- 原子层淀积Al2O3高k栅介质实验和理论研究
- 随着器件尺寸的进一步缩小,栅介质正变得越来越薄,当传统栅介质层SiO2的厚度减小到原子尺寸时,由于量子隧穿效应的影响,漏电流将变得很大。为了有效抑制漏电流,高介电常数栅介质(high-k)将替代传统SiO2栅介质,例如H...
- 施煜
- 关键词：原子层淀积砷化镓密度泛函理论
- 文献传递
- N2和NH3退火对铪铝氧栅介质C-V特性的影响
- 2009年
- 采用原子层淀积(ALD)的方法在Si(100)衬底上制备了铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质,并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。改变原子层淀积的工艺,制备了三组含有不同Al∶Hf原子比的铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质。电容电压特性(C-V)测试表明,薄膜的积累电容密度随着薄膜中Al∶Hf原子比的减少而增加。实验表明,用N2和NH3对样品进行淀积后退火,可以减小等效电容厚度(CET)、降低固定正电荷密度以及减小滞回电压,从而有效地提高了介质薄膜的电学特性。
- 施煜刘晗董琳孙清清丁士进叶培德张卫
- 关键词：原子层淀积电容-电压特性
- 原子层淀积Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>高k栅介质实验和理论研究
- 随着器件尺寸的进一步缩小,栅介质正变得越来越薄,当传统栅介质层SiO<sub>2</sub>的厚度减小到原子尺寸时,由于量子隧穿效应的影响,漏电流将变得很大。为了有效抑制漏电流,高介电常数栅介质（high-k）将替代传统...
- 施煜
- 关键词：原子层淀积砷化镓密度泛函理论
