孙彦铮
- 作品数：25 被引量：51H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程航空宇航科学技术一般工业技术建筑科学更多>>
- 半刚性太阳电池板电路研究
- 邹庆云徐寿岩谈宝宁孙彦铮金海雯吕伟程保义赵颖
- 主要内容：半刚性太阳电池板电路研究先后攻克了太阳电池阵设计，大面积电池的小批量生产，大面积电池两面贴玻璃盖片，新型互联器材料选择与制作，电池组件制作，组件与网状基板固定等技术关键及工艺难点。完成的半刚性硅太阳电池板电性能...
- 关键词：
- 关键词：太阳能电池方阵硅太阳能电池
- 一种晶格渐变缓冲层的制备方法
- 本发明涉及一种晶格渐变缓冲层的制备方法，步骤(1)：以商用锗单晶、砷化镓单晶或磷化铟单晶为衬底；步骤(2)：利用外延技术外延一层与衬底材料晶格匹配的材料作为成核层；步骤(3)：在成核层外延生长晶格渐变层，该晶格渐变层由若...
- 刘如彬王帅孙强孙彦铮
- Ⅲ-Ⅴ高效三结电池聚光光伏应用进展被引量：3
- 2008年
- 介绍了基于Ⅲ-Ⅴ高效电池技术聚光光伏技术的最新进展,探讨了相关的主要技术、原材料以及价格等问题。就不同的聚光设计列举了应用实例,展望了聚光光伏应用前景。
- 孙强孙彦铮
- 关键词：聚光光伏
- 100keV质子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池光电效应的影响被引量：5
- 2009年
- 利用空间环境模拟设备,用固定能量为100keV、注量为1×109—3×1012cm-2的质子,对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行了辐照试验.利用伏安(I-V)特性、光谱响应和光致发光(PL)光谱测试,研究分析了电池的光电效应.试验表明,电池的各种电性能参数如短路电流(Isc)、开路电压(Voc)、最大输出功率(Pm)和填充因子(FF)都因质子辐照注量的增加,出现不同程度的衰降.在质子能量相同条件下,电池电性能衰降均随照射注量增大而增大.质子辐照对材料的光电性能具有破坏性的影响.这种破坏性是由于质子辐照引入的大量缺陷,使晶格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加所致.
- 赵慧杰何世禹孙彦铮孙强肖志斌吕伟黄才勇肖景东吴宜勇
- 关键词：GAAS/GE太阳电池质子辐照光电效应
- GaAs和Si高压太阳阵ESD评价试验及防护技术研究
- 由于航天器充电引起静电放电导致高压、大功率太阳阵永久性损坏的事件在国外已进行了多次报道,并在实验室中得到证明.本文针对GaAs和Si高压太阳阵进行ESD地面评价试验,并对其静电放电特性进行了简要分析.通过试验结果提出了高...
- 李凯 王立 秦晓刚 柳青 买胜利 崔新宇孙彦铮苏彬
- 关键词：静电放电防护技术
- 文献传递网络资源链接
- 过渡镀层SiOx对真空蒸镀复合膜Ag/HDPE性能的影响
- 利用真空镀膜机先在高密度聚乙烯(HDPE)基材上真空蒸镀上一层SiO薄膜,然后在其上蒸镀上抗菌剂-金属银,从而制备得到具有复合镀层的HDPE基抗菌复合膜(Ag/HDPE),并考察了过渡镀层SiO对Ag/HDPE复合膜的力...
- 李亚娜孙彦铮张岩松贺庆辉
- 关键词：SIOX真空蒸镀抗菌性AG
- 文献传递
- 一种晶格渐变缓冲层的制备方法
- 本发明涉及一种晶格渐变缓冲层的制备方法，步骤(1)：以商用锗单晶、砷化镓单晶或磷化铟单晶为衬底；步骤(2)：利用外延技术外延一层与衬底材料晶格匹配的材料作为成核层；步骤(3)：在成核层外延生长晶格渐变层，该晶格渐变层由若...
- 刘如彬王帅孙强孙彦铮
- 文献传递
- 东四用GaAs/Ge单体电池
- 杜福生徐寿岩陈文浚孙强汤雁肖志斌刘春明戴忠涛孙彦铮许军曹全君郭印池郭爱萍李春燕王保民乔在祥刘海港孙鹏刘汉英章健李昌进马荣凯阎以蔚杨智敏陈新孙征曾慧珠
- 该项目以锗单晶代替砷化镓单晶作为外延用的衬底，采用先进的金属有机化学气相外延（MOVPE）技术生长砷化镓单晶薄膜，并采用其他相应的半导体工艺技术制备欧姆接触和光学减反射膜，制成锗衬底砷化镓太阳电池，即GaAs/Ge太阳电...
- 关键词：
- 关键词：太阳电池
- 应用于太阳电池的InGaAs渐变缓冲层生长技术研究被引量：2
- 2010年
- 采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)进行了最终组分为In0.17Ga0.83As的渐变缓冲层结构的生长实验,获得了可以应用于晶格失配太阳电池性能优良的渐变缓冲层材料,并采用透射电镜(TEM)和X射线双晶衍射(XRD)进行了结构的相关性质研究。TEM截面图像表明,穿透位错被很好地限制在渐变层的初始阶段,渐变层成功阻止了穿透位错向结构表层的传播;同时,在TEM的平面模式中,表面几乎观察不到穿透位错的存在,表明其表面穿透位错密度小于107 cm-2量级。XRD的倒空间衍射(RSM)测试表明,缓冲层和其上的有源层接近完全弛豫,弛豫度分别为93%和96%,有源层存在微弱的压应变,表面残留应变小于0.04%。后续采用渐变缓冲层的晶格失配太阳电池器件正在制作中。
- 刘如彬王帅孙强孙彦铮
- 关键词：晶格失配太阳电池TEMRSM
- 50-170keV质子照射对GaAs／Ge太阳能电池光谱响应的影响被引量：3
- 2008年
- 用固定能量(100 keV)不同注量(1×10^(11)-3×10^(12)cm^(-2))或固定注量(3×10^(12)cm^(-2))不同能量(50-170 keV)的质子,照射GaAs/Ge太阳电池,获得材料的光谱响应特性随质子能量和注量的变化关系。结果表明,质子辐照对材料的光学性能有破坏性的影响。这种破坏性源于质子辐照引入的大量缺陷,使品格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加。在质子能量相同的条件下,电池光学性能衰降随照射注量增大;在注量相同的条件下,辐射能量越高,太阳电池光学性能衰降越大。
- 赵慧杰何世禹肖志彬孙彦铮肖景东张益君
