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曾剑平

作品数：3 被引量：9H指数：1
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇电容
  • 3篇电容器
  • 3篇钛酸
  • 3篇钛酸锶
  • 3篇晶界层
  • 3篇晶界层电容器
  • 2篇电容器材料
  • 2篇烧结剂
  • 2篇施主
  • 2篇施主掺杂
  • 1篇一次烧
  • 1篇一次烧成
  • 1篇烧成
  • 1篇品性
  • 1篇SRTIO
  • 1篇锶

机构

  • 3篇清华大学

作者

  • 3篇周和平
  • 3篇王玲玲
  • 3篇曾剑平
  • 2篇李龙土
  • 2篇杜晓峰

传媒

  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1995
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一次低烧SrTiO_3基晶界层电容器的研究被引量：9
1995年
研究了以Ｌｉ＿２ＣＯ＿３为助烧结剂、Ｓｒ（Ｌｉ＿（１／４）Ｎｂ＿（３／４））Ｏ＿３为施主掺杂剂、Ｂｉ＿２Ｏ＿３和ＳｉＯ＿２为晶界绝缘剂的ＳｒＴｉＯ＿３基晶界层电容器的一次低温烧成技术。初步探索了Ｔｉ／Ｓｒ比值、施主掺杂剂、绝缘剂对显微结构及介电性能的影响。在１１５０℃饶成温度下，获得了ε＿（ａｐｐ）＞３．５×１０￣４；ρ＞１．０×１０￣（１１）Ω·ｃｍ；ｔｇδ＜１．０％；△Ｃ／Ｃ＜±５．０％（－２５～＋８５℃）的ＳｒＴｉＯ＿３基晶界层电容器材料。
周和平曾剑平杜晓锋王玲玲
关键词：钛酸锶烧成晶界层电容器一次烧成电容器
钛酸锶基晶界层电容器材料制造方法
电容器用SrTiO<Sub>3</Sub>基晶界层电容器材料，以前大多用二次高温烧成工艺，烧结温度高，配料方式不尽合理，且性能均一性不尽理想。本发明改进了配料方法，以草酸氧钛锶[SrTiO(C<Sub>2</Sub>O<...
周和平李龙土曾剑平杜晓峰王玲玲
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钛酸锶基晶界层电容器材料制造方法
电容器用SrTiO<Sub>3</Sub>基晶界层电容器材料，以前大多用二次高温烧成工艺，烧结温度高；配料方式不尽合理，且性能均一性不尽理想。本发明改进了配料方法，以草酸氧钛锶[SrTiO(C<Sub>2</Sub>O<...
周和平李龙土曾剑平杜晓峰王玲玲
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