宋庆山
- 作品数：16 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国科学院计算技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程一般工业技术电子电信更多>>
- 自旋阀(Spin Valve—SV)读出头内CoZrTa屏蔽膜的退火处理
- 自旋阀读出头结构主要由自由层、非磁间隔层、被钉扎层和钉扎层构成。由于感应式写头/SV读出头是一个用集成工艺制作成的整体双元头,因此SV 磁头中还必须有屏蔽层。技术上要求被钉扎层的易轴垂直于下屏蔽层的易轴,而被钉扎层的易轴...
- 宋庆山方光旦
- 关键词：自旋阀屏蔽层预退火
- 文献传递
- 利用射频磁控溅射制作高性能铁磁性薄膜的研究被引量：1
- 1998年
- 讨论了用射频（ＲＦ）磁控溅射制作铁磁性薄膜工艺，合适的工艺参数能够获得较低的矫顽力Ｈｃ＝６Ｏｅ。用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）研究膜表面情况及氧化深度。
- 夏洋于广华朱逢吾肖纪美方光旦宋庆山熊鑫恩
- 关键词：巨磁电阻铁磁性射频磁控溅射
- 巨磁电阻自旋阀(GMR-SV)传感器用CoCrTa永磁体膜(PM)的初步研究
- 报道了巨磁电阻自旋阀传感器的CoCrTa永磁体(PM)膜制备工艺的初步研究结果,即基板负偏压、靶溅射功率密度、膜厚及溅射工作气体Ar分压等制备参数对Cr/CoCrTa膜矫顽力Hc的影响.
- 宋庆山方光旦尹林G.Pan
- 文献传递
- 超厚铁硅铝膜视频磁头的研制
- 方光旦宋庆山苏生润宫启顺王晋国
- 关键词：视频磁头
- 文献传递网络资源链接
- 无屏蔽磁电阻传感器的灵敏度
- 方光旦宋庆山熊鑫恩
- 关键词：灵敏度传感器
- 文献传递网络资源链接
- Fe-N软磁薄膜的结构和性能被引量：1
- 2002年
- 用RF溅射制备厚度为200nm的Fe-N薄膜在250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在5%~7%(原子百分数)范围内形成a′+a″相时,4πMs可达2.4T,Hc<80A/m,2~10MHz下高频相对导磁率μr=1500,可满足针对10Gb/in2存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要.Fe-N系薄膜中a′相的形成机理和点阵常数与块状试样按Bain机理形成的a′相有明显的差别,得到了薄膜中a′相的a,c与C_N^a′之间的线性关系式.
- 周剑平李丹顾有松赵春生常香荣李福燊乔利杰田中卓方光旦宋庆山
- 关键词：磁性薄膜软磁薄膜硬盘磁头材料
- 超厚铁硅铝膜视频磁头的研制
- 方光旦宋庆山苏生润宫启顺王晋国
- 关键词：视频磁头
- 真空溅射系统阴极靶的粘接方法
- 本发明涉及真空溅射系统阴极靶的粘结方法。其工艺由清洗、溅射镀膜、焊接等步骤组成。该方法摆脱了靶托、靶通常必须在真空、高温条件下，进行焊接的工艺环境。克服了传统靶托、靶材质必须匹配的缺陷，用廉价锡基低温焊锡代替贵金属焊接，...
- 方光旦宋庆山陈光熊鑫恩
- 文献传递
- 纳米晶软磁薄膜Fe-Ti-N的结构、磁学性能和热稳定性研究被引量：1
- 2003年
- 在高溅射功率900 W 下用RF磁控溅射方法制备了厚为630-780nm的Fe-Ti-N薄膜,结果表明:当膜成分(原了分数, ％.下同)在Fe-3.9Ti-8.8N和Fe-3.3Ti-13.5N范围内,薄膜由α’和Ti2N沉淀组成,磁化强度4πMs超过纯铁,最商可达2.38T:而矫顽力Hc下降为89 A/m.可以满足针对1.55 Gb/cm2高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要.N原子进入α-Fe使α’具有高饱和磁化强度;Ti的加入,阻止α’→α’+γ’的分解,稳定了强铁磁性相α’.是Fe-Ti-N具有高饱和磁化强度的原因.由于由晶粒度引起的对Hc的影响程度HcD与晶粒度D有以下关系:HcD∝D6,晶粒度控制非常重要.N原了进入α+Fe点阵的八面体间隙,引起极大的畸变,使晶粒碎化.提高溅射功率也使晶粒度下降.两者共同作用,能使晶粒度下降到约14nm,使Hc下降,晶界是择优沉淀地点,在α’晶界上沉淀Ti2N能起钉扎作用,阻止晶界迁移,使纳米晶α’不能长大。
- 李丹顾有松常香荣李福燊乔利杰田中卓方光旦宋庆山
- 关键词：磁学性能热稳定性磁场热处理
- 关于溅射条件对RF溅射Al_2O_3膜应力的影响的研究
- 1992年
- 本文简述了淀积于基片上的薄膜中的应力的计算理论的演变过程.评价了每种计算公式的优缺点.这些方法统称为"弯梁法".详细报导了溅射条件对溅射Al_2O_3膜应力的影响的实验结果.
- 宋庆山
- 关键词：溅射
