孙世龙
- 作品数：15 被引量：8H指数：2
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
- 高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响被引量：3
- 2005年
- 对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA),将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热处理,对退火前后FPDs的密度变化进行了研究,分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热稳定性.并从重掺杂原子锑与间隙氧之间的关系,分析了重掺锑硅片中FPDs在高温快速退火工艺下的消除机制,认为重掺锑硅单晶中大量的锑原子,影响了硅片中间隙氧的浓度分布,进而影响了原生微缺陷的形成及热行为.
- 郝秋艳刘彩池孙卫忠张建强孙世龙赵丽伟张建峰周旗钢王敬
- 关键词：硅单晶微缺陷掺锑
- 快速热处理对重掺杂硅片中氧沉淀的影响
- 在氮气和氩气气氛下,对重掺杂硅片进行快速热处理,研究了快速热处理温度、降温速度和保温时间对重掺杂硅片中氧沉淀的影响。 高温快速热处理取代常规内吸杂工艺中的第一步高温退火,可在硅片中形成理想密度的...
- 孙世龙
- 关键词：氧沉淀
- 文献传递
- 快速热处理对重掺硼硅片中氧沉淀行为的影响
- 对重掺硼硅片快速热处理,发现快速热处理有效地促进了氧沉淀的生成,并获得一定的清洁区。随着快速热处理温度的升高,氧沉淀的密度在减小,清洁区逐渐出现。较低的温度下,对重掺硼进行快速热处理,主要是硼促进氧沉淀的形成,快速升温激...
- 孙世龙刘彩池赵丽伟滕晓云
- 关键词：氧沉淀
- 文献传递
- 快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响
- 2006年
- 对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.
- 孙世龙刘彩池郝秋艳滕晓云赵丽伟赵彦桥王立建石义情
- 关键词：氧沉淀
- Si基外延GaN中位错的分布
- 本文研究了在硅衬底上生长的GaN中位错的分布与传播。利用湿法腐蚀有效地显示了CaN中的位错,表面的六角腐蚀坑即为位错露头。在KOH溶液中腐蚀,腐蚀时间越长,蚀坑密度越高,表明外延生长过程中位错密度逐渐降低,它是由于GaN...
- 赵丽伟刘彩池滕晓云郝秋艳孙世龙徐岳生
- 关键词：GAN位错SEM
- 文献传递
- 快速热处理在直拉硅内吸杂技术中的应用
- 2006年
- 硅片直径的不断增大，特征线宽的不断减小，吸除器件有源区域内的金属杂质至关重要。传统的内吸杂已经不能完全满足器件工艺的要求，因此快速热处理技术被引入到直拉硅片的内吸杂工艺中。快速热处理可以使空住在硅中按深度分布，在后续的热处理中促进氧沉淀的形成，从而得到理想的清洁区和氧沉淀密度。探索快速热处理的条件以达到良好的内吸杂效果，具有重要的实用意义。
- 孙世龙赵丽伟赵彦桥石义情郝秋艳刘彩池
- 关键词：直拉硅氧沉淀
- S i基外延G aN中缺陷的腐蚀研究被引量：4
- 2005年
- 本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高.
- 赵丽伟刘彩池滕晓云朱军山郝秋艳孙世龙王海云徐岳生胡家辉冯玉春郭宝平
- 关键词：GAN湿法腐蚀SEM
- 大直径直拉硅单晶中微缺陷及其与氧碳杂质相互作用的研究
- 刘彩池郝秋艳孙卫忠刘淑英张雯王海云滕晓云乔治任丙彦张建峰孙世龙
- 该项目通过化学腐蚀、光学显微镜、激光颗粒计数仪等实验手段，系统研究了大直径直拉硅单晶中的原生缺陷－流动图形缺陷的宏观分布，微观结构，与杂质缺陷相互作用等，首次研究了FPDs在Secco腐蚀液中的演变规律，并提出一种新的模...
- 关键词：
- 关键词：大直径硅单晶微缺陷
- 快速热处理对重掺锑硅片中氧沉淀的影响
- 对重掺锑硅片进行不同条件的快速热处理,发现快速热处理有效地增强了间隙氧的沉淀。氧沉淀的密度随着热处理温度的提高而增大,随着降温速度的增加而增大。清洁区的宽度随着高温保持时间的延长而增大,随着降温速度的增大而减小。
- 孙世龙郝秋艳滕晓云王海云孙海知刘彩池
- 关键词：氧沉淀
- 文献传递
- 大直径重掺硅单晶中微缺陷的控制机理研究
- 郝秋艳陈翠欣孙艳霞张雯关昕王丽华刘彩池张建强孙世龙
- 该项目揭示了FPDs的空洞型微观结构，提出物理模型合理地解释了FPDs在Secco腐蚀液中的演变过程。硅中掺入较大的杂质原子增加原生硅片中空洞型微缺陷的密度，而掺入较小的杂质原子则降低空洞型微缺陷的密度。高温快速退火时间...
- 关键词：
- 关键词：集成电路
