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张彦坡: 作品数：19 被引量：0H指数：0; 供职机构：四川大学更多>>; 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国际热核聚变实验堆计划更多>>; 相关领域：电子电信医药卫生理学一般工业技术更多>>

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4H-SiC基半导体中子探测器用B4C转换薄膜制备工艺方法: 本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的B4C转换膜制备方法，主要包含以下步骤：将4H-SiC基体分别浸没于丙酮、酒精中进行超声波清洗；采用偏压反溅射清洗去除4H-SiC基体中杂质，预溅射...; 刘波蒋勇张彦坡; 文献传递

一种可控自形成MnSixOy/Cu3Ge双层扩散阻挡层制备工艺: 本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜互连技术中应用的可控自形成MnSixOy/Cu3Ge双层阻挡层制备工艺。本工艺采用气相物理共溅射技术，包括镀前处理、...; 刘波张彦坡廖小东林黎蔚; 文献传递

Cu/Cu(Ge,Zr)/SiO_2/Si多层膜界面可控反应及热稳定性研究: 2013年; 利用多靶磁控溅射技术在SiO_2/Si基体上沉积Cu/Cu(Ge,Zr)多层薄膜,采用四探针仪(FPPT),X射线衍射仪(XRD),高分辨透射电镜(HRTEM),X射线光电子能谱(XPS)和原位纳米电子束探针能谱(EDS)表征多层薄膜退火前后电阻率、微观结构和界面成分的演变及行为.结果表明,在低温退火阶段(<200℃),Cu(Ge,Zr)膜层中Ge与Cu选择性反应形成低阻Cu_3Ge相,有效抑制Cu与Si的早期扩散;在高温下(>450℃),Zr原子在Cu_3Ge/SiO_2界面析出并与SiO_2层进一步反应形成稳定非晶ZrOx/ZrSiyOx化合物.Cu(Ge,Zr)薄膜中异质原子及与相邻膜层间分步选择性自反应合成高热稳Cu_3Ge/ZrO_x/ZrSi_yO_x复合阻挡层,使Cu/Cu(Ge,Zr)/SiO_2/Si多层膜具有高热稳定性.; 张彦坡任丁林黎蔚杨斌王珊玲刘波徐可为; 关键词：热稳定性

4H-SiC基中子探测器用6LiF/ BC4复合中子转换薄膜制备工艺方法: 本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/BC4复合中子转换膜制备方法，采用射频磁控溅射技术，主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅射清洗以及沉积6...; 刘波蒋勇张彦坡; 文献传递

超薄、高热稳定性ZrGeN/CuGe复合梯度阻挡层制备工艺: 本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜（Cu）互连技术中应用的超薄、高热稳定性ZrGeN/CuGe复合梯度阻挡层的制备工艺。本发明沉积的梯度ZrGeN(5nm)/CuGe(10nm)阻挡层热稳定温度可达750℃以上。采用...; 刘波张彦坡展长勇任丁林黎蔚; 文献传递

4H-SiC基中子探测器用BC4转换薄膜制备工艺方法: 本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的BC4转换膜制备方法，主要包含以下步骤：将4H-SiC基体分别浸没于丙酮、酒精中进行超声波清洗；采用偏压反溅射清洗去除4H-SiC基体中杂质，预溅射...; 刘波蒋勇张彦坡

4H-SiC基中子探测器用6LiF/10B4C复合中子转换薄膜制备工艺方法: 本发明公开了一种4H-SiC基半导体中子探测器用的6LiF/10B4C复合中子转换膜制备方法，采用射频磁控溅射技术，主要包含镀前处理、偏压反溅射清洗、预溅...; 刘波蒋勇张彦坡; 文献传递

口腔烤瓷用钛瓷TiN/ZrTiSiN复合过渡阻挡层制备工艺: 本发明公开了一种在生物人体替代材料方面广泛应用的钛瓷间沉积TiN/ZrTiSiN复合过渡阻挡层制备工艺，属于医学用口腔种植和修复中的金属烤瓷修复技术领域。该工艺采用射频磁控溅射技术，包括镀前处理、偏压反溅清洗和沉积TiN...; 刘波张彦坡林黎蔚; 文献传递

一种可控自形成Cu3Ge/TiN双层扩散阻挡层制备方法: 本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜互连技术中应用的可控自形成Cu3Ge/TiN双层阻挡层制备方法。本发明先采用气相物理共溅射技术制备Cu（Ge，Ti）合金层，随后通过控温氮气（N2</...; 刘波张彦坡林黎蔚; 文献传递

一种可控自形成阻挡层用Cu(Ge,Zr)合金的制备工艺: 本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜互连技术中应用的可控自形成阻挡层用Cu（Ge，Zr）合金的制备工艺。本工艺采用气相物理共溅射技术，包括镀前处理、偏压反溅清洗和沉积Cu（Ge，Zr）合金层等步骤。本发明沉积的Cu（G...; 刘波张彦坡陈顺礼; 文献传递