张华
- 作品数：14 被引量：30H指数：3
- 供职机构：景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：江西省教育厅科学技术研究项目江西省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- (Ca_(0.9375)Sr_(0.0625))_(0.25)(Li_(0.5)Sm_(0.5))_(0.75)TiO_3微波介质陶瓷的低温烧结
- 2011年
- 研究以氧化锂-氧化硼-二氧化硅-氧化钙-氧化铝(Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3,LBSCA)低熔点玻璃料为烧结助剂降低钙和锶复合掺杂钛酸锂钐[(Ca0.937 5Sr0.062 5)0.25(Li0.5Sm0.5)0.75TiO3,CSLST]微波介质陶瓷的烧成温度,探讨不同LBSCA掺量对CSLST陶瓷烧结行为和微波介电性能的影响规律。结果表明:当LBSCA的添加质量分数(下同)从0%到15%变化时,陶瓷的最佳烧成温度从1 200℃降低到900℃。LBSCA掺量为5%的陶瓷最佳烧成温度为1 000℃,此时陶瓷具有优异的微波介电性能:相对介电常数εr=84.74,品质因素与频率乘积Q×f=2 446 GHz,频率温度系数τf=-12.48×10-6/℃。LBSCA是理想的低温烧结CSLST陶瓷的烧结助剂。
- 李月明张华王竹梅廖润华洪燕沈宗洋
- 关键词：微波介质陶瓷
- 天然硼钙石质低温生料透明釉的研制
- 2010年
- 以天然矿物硼钙石、钾长石、龙岩高岭、萍乡石英、广西滑石和ZnO、BaCO3为原料,采用普通陶瓷工艺,制备了透明度好,光泽度高且性能稳定的低温无铅无熔块生料透明釉。通过研究烧成温度对釉面性能的影响,得出了釉的最佳烧成温度为1100℃,保温30min。同时,研究了硼钙石含量对釉面性能的影响,发现随着硼钙石含量的增多,釉面析出白色晶体。当加入的硼钙石所对应的B2O3含量为0.1634mol时,此时获得的无铅无熔块生料透明釉透明度最高。
- 李润润李月明张华江良刘虎
- 关键词：低温釉
- B_2O_3-CuO-Li_2CO_3对CSLST陶瓷微波介电性能影响的研究被引量：9
- 2010年
- 研究了添加5%B2O3-CuO基础上再添加不同含量的Li2CO3复合烧结助剂对(Ca0.9375Sr0.0625)0.3(Li0.5Sm0.5)0.7TiO3(CSLST)陶瓷的烧结行为及微波介电性能的影响。研究结果表明:添加复合烧结助剂的陶瓷烧结后其晶相仍呈斜方钙钛矿结构。在不劣化微波介电性能的条件下,陶瓷的烧结温度可降至950℃,随Li2CO3含量的增加,添加复合烧结助剂的CSLST陶瓷的体积密度和介电常数εr逐渐降低。当Li2CO3添加量为0.5%时,在950℃保温5 h,所制得的陶瓷具有优良的微波介电性能:εr=84.7,Qf=1929 GHz,τf=28.76×10-6/℃。
- 李月明张华江良李润润刘虎
- 关键词：微波介电性能液相烧结
- 溶胶凝胶法合成硅酸锆包裹氧化炭黑色料的研究被引量：2
- 2014年
- 本文通过溶胶-凝胶法合成了硅酸锆包裹氧化改性炭黑(ZrSiO4/C)色料,采用XRD、DTA-TG、CIE-L*a*b*色度仪和TEM等分析手段对色料进行表征。研究了硅锆比、合成温度、保温时间和升温速率等对ZrSiO4合成及ZrSiO4/C色料色度的影响规律。结果表明:合成ZrSiO4的适宜硅锆比为1.2~1.4,过高的硅锆比会导致氧化硅玻璃基质的形成,不利于对色料的包裹;热处理制度对ZrSiO4基体的合成和基体对炭黑色料的包裹有明显影响,以5℃/min的升温速率升到最高温度1000℃保温4 h时合成的ZrSiO4/C色料的明度值L*约等于30,并能在中高温釉中稳定存在。
- 朱庆霞江伟辉张华杨钡江胡珊
- 关键词：硅酸锆包裹色料
- Ca_(0.2)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.8)TiO_3微波介质陶瓷低温烧结研究
- 2010年
