张会龙
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- C波段ALGAN/GAN基逆F类功率放大器的设计
- 功率放大器是无线通讯收发系统中最消耗功率的器件之一,设计一款高效率的功率放大器对于提高无线收发系统的效率具有重要意义.根据本实验室的ALGAN/GAN HEMI器件的测量结果,利用AGILENT LCCAP软件对器件进行...
- 李卫军曹梦逸张会龙陈伟伟侯斌马晓华
- 关键词：ALGAN/GAN高功率
- 文献传递网络资源链接
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型被引量：2
- 2012年
- 初步分析了AlGaN/GaN器件上的kink效应.在直流模型的基础上,建立了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型,并加入了kink效应发生的漏源偏压与栅源偏压的关系.该模型得出较为准确的模拟结果,可用来判断kink效应的发生和电流的变化量.最后,我们采用模型仿真结合实验分析的方法,对kink效应进行了一定的物理研究,结果表明碰撞电离对kink效应的发生有一定的促进作用.
- 马骥刚马晓华张会龙曹梦逸张凯李文雯郭星廖雪阳陈伟伟郝跃
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管KINK效应
- 负栅压偏置下ALGAN/GAN HEMTS的器件退化机制
- 通过对器件在VDS=OV条件下进行阶跃电应力测试,研究ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管(HEMTS)在负棚压偏置条件下的退化机制。测试结果显示,当超过某一临界应力电压时,ALGAN/GAN HEMTS特性开始显著...
- 陈伟伟侯斌祝杰杰李卫军张会龙马晓华
- 文献传递网络资源链接
