张志伟
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院感光化学研究所更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信更多>>
- cdSe_xTe_(1-x)薄膜电极光溶解性能的研究
- 1990年
- 用循环伏安法对半导体Cdse_xTe_(1-x)薄膜电池的光溶解性能进行了研究。在1mol/L KCl溶液中测量光溶解产物的阴极还原特性,考察了在多硫化钠,多硫化钾及铁氰化钾溶液中的光腐蚀行为。用此方法还研究了薄膜电极表面的光刻蚀过程和pH的影响,并用X射线光电子能谱分析光刻进行不同时间后,电极表面发生的变化。
- 张志伟肖绪瑞孙璧媃
- 关键词：薄膜电极循环伏安
- 半导体CdSe薄膜电极瞬态光电压行为的数字模拟
- 1991年
- 本文测量了半导体CdSe薄膜电极在脉冲激光下的瞬态光电压行为。在多硫溶液和铁氰溶液中分别观察了载流子受光分离,本体和表面复合以及空穴,电子的界面氧化还原引起的光电压变化的快过程和慢过程。应用数字模拟技术进行了理论分析。通过模拟界面氧化还原反应所得到的反应速度常数K_p、K_n,讨论了CdSe薄膜电极在不同溶液中界面电荷转移的动力学行为.
- 林原肖绪瑞张志伟孟宪娟
- 关键词：硒化镉薄膜电极
- Au修饰薄膜CdSe电极的界面动力学行为的研究
- 1991年
- 研究了Au修饰的薄膜CdSe电极在多硫溶液中的瞬态光电流行为,测量了界面异相电荷转移,表面电荷复合及光腐蚀反应速度常数K_F,K_R及K_c。结合了光电子能谱(XPS)及扫描电镜(SEM)表面分析,对三种不同Au量修饰的薄膜CdSe电极进行界面动力学行为的分析。
- 张志伟林原肖绪瑞
- 关键词：化学修饰硒化镉电极
- CdSe_xTe_(1-x)薄膜的光电化学研究被引量：1
- 1989年
- 用涂敷法制备了Cdse_xTe_(1-x)薄膜电极0.8>x>0.4,其组成和结构用X射线衍射及X射线荧光光谱进行分析。对薄膜电极的光电化学性能,转换效率,能隙与x的依赖关系进行了研究。通过烧结工艺的改进,获得光电转换效率高于12％的薄膜电极。
- 肖绪瑞张志伟朱延宁
- 关键词：光电化学
- 薄膜CdSe及CdSe_xTe_(1-x)电极的光电子能谱研究
- 1990年
- 用X射线光电子能谱(XPS)研究了不同含氧气氛中烧结的薄膜CdSe及Cdse_xTe_(1-x)电极表面,以及薄膜与Ti底基之间的界面。研究中发现,二种薄膜电极的表面形成了CdO,SeO_2及TeO_2氧化物,与薄膜接触的Ti底基表面上形成了TiO_2。用俄歇电子能谱(AES)对在电极表面及Ti表面所生成的氧化层分别进行了深度分析。结果表明,各种氧化物形成的程度有很大的不同,氧化层厚度也存在差异。对影响薄膜电极的光电性能的因素进行了讨论。
- 张志伟肖绪瑞朱延宁
- 关键词：电极光电子能谱CDSE
- 薄膜CdSe瞬态光电流行为的研究
- 1990年
- 测量薄膜CdSe电极在脉冲光下的瞬态光电流行为,将实验数据与描述半导体-溶液界面动力学模型进行计算机拟合,求出界面异相电荷转移、表面电荷复合及光腐蚀反应速度常数K_F、K_R及K_c。对薄膜CdSe电极在多硫及铁氰溶液中、不同电极电位下和光刻蚀前后的界面动力学行为进行了分析。
- 肖绪瑞林原张志伟
- 关键词：CDSE光电流
