您的位置： 专家智库 > >

彭瑶

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇光刻
  • 2篇掩膜
  • 2篇掩膜版
  • 2篇目标函数
  • 2篇矩阵
  • 2篇光刻工艺
  • 2篇光刻系统
  • 2篇光源
  • 2篇光照
  • 1篇电路
  • 1篇电路制造
  • 1篇线性插值
  • 1篇矩阵表示
  • 1篇集成电路
  • 1篇集成电路制造
  • 1篇集成电路制造...
  • 1篇焦深
  • 1篇插值

机构

  • 3篇清华大学

作者

  • 3篇张进宇
  • 3篇彭瑶
  • 2篇余志平
  • 2篇王燕

年份

  • 3篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
确定光刻工艺的光源光照强度分布和掩膜版图形的方法
本发明涉及一种确定光刻工艺的光源光照强度分布和掩膜版图形的方法，属于集成电路制造技术领域，包括：确定光源的初始形状和初始光照强度，并用矩阵表示；确定掩膜版的初始图形，并用像素点矩阵表示；以光刻过程中的成像准确度和焦深为基...
张进宇彭瑶王燕余志平
文献传递
一种确定光刻工艺的光源光照强度分布的方法
本发明涉及一种确定光刻工艺的光源光照强度分布的方法，属于集成电路制造技术领域，包含以下步骤：确定光源的初始形状和初始光照强度，并用矩阵Γ表示，然后将矩阵Γ转换成便于优化的矩阵θ；确定光刻过程中的成像准确度和焦深，建立目标...
彭瑶张进宇
文献传递
一种确定掩膜版经光刻系统后所成像光照强度分布的方法
本发明涉及一种确定掩膜版经光刻系统后所成像光照强度分布的方法，属于集成电路制造技术领域，用于集成电路制造工艺中；该方法包含以下步骤：用矩阵表示掩膜版图形；用矩阵表示光刻系统光源的强度分布；利用所述光源强度分布矩阵，计算得...
张进宇彭瑶王燕余志平
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0