- 以Ca0.2(Li1/2Sm1/2)0.8TiO3(CLST-0.8)为基料,添加质量分数10%的CaO-B2O3-SiO2(CBS)复合氧化物、4%的Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3(LBSCA)玻璃料和0～2%的CuO氧化物为复合烧结助剂,研究了CuO含量的变化对CLST-0.8陶瓷的低温烧结行为及微波介电性能的影响。随着CuO添加量的增加,陶瓷体积密度、介电常数εr、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值,都呈先增加后降低,谐振频率温度系数τf则呈先降低后升高的趋势。添加10%CBS、4.0%LBSCA和1.0%CuO的CLST-0.8微波介质陶瓷,可在900℃下保温5h烧结,并具有较佳的微波介电性能:εr=58.36,Qf=2011GHz,τf=3.44ppm/℃。
- 李月明张斌张华廖润华王竹梅洪燕
- 关键词：CUO微波介质陶瓷
- B_2O_3-CuO掺杂CSLST微波介质陶瓷介电性能研究被引量：3
- 2012年
- 选用B2O3-CuO(BC)低熔点复合氧化物作为烧结助剂,采用固相法制备(Ca0.9375Sr0.0625)0.25(Li0.5Sm0.5)0.75TiO3(CSLST)陶瓷,研究了不同含量的BC对CSLST陶瓷的晶相组成、烧结性能及微波介电性能的影响。研究结果表明:随BC添加量的增多,CSLST陶瓷的烧结温度降低,陶瓷的微波介电常数εr和谐振频率温度系数τf下降,品质因素Qf明显降低。当BC添加量为5wt%时,在1000℃保温5 h可烧结,此时陶瓷具有较佳的微波介电性能:εr=80.4,Q×f=1380 GHz,τf=-32.89×10-6/℃。
- 李月明张华王竹梅廖润华洪燕沈宗洋
- 关键词：微波介质陶瓷液相烧结
- 高介电常数微波介质陶瓷及其低温烧结的研究进展被引量：3
- 2010年
- 高介电常数微波介质材料是实现现代微波通信器件要求的微型化、集成化发展趋势的重要材料,针对多层结构设计的器件要求,需要微波介质陶瓷能与高电导率电极实现低温共烧。本文综述了近年来高介电常数微波介质陶瓷及其低温烧结研究的最新进展,指出进一步提高陶瓷的介电常数和研究新型低温烧结助剂是今后发展的趋势。
- 李月明张华洪燕王竹梅沈宗洋
- 关键词：微波介质陶瓷高介电常数
- Sr^(2+)置换改性Ca_(0.25)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.75)TiO_3陶瓷的微波介电性能研究被引量：12
- 2010年
- 采用固相法制备了(Ca1-xSrx)0.25(Li1/2Sm1/2)0.75TiO3(CSLST-x)(x=0～1/10)系列微波介质陶瓷材料,研究不同含量的Sr2+含量对该体系的相组成、烧结性能和微波介电性能影响。在x=1/22～1/10范围内,Sr2+的掺杂不会改变晶体的结构;在1175～1200℃烧结时,相同烧结温度下随着Sr2+含量的增加,介电常数εr增大,无载品质因数与谐振频率乘积Qf值降低;置换离子Sr2+的添加使该体系的烧结温度降低了近200℃,并保持良好的微波介电性能。其中,x=1/16的CSLST陶瓷在1200℃烧结,保温5h时具有较好的微波介电性能:εr=97.2,Qf=2490GHz,τf=14.74ppm/℃。
- 张华李月明江良李润润刘虎
- 关键词：微波介电性能
- 熔盐法制备片状CaBi_4Ti_4O_(15)晶粒的研究被引量：4
- 2010年
- 以TiO2、CaCO3和Bi2O3为原料,加入NaCl和KCl(物质的量比为1:1)为熔盐,采用熔盐法制备Ca-Bi4Ti4O15片状晶体。研究了熔盐含量、合成温度以及保温时间对制备CaBi4Ti4O15片状晶体的影响,并对其反应机理进行了初步的探讨。结果表明,当熔盐质量分数为30%时开始生成CaBi4Ti4O15,当熔盐质量分数增加到40%左右时可获得较纯的CaBi4Ti4O15相。熔盐含量对钛酸铋钙晶体的形貌有一定的影响,随着熔盐含量的增加,CaBi4Ti4O15片状晶体逐渐长大,各向异性程度增大。合成温度的升高和保温时间的延长有利于CaBi4Ti4O15片状形貌的形成。制备完整片状形貌的CaBi4Ti4O15晶体的最佳熔盐含量为40%,合成温度为1150℃,保温时间为4h。
- 李月明汪丹廖润华江良张华刘虎李润润
- (K,Na)NbO_3基无铅压电陶瓷的研究现状与进展被引量：1
- 2010年
- 综述了近年来(K,Na)NbO3基无铅压电陶瓷在掺杂改性以及晶粒定向技术制备织构化陶瓷研究的新进展,重点分析了(K,Na)NbO3基无铅压电陶瓷的K/Na比为0.5和非0.5时,陶瓷压电性能上的差异,发现K/Na比偏离0.5时,具有更为优异的压电、介电性能,最后展望了(K,Na)NbO3基无铅压电陶瓷的掺杂改性及晶粒定向技术的研究趋势。
- 江良李月明张华廖润华王竹梅洪燕
- 关键词：掺杂改性无铅压电陶瓷
