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彭瑶
作品数:
3
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供职机构:
清华大学
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合作作者
张进宇
清华大学
王燕
清华大学
余志平
清华大学
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机构
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清华大学
作者
3篇
张进宇
3篇
彭瑶
2篇
余志平
2篇
王燕
年份
3篇
2011
共
3
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确定光刻工艺的光源光照强度分布和掩膜版图形的方法
本发明涉及一种确定光刻工艺的光源光照强度分布和掩膜版图形的方法,属于集成电路制造技术领域,包括:确定光源的初始形状和初始光照强度,并用矩阵表示;确定掩膜版的初始图形,并用像素点矩阵表示;以光刻过程中的成像准确度和焦深为基...
张进宇
彭瑶
王燕
余志平
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一种确定光刻工艺的光源光照强度分布的方法
本发明涉及一种确定光刻工艺的光源光照强度分布的方法,属于集成电路制造技术领域,包含以下步骤:确定光源的初始形状和初始光照强度,并用矩阵Γ表示,然后将矩阵Γ转换成便于优化的矩阵θ;确定光刻过程中的成像准确度和焦深,建立目标...
彭瑶
张进宇
文献传递
一种确定掩膜版经光刻系统后所成像光照强度分布的方法
本发明涉及一种确定掩膜版经光刻系统后所成像光照强度分布的方法,属于集成电路制造技术领域,用于集成电路制造工艺中;该方法包含以下步骤:用矩阵表示掩膜版图形;用矩阵表示光刻系统光源的强度分布;利用所述光源强度分布矩阵,计算得...
张进宇
彭瑶
王燕
余志平
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