常春荣
- 作品数：5 被引量：17H指数：2
- 供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- Sb_2O_3掺杂对ZnO薄膜光吸收性能的影响被引量：2
- 2006年
- 采用RF磁控溅射技术制备了Sb2O3掺杂ZnO薄膜,通过X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见光(UV-Vis)分光光度计研究了Sb2O3对ZnO薄膜结构和光吸收性能的影响。结果表明:Sb2O3的掺杂影响了ZnO的原子和电子状态、晶粒的生长方式和光吸收性能。薄膜中Sb以多种形态存在:替位原子和化合物(Sb2O3、Zn7Sb2O14)等,ZnO呈混晶方式生长;随着Sb含量的增加,其引起的晶格畸变和次晶相的含量逐渐增加;掺杂薄膜在远紫外(UVA)波段的吸收显著增强,UV吸收峰变窄,强度增大,吸收边变得陡峭且向短波方向移动达5 nm,在Vis波段的吸收有所增强。
- 常春荣李子全徐芸芸
- 关键词：SB2O3光吸收
- 退火对溅射ZnO薄膜的形貌和内应力的影响被引量：12
- 2006年
- 用超高真空射频磁控溅射技术制备了高C轴取向的ZnO薄膜,用扫描电镜和X射线衍射仪分别研究了退火对ZnO薄膜形貌和内应力的影响。结果表明:适当温度退火后薄膜的形貌和内应力得到改善,通过增氧、缺陷原子的热激活和晶粒融合等可以有效地降低薄膜中由热效应、缺陷效应和粒子注入效应等引起的张应力,薄膜组织致密化并且柱状晶粒取向趋于一致。450℃退火的ZnO薄膜具有最低的张应力和最佳的结晶质量。
- 常春荣李子全徐芸芸周衡志骆心怡
- 关键词：ZNO薄膜退火形貌内应力
- 退火对溅射ZnO薄膜光吸收性能的影响被引量：2
- 2006年
- 利用射频磁控溅射制备了高c轴取向的ZnO薄膜,采用X-射线衍射仪、扫描电镜和紫外-可见光分光光度计研究了退火对ZnO薄膜的结构和光吸收性能的影响。结果表明,退火可以改善ZnO薄膜的质量和光吸收性能。退火后薄膜的结构、形貌和光吸收性能得到改善,薄膜中缺陷减少,晶粒长大致密化,尺寸较均匀;紫外吸收峰变窄,强度增加,吸收边变得陡峭并向长波方向移动,光学带隙降低。450℃退火的ZnO薄膜具有最佳的结晶质量和紫外吸收性能。
- 李子全常春荣徐芸芸
- 关键词：ZNO薄膜退火光吸收
- 磁控溅射制备Sb-ZnO薄膜及其性能研究
- 本文在综述ZnO薄膜的结构特性、制备方法和光电性能等现状的基础上，采用射频磁控溅射技术制备了纯和Sb2O3掺杂的ZnO薄膜，采用SEM、台阶仪、XRD、XPS、UV-Vis分光光度计分析、电阻仪、阻抗谱仪等仪器设备分别研...
- 常春荣
- 关键词：氧化锌薄膜磁控溅射掺杂改性光吸收性能
- 文献传递
- 间歇溅射和分段冷却对ZnO薄膜结构的影响
- 2006年
- 用超高真空射频磁控溅射技术制备了高c轴取向的ZnO薄膜，并用XRD和SEM研究了溅射和冷却方式对ZnO薄膜结构性能和工艺性能的影响。结果表明：与连续溅射相比，间歇溅射可以降低ZnO（002）的晶面间距，晶粒长大致密化，随着间歇时间的延长，薄膜的自优化程度增加；与连续冷却相比，分段冷却对ZnO薄膜的质量影响不大，但可将薄膜的冷却时间，从2．5—3h缩短至1．5h左右，从而提高了薄膜的制备速率。
- 常春荣李子全徐芸芸周衡志骆心仪
- 关键词：半导体技术ZNO薄膜
