孙远光
- 作品数：11 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国海洋大学更多>>
- 发文基金：山东省优秀中青年科学家科研奖励基金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 一种铜离子掺杂的硫化锌纳米材料的表面修饰方法
- 一种铜离子掺杂的硫化锌纳米材料的表面修饰方法，其特征在于称取铜离子掺杂的硫化锌纳米粒子样品，加入去离子水中，超声分散，调节pH值，在搅拌下滴加硅酸乙酯，滴加完成后，继续搅拌；由硅酸乙酯水解生成的二氧化硅以铜离子掺杂的硫化...
- 曹立新孙远光苏革柳伟
- 文献传递
- 核/壳结构ZnS∶Mn/CdS纳米粒子的制备及发光被引量：6
- 2009年
- 利用溶剂热法制备了Mn离子掺杂的ZnS纳米粒子(ZnS∶Mn),利用沉淀法对ZnS∶Mn纳米粒子进行了不同厚度的CdS无机壳层包覆。采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)及光致发光(PL)光谱等手段对样品进行了表征。TEM显示粒子为球形,直径大约在14～18nm之间。由XRD结果可以看出CdS壳层的形成过程受到了ZnS∶Mn核的影响,导致其结晶较差。XRD和XPS测量证明了ZnS∶Mn/CdS的核壳结构。随着CdS壳层的增厚,样品的发光强度呈现一直减弱的现象。
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- 关键词：光致发光
- 制备工艺对ZnS：Ag纳米颗粒发光性质的影响被引量：1
- 2007年
- 采用水热法制得ZnS：Ag纳米颗粒，并研究了制备工艺细节对产品发光性质的影响。在一定的工艺条件下，可以得到与体材料相近的中心位于445nm左右的发光，归属于硫空位相关的电子陷阱施主扣银相关的空穴陷阱受主的复合；改变反应物的加入顺序，或采用鼓风迅速冷却时，则在表面作用影响下，只能得到峰值位于490nm左右的较弱发光，归于硫空位相关的表面缺陷发光。
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- 关键词：水热法发光
- ZnS:Cu纳米颗粒的制备及发光性质被引量：4
- 2009年
- 采用水热法制备了Cu离子掺杂的ZnS（ZnS：Cu）纳米颗粒，研究了锌硫比和反应时间对ZnS：Cu纳米颗粒光致发光性质的影响。通过X射线衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）对样品的物相和形貌进行分析表征，发现该方法得到立方闪锌矿结构的球形ZnS：Cu纳米晶，粒径在1～6nm之间。室温下，用350nm波长的紫外光激发ZnS：Cu纳米粒子，可以得到归属于浅施主能级与铜t2能级之间的跃迁产生的绿色发光，发光强度随锌硫比的增大和反应时间的延长先增强后减弱，发射峰位随锌硫比和反应时间的变化有一定移动。认为浅施主能级为与硫空位有关的能级，锌硫比和反应时间对硫空位的数量和能级位置有一定影响。
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- 关键词：水热法光致发光
- ZnS∶Ag纳米发光材料的制备及光谱性质被引量：10
- 2009年
- 以简单的化学试剂和实验过程,采用水热法制备出ZnS∶Ag纳米发光材料。X射线衍射结果表明,产品均为结晶良好的ZnS立方闪锌矿结构。通过谢乐公式估算的结果表明,颗粒尺寸随反应温度的升高而呈非线性增长。透射电镜结果表明,产品基本为近球形,大小与估算结果吻合。通过发射光谱和激发光谱对产品的光学性质进行研究,发射峰位于450 nm左右,归属于硫空位相关的电子陷阱施主和银相关的空穴陷阱受主的复合;激发峰位于333 nm左右,归属于ZnS基质的带边吸收。反应温度和时间对产品的发光强度影响较大。固定反应时间为6 h,随着反应温度的提高,产品的发光强度呈现增强-减弱-增强的趋势;固定反应温度为200℃,随着反应时间的延长,产品的发光强度先增强后减弱。在200℃反应6 h时产品具有很好的发光强度。
- 曲华曹立新苏革柳伟姜代旬董博华孙远光
- 关键词：水热法发光
- 一种铜离子掺杂的硫化锌纳米材料的表面修饰方法
- 一种铜离子掺杂的硫化锌纳米材料的表面修饰方法，其特征在于称取铜离子掺杂的硫化锌纳米粒子样品，加入去离子水中，超声分散，调节pH值，在搅拌下滴加硅酸乙酯，滴加完成后，继续搅拌；由硅酸乙酯水解生成的二氧化硅以铜离子掺杂的硫化...
