００℃以后，氢气的膨胀已超过晶体的屈服强度，产生了大量的缺陷、位错，同时在硅晶体内形成气泡，并在硅晶体表面造成砂眼、剥离等现象。
- 多新中刘卫丽张苗高剑侠符晓荣林成鲁
- 关键词：硅热退火应力晶体结构
- 硅中H～+，He～+离子注入引起的物理效应与SOI高加速度传感器的研制
- SOI技术随着低压、低功耗电路的发展也得到了非常大的发展，并被誉为
“21世纪的硅集成电路技术”。本论文的主要研究工作集中在三个方面：第一，
在Smart-Cut SOI材料的制备...
- 多新中
- 关键词：硅集成电路SOI技术离子注入物理效应加速度传感器
- 文献传递
- 以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法
- 林成鲁张苗王连卫黄继颇多新中
- 本发明属于微电子学与固体电子学中半导体材料的制造工艺，进一步说是一种以AlN为绝缘埋层的新型SOI材料制备方法。绝缘体上的硅即SOI（SilicononInsulator）电路具有高速、低功耗、抗辐射等优点，在航空航天、...
- 关键词：
- 关键词：绝缘体上硅氮化铝
- SOI高温电路——突破硅集成电路的高温应用限制被引量：1
- 1998年
- 常规的体硅基础电路通常只能工作在２００℃以下，ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎ－ｓｕｌａｔｏｒ）电路的突出特点之一是可以工作在高温环境。简述了市场对高温电路的需求，并分析了ＳＯＩ电路在高温下的电学特性，讨论了为将ＳＯＩ高温电路商业化，应当解决的一些技术问题。
- 多新中张苗高剑侠王连卫林成鲁
- 关键词：硅集成电路
- 以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法
- 本发明属于微电子学与固体电子学中新材料的制造工艺，具体地说是一种以AlN为绝缘埋层的绝缘体上的硅即SOl材料制备方法，系利用离子束合成或Al膜氮化的方法制备具有良好导热性能的AlN绝缘薄膜，并与、氢氦离子注入、硅片键合和...
- 林成鲁张苗王连卫黄继颇多新中
- 文献传递
- 多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究被引量：4
- 2001年
- 用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了SOI材料,卢瑟福背散射/沟道谱(RBS/C)和扩展电阻(SPR)的结果表明获得的SOI材料上层硅具有很好的单晶质量,电阻率分布均匀,上层硅与氧化硅埋层界面陡直。对制备多孔硅的衬底材料也作了研究,结果表明P型重掺杂的硅衬底在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能,用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单晶硅,并且,在一定浓度的HF/H2O2溶液中具有较高的腐蚀选择率,保证了上层硅厚度的均匀性。
- 刘卫丽多新中张苗沈勤我王连卫林成鲁
- 关键词：多孔硅SOI材料
- 多孔硅在HFH2O2溶液中的腐蚀行为及外延层转移制备SOI的研究
- 对多孔硅在HF/H<,2>O<,2>溶液的腐蚀行为进行了研究,与通常硅的腐蚀行为不同,多孔硅以孔内腐蚀为主,最后硅柱一起坍塌,多孔硅相对于硅有很高的腐蚀选择率.用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了SOI材料,卢瑟福背散...
- 刘卫丽多新中张苗沈勤我王连卫林成鲁
- 关键词：多孔硅SOI材料
- 文献传递
- SOI高温器件及其在汽车电子等领域中的应用被引量：3
- 1999年
- 石油钻井、航空航天、汽车等工业领域急需能在高温下工作的器件和电路．ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技术在高温器件和电路方面有着广泛的应用前景．
- 刘彦松多新中黄继颇张苗王连卫林成鲁
- 关键词：SOI
- 十二位SOI/CMOS数模转换器的研制
- 2002年
- 介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺。电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3—7温度编码电路,降低了对R—2R电阻网络的精度要求,提高了转换精度。
- 范秀强张正番刘永光多新中张苗王连卫林成鲁
- 关键词：数模转换器模拟开关
