张小东
- 作品数：43 被引量：27H指数：4
- 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金中国科学院近代物理研究所所长基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 一种电磁铁磁场测量定位装置、定位辅助系统及定位方法
- 本发明涉及一种磁场测量定位装置、定位辅助系统以及定位方法，所述磁场测量定位装置包括磁场测量感应器基体、磁场测量感应器、第一陶瓷球靶和第二陶瓷球靶，所述磁场测量感应器用于电磁铁磁场的测量，所述第一陶瓷球靶和第二陶瓷球靶用于...
- 陈文军杨静张旭东张小东金利安王少明袁建东孙国珍
- 离子注入n型GaN光致发光研究
- 本论文研究的GaN薄膜是一种具有优良物理和化学性质的宽带隙半导体材料，并对该材料的生长、器件化以及离子注入等研究领域进行了系统地调研。由于离子注入对该材料的光学和电学特性影响很大，并且该方法也是目前成熟的半导体器件处理工...
- 张小东
- 关键词：宽带隙半导体材料离子注入GAN薄膜
- 文献传递
- 高通量下GEM探测器高压供电模式研究被引量：1
- 2015年
- GEM探测器的供电一般采用电阻链分压供电模式和多路分立供电模式,在低通量X射线下测量时区别不大,但是在高通量X射线时,电阻链分压供电模式会带来饱和效应引起工作电压的变化,造成探测器工作不稳定。本研究在高通量X射线照射下,研究了有效面积为100 mm×100 mm三层级联GEM探测器的有效增益(稳定性)与不同高压供电模式的关系。通过测量不同分压电阻值(1,2,5到30 M?)的实验研究,发现随着X射线通量的增加,在电阻链分压供电模式下,出现了GEM探测器感应电极的读出电流饱和趋势,分析了可能导致饱和效应出现的原因。结果表明,当入射X射线在探测器上的有效吸收剂量不断增加时,电阻链供电模式需要调整分压单元电阻值,或者采用多路分立供电模式,从而避免因饱和效应引起的GEM探测器有效增益的变化,实现探测器稳定的工作状态。
- 魏堃祁辉荣张余炼温志文张建欧阳群张小东
- 关键词：X射线高剂量
- 金属团簇束在硅基上的沉积成膜
- 本文基于文献[4]HaberlandⅡ型装置较系统实验了一定能量的Al、Mo、Cu等团簇束分别沉积在P-Si(111)、P-Si(100)及其SiO<,2>基底上生长薄膜的过程和一些结果并和常规磁控溅射的结果进行了比较.
- 李公平丁宝卫丁印锋张小东刘正民张志滨朱德彰何山虎
- 关键词：硅基金属团簇磁控溅射薄膜生长
- 文献传递
- 铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜表面能谱分析被引量：2
- 2004年
- 用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu-n(n是团簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压为:0,1,3,5,10kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P型Si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品。用X射线光电子能谱(XPS)分析薄膜,结果表明:薄膜本身不含C和O等杂质;当Cu/P-Si(111)样品暴露在空气中时,样品表面会氧化和碳污染,铜的特征电子峰几乎被湮没。用能量3keV流强为4～6μA/cm2Ar+束,预溅射处理样品表面后,用XPS分析,常规磁控溅射室温下得到的Cu/P-Si(111)样品和铜团簇束沉积,偏压分别为0,1,3,5,10kV的样品XPS谱和块状Cu标样谱基本一样,Cu2P1、Cu2P3、CuLMM特征峰位没有移动,反映不出原子结合能差异。
- 李公平丁宝卫张小东丁印锋刘正民朱德彰包良满
- 关键词：单晶硅
- 冷热中子敏感的荧光粉在微米级结构上的填充方法
- 本发明公开了冷热中子敏感的荧光粉在微米级结构上的填充方法，以含有荧光粉的溶液作为填充液，对微孔内壁镀有对可见光全反射膜的微结构进行填充，至荧光粉在微结构上的填充率达到90%以上，晾干即可，所述荧光粉为对中子敏感的荧光粉。...
- 张小东乔浩万城亮
- 利用Garfield程序模拟Micromegas探测器增益和位置分辨特性(英文)被引量：4
- 2007年
- 利用Garfield气体探测器模拟程序模拟了不同条件下Micromegas探测器的增益和位置分辨特性.通过对模拟结果的分析,得出提高探测器位置分辨和增益的有效途径.该工作不仅可以优化气体探测器结构设计,缩短实验周期,而且还能极大程度的节约经费.
- 张小东陈绪涛张毅杨贺润徐瑚珊段利敏李春艳李祖玉
- 关键词：气体探测器
- 质子在天然硼上的非卢瑟福弹性背散射截面测量
- 1999年
- 采用相对测量法对能量为0.15-2．00MeV的质子在天然硼上的非卢瑟福弹性背散射截面（160°背散射角）进行了测量。实验中，质子在本能区的最低端进入卢瑟福弹性散射能区，测量结果用图表形式给出，并与以前发表的结果进行了定性比较。
- 王荣刘正民白云张小东
- 关键词：质子
- 一种粒子加速器隧道准直一级控制网布设方法及测量方法
- 本发明涉及一种粒子加速器隧道准直一级控制网布设方法及测量方法，布设方法包括准直一级控制网基准柱布设、准直一级控制网通视测量平台布设以及准直一级控制网测量仪器对中布设，准直一级控制网基准柱采用基准柱内筒和防护外筒于隧道内基...
- 陈文军杨雅清郑亚军张斌王少明袁建东孙国珍张旭东张小东
- 1.30-2.21MeV质子在硅上的160°散射截面测量被引量：1
- 2002年
- 采用薄靶对能量 1.30 - 2 .2 1MeV质子在纯度为 99.99%硅上的非卢瑟福弹性背散射截面(16 0°背散射角 )进行了测量 .质子束由 2× 1.7MV串列加速器提供 ,测量仪器采用金硅面垒探测能谱仪 .实验中最低能区进入卢瑟福弹性散射能区 ,测量结果与以前发表的结果进行了比较 .所测量数据可供从事背散射分析技术的有关人员参考 .
- 李公平张小东刘正民
- 关键词：质子背散射截面硅
