李万程
- 作品数：64 被引量：161H指数：6
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO(002)和ZnO(100)薄膜被引量：5
- 2005年
- 采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(100)和ZnO(002)薄膜。该薄膜的晶体结构特性是由X光衍射谱仪(XRD)所获得的,而其光学特性是由光荧光谱仪(PL)来测的。与ZnO(002)相比,ZnO(100)薄膜具有更优越的晶体结构特性,并且在同样的生长温度下都具有相似的光学特性。对于腐蚀条件不同的GaAs衬底所进行的XPS分析结果表明,ZnO薄膜优先定位变化的主要原因在于腐蚀过程中形成的富As层。
- 崔勇国张源涛朱慧超张宝林李万程杜国同
- 关键词：ZNO薄膜半导体材料
- 可调彩色照明装置
- 本发明提供了一种可发出各种色调的可调彩色照明装置。它是在一个暗箱中组合三个不同颜色的光源：第一光源(1)、第二光源(2)、第三泵浦光束(3)，通过半反半透镜的透射或反射，将上述三个光源的光会聚于一个变焦镜头，从变焦镜头中...
- 张斌李万程卢杰
- 文献传递
- 新型不对称酞菁的电致发光性质研究
- 2010年
- 制作了以3种新型不对称酞菁铜为发光层的电致发光器件并研究了其电致发光性质。3种新型不对称酞菁铜为2(3)-(对叔丁基苯氧基)酞菁铜(1),2(3),9(10),16(17)三--(对叔丁基苯氧基)酞菁铜(2)和2(3),16(17)-二-(对叔丁基苯氧基)酞菁铜(3)。其中以(1)和(3)为发光层的器件结构ITO/NPB(40 nm)/Phthalocynine(Pc)(30 nm)/AlQ(43.8 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(120 nm)。其中以(2)为发光层的器件结构为:ITO/NPB(30 nm)/Pc(30 nm)/BCP(20 nm)/AlQ(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(120 nm)。以(1),(2)和(3)为发光层与Q带相关联的发射波长分别出现在869和1 062 nm;1 050和1110 nm;和1 095和1 204 nm。上述发射波长的不同是因为取代基的数目和真空镀膜的分子聚集态不同造成的,所以3种不对称酞菁铜的发射峰值和半峰宽差别较大,而且由此也引起斯托克司位移的不同。
- 夏道成李万程韩双程传辉李泉泉王进张伟李珠
- 关键词：酞菁电致发光
- NO_x对掺杂贵金属的SnO_2气敏元件特性的影响
- 1994年
- 本文报道了掺杂Ｐｄ和Ｐｔ等贵金属的ＳｎＯ＿２气敏元件置于ＮＯ＿ｘ气氛中，灵敏度发生明显下降的现象。分析认为，其主要原因是元件中的贵金属受到了ＮＯ＿ｘ污染．ＸＰＳ分析表明，污染后的Ｐｄ３ｄ＿（５／２）已确有化学位移。
- 卢革宇全宝富辛耀权雷鸣亮叶佳玉孙良彦李万程
- 关键词：二氧化锡气敏元件氧化氮钯
- MOCVD法制备NixZn1-xO薄膜
- 作为一种被关注十多年的光电材料,ZnO(室温下禁带宽度3.36eV)具有光透过率高,热稳定性好,激子束缚能高(60meV),原料易得,价格低廉等特点,并且在发光器件、紫外探测器、太阳能电池等领域有重要的应用。ZnO基材料...
- 王瑾杜国同张仕凯殷伟王辉吴国光史志锋李万程董鑫张宝林
- 采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜
- 本文采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1小时.生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.通过拉曼光谱的结果分析,显示退火后...
- 张源涛刘大力马艳杨小天赵佰军张景林常遇春李万程杨天鹏刘博阳杨洪军杨树人杜国同
- 关键词：ZNO薄膜SI衬底MOCVD退火宽禁带半导体材料
- 文献传递
- 氧化物薄膜高温生长用有机金属化学气相沉积设备
- 氧化物薄膜高温生长用有机金属化学气相沉积设备，属于氧化物薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种在超高温（大于1100°C）和氧气气氛条件下氧化物半导体及其它氧化物薄膜功能材料生长的金属有机物化学气相沉积设备。其反应室由其由真...
- 李万程李国兴杜国同张源涛杨小天
- 文献传递
- ZnO薄膜的XPS价带谱研究被引量：2
- 2004年
- 用 MOCVD方法在 Al2 O3衬底 c面生长 Zn O薄膜 ,用 XPS对薄膜进行了测量 .结果显示 ,与 O1 s和Zn2 p态相比 ,Zn3d态有更大的化学位移 ,可用于更有效地分析 Zn O薄膜变化 ;随着 Zn3d+Zn4 s态和 Zn3d态电子与 O2 p态电子耦合的增强 ,Zn3d态电子的结合能变大 ;二乙基锌 ( DEZn)源温是影响 Zn O成键的重要因素 .
- 李万程杜国同杨小天刘博阳张源涛赵佰军姜秀英
- 关键词：ZNO薄膜XPS
- 两步氧化法制备β-Ga2O3薄膜被引量：4
- 2019年
- 为获得高质量的β-Ga 2O 3薄膜,对传统的GaN薄膜高温氧化方法进行了优化。我们通过对GaN薄膜分别进行一步或两步高温氧化的方法制备了β-Ga 2O 3薄膜,并通过X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱等对制备的样品进行了测试、对比与分析。结果表明,950℃下GaN薄膜无法完全氧化,而直接1 150℃氧化得到的样品并没有明显的晶向。相比之下,通过两步氧化法,GaN薄膜被完全氧化,且得到的β-Ga 2O 3薄膜具有明显的沿<2 01>方向的晶向,样品表面显示出明显的纳米线结构。最佳的氧化时间为在950℃下氧化3 h之后在1 150℃下氧化1 h,此时得到样品的纳米线结构最明显,其纳米线的直径约为30~40 nm。拉曼光谱测试证实了该条件下获得的样品具有较高的晶体质量。通过分析不同样品结构以及形貌特性,我们发现不同温度下的不同氧化模式是导致该结果的主要原因。
- 李赜明余烨焦腾胡大强董鑫李万程张源涛吕元杰冯志红张宝林
- 关键词：氧化镓宽禁带半导体
- 一种硅衬底ZnO基低阈值电泵浦随机激光器件及其制备方法
- 本发明属于半导体发光器件技术领域，具体涉及一种硅衬底ZnO基低阈值电泵浦随机激光器件及其制备方法。其芯片由硅衬底、近本征的ZnO发光层、n型的MgZnO电流注入层和半透明的电极层构成；硅衬底背面沉积有欧姆接触电极层。Mg...
- 史志锋杜国同张宝林张源涛李万程董鑫
- 文献传递
