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张建辉

作品数：3 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇淀积
  • 3篇离子束
  • 3篇离子束辅助
  • 3篇激光
  • 3篇激光淀积
  • 3篇氧
  • 2篇电子能
  • 2篇电子能谱
  • 2篇光电子能谱
  • 2篇X射线
  • 2篇X射线光电子...
  • 1篇椭偏仪
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光淀积
  • 1篇激光器
  • 1篇背散射
  • 1篇XPS研究

机构

  • 3篇中国科学院
  • 2篇北京师范大学
  • 2篇中国地质大学...
  • 1篇北京市第四十...

作者

  • 3篇张建辉
  • 3篇李庚伟
  • 2篇刘志凯
  • 2篇吴正龙
  • 1篇杨锡震
  • 1篇邵素珍
  • 1篇杨少延

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇北京师范大学...
  • 1篇渤海大学学报...

年份

  • 2篇2005
  • 1篇2001
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究被引量：5
2005年
利用 X 射线衍射(XRD),X 射线摇摆曲线(XRC)和 X 射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的 ZnO/Si 异质结薄膜进行了分析。结果表明:用该法可生长出高度 c 轴单一取向 ZnO 薄膜,XRC 的半高宽度(FWHM)仅为2.918°。表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的 ZnO/Si 薄膜。
李庚伟吴正龙邵素珍张建辉刘志凯
关键词：X射线光电子能谱
氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的椭偏仪及背散射研究被引量：1
2005年
通过对ZnO/Si(Ⅲ)样品的椭偏仪及背散射(RBS)测量及分析,探究了氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长ZnO/Si的薄膜厚度。
李庚伟张建辉
关键词：椭偏仪
氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究被引量：6
2001年
利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析 .用该法可生长出正化学比的ZnO ,不过生长的ZnO薄膜存在孔隙 ,工艺还有待进一步改进 .
李庚伟吴正龙杨锡震杨少延张建辉刘志凯
关键词：X射线光电子能谱激光器
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