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- 文献传递
- 一种铜离子掺杂的硫化锌纳米材料的表面改性方法
- 一种铜离子掺杂的硫化锌纳米材料的表面改性方法，其特征在于首先称取铜离子掺杂的硫化锌纳米粒子样品，加入去离子水中，超声分散，然后在搅拌下滴加醋酸锌溶液和氢氧化钠溶液，滴加完成后，继续搅拌；溶液中的Zn<Sup>2+</Su...
- 曹立新孙远光柳伟苏革
- 文献传递
- CdS:Mn纳米棒的溶剂热合成与发光性质
- 2010年
- 近年来,一维纳米材料已成为广泛的研究热点.其中,Ⅱ-Ⅵ族掺杂半导体发光材料是一个重要的研究方向.研究者已通过不同的方法合成ZnS或CdS基掺杂纳米发光材料,以期得到基质与发光中心之间有效的能量传递,以及控制基质本身的缺陷发光.溶剂热便是其中一种较新的合成方法,通过它可以在相对温和的反应条件下得到均一的、结晶度较高的产品,在硫化物纳米发光材料的合成方面具有一定的优势.本文以乙二胺为溶剂,采用溶剂热方法制备出CdS︰Mn纳米棒,并系统研究了反应温度、硫镉比和反应时间对CdS︰Mn纳米晶的结晶度和发光性质的影响.(1)反应温度的影响.当[Cd(CH3COO)2]=0.0278mol·L-1,[TAA](硫代乙酰胺)=0.0556mol·L-1,[Mn(CH3COO)2]=0.000278mol·L-1时,分别在130,190,220,230,250℃恒温反应10h.随着反应温度的升高,CdS︰Mn纳米晶的结晶度逐渐提高.因为Mn2+掺杂进入CdS晶格,CdS纳米棒沿[001]晶向的生长优势逐步减弱并最终消失.在130～220℃之间,样品的发光强度变化不大.在220℃以上,样品的发光强度随反应温度的升高而迅速降低.(2)硫镉比的影响.当[Cd(CH3COO)2]=0.0278mol·L-1,[Mn(CH3COO)2]=0.000278mol·L-1时,改变TAA的浓度,分别采用0.5︰1,1︰1,1.5︰1,2︰1的硫镉摩尔比,在130℃恒温反应10h.发现随着硫镉比的提高,CdS︰Mn纳米晶的结晶度逐渐提高.当反应物中硫过量时,晶格缺陷以及表面悬空键数量降低,产品的发光强度随硫镉比升高而逐步提高.(3)反应时间的影响.当[Cd(CH3COO)2]=0.0278mol·L-1,[TAA]=0.0556mol·L-1,[Mn(CH3COO)2]=0.000278mol·L-1时,分别在130℃恒温反应1.5,2.5,4,6,10h.当反应时间少于4h时,CdS︰Mn纳米晶的结晶度迅速提高;而在4～10h之间,产品的结晶度变化不大.TEM图像显示了CdS︰Mn纳米棒的形成过程,只有当反应时间达到4h以上时,才能得到棒状产品.随着反应时间的延长,产品的发光强度先急剧降低,而后略微�
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- 关键词：纳米棒发光
- 核//壳结构ZnS:Cu纳米粒子的制备及发光性质的研究
- ZnS是一种性能优越的Ⅱ-Ⅵ族发光材料,禁带宽度为3.66 eV。属于直接带隙半导体,在荧屏显示领域已有广泛应用。近年来,随着纳米材料研究的深入,国内外对ZnS纳米发光材料已进行了多方面的研究,当ZnS中掺入稀土离子或过...
- 孙远光
- 关键词：光致发光
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- 一种铜离子掺杂的硫化锌纳米材料的表面改性方法
- 一种铜离子掺杂的硫化锌纳米材料的表面改性方法，其特征在于首先称取铜离子掺杂的硫化锌纳米粒子样品，加入去离子水中，超声分散，然后在搅拌下滴加醋酸锌溶液和氢氧化钠溶液，滴加完成后，继续搅拌；溶液中的Zn2+与OH-以铜离子掺...
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