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离子注入的铝在Si(100)表面的偏析及其引起的纳米团簇和合金晶粒形成现象的实验研究被引量：3: 2009年; 通过高温退火注入了铝的Si(100)样品,探讨偏析出来的铝在硅表面的热力学行为.由900℃的退火实验发现,偏析出来的铝原子一方面形成Si(100)基底的外延铝膜和铝岛,另一方面与硅原子结合形成尺度约为2—3nm的铝硅团簇.而1200℃的退火实验显示,铝和硅的快速冷凝形成了立方晶系的Al4Si合金晶粒、尺度约为20—30nm.细小的铝硅团簇在结构上独立于样品基底并且趋于聚集成团,很可能是在高温退火和快速降温过程中形成铝硅合金晶粒的前驱.; 高皓廖龙忠张朝晖; 关键词：硅表面铝掺杂团簇

注硼硅表面的第一性原理计算和扫描隧道显微学研究: 纯硅(silicon，Si)，半导体的导电性很差，因此人们常在硅单晶材料中掺入其它元素来提高它的导电性。掺入的原子会从体内偏析到表面，在特定的条件下会形成掺杂有序的合金。这个合金层不同于硅单晶表面的结构和性质，可以使电子...; 廖龙忠; 关键词：硅表面第一性原理导电性

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廖龙忠