李可为
- 作品数：14 被引量：6H指数：1
- 供职机构：成都工业学院更多>>
- 发文基金：四川省教育厅科学研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- 一种空心微针阵列装置及其制作方法
- 本发明提供了一种空心微针阵列装置，可以是中心对称或非对称(侧开式)的中空微针阵列，具有高通量的头部逐渐尖锐圆滑的凸起结构，支撑结构位于背面，而流体可以从通孔中流入或流出。同时，本发明提供了一种制造微针阵列的方法，首先定义...
- 孟令款李可为
- 文献传递
- 理论计算电子碰撞氢分子(e,2e)反应的三重微分截面被引量：1
- 2012年
- 通过发展的分子畸变波玻恩近似(MDWBA)方法,把坐标空间的分子多中心问题转化为动量空间的单中心问题,入射电子、散射电子以及被电离电子的波函数都使用了畸变波表象,经过求解动量空间Lippmann-Schwinger方程获得电子的畸变波函数.应用MDWBA方法计算了共面非对称动力学条件下入射能量为100 eV的电子碰撞氢分子(e,2e)反应的三重散射微分截面,并与其它理论和实验结果进行了比较.MDWBA方法的计算结果与实验结果符合的很好.
- 李可为刘俊伯周雅君
- 关键词：氢分子
- 一种中空微针阵列装置及制作方法
- 本发明提供了一种中孔微针阵列装置，可以是中心对称或非对称(侧开式)的中空微针阵列，具有高通量的头部逐渐尖锐圆滑的凸起结构，支撑垫位于背面，而流体可以从通孔中流入或流出。同时，本发明提供了一种制造微针阵列的方法，首先在衬底...
- 孟令款李可为
- 一种中孔半导体纳米结构的制作方法
- 本发明公开了一种能够高可靠地制备半导体中孔纳米结构的方法，首先在限制性引导结构上进行自对准侧墙薄膜生长，进而在其上沉积嵌段共聚物材料经退火形成周期性排列的定向自组装图形，随后选择性去除某一或某些区域并保留其他区域以形成预...
- 孟令款李可为
- 一种定向自组装制备半导体纳米器件结构的方法
- 本发明公开了一种定向自组装制备半导体纳米器件结构的方法，在半导体衬底上形成硬掩膜层、心轴层、光刻堆叠层以及缓冲层，引导图案形成在缓冲层表面，之后旋涂嵌段共聚物(BCP)经退火后形成定向自组装(DSA)图案。然后将DSA图...
- 孟令款李可为周波
- 文献传递
- 一种定向自组装和掩膜调控制备半导体纳米结构的方法
- 本发明公开了一种定向自组装和掩膜调控制备半导体纳米结构的方法，在半导体衬底上形成双层硬掩膜层、光刻堆叠层以及缓冲层，在该缓冲层上旋涂一嵌段共聚物(BCP)层，经退火形成自组装模板图形；然后去除某一嵌段形成光刻图形，并将该...
- 孟令款李可为周波
- 文献传递
- 一种中孔半导体纳米结构的制作方法
- 本发明公开了一种能够高可靠地制备半导体中孔纳米结构的方法，首先在限制性引导结构上进行自对准侧墙薄膜生长，进而在其上沉积嵌段共聚物材料经退火形成周期性排列的定向自组装图形，随后选择性去除某一或某些区域并保留其他区域以形成预...
- 孟令款李可为
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- 一种非对称半导体结构的制备方法
- 本发明公开了一种非对称的半导体结构的制备方法，所述图案具有周期性或非周期性的图形，且图形两侧、图形周边或相邻图形间距大小不等。然后对衬底材料进行刻蚀，形成第一级沟槽图形，并在底部和侧壁形成钝化保护层，然后去除第一沟槽图形...
- 孟令款李可为
- 文献传递
- 一种定向自组装制备半导体纳米器件结构的方法
- 本发明公开了一种定向自组装制备半导体纳米器件结构的方法，在半导体衬底上形成硬掩膜层、心轴层、光刻堆叠层以及缓冲层，引导图案形成在缓冲层表面，之后旋涂嵌段共聚物(BCP)经退火后形成定向自组装(DSA)图案。然后将DSA图...
- 孟令款李可为周波
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- 一种基于FrFT的SAR多普勒调频率估计方法被引量：1
- 2020年
- 针对现有多普勒调频率估计方法估计精度有限的问题,提出一种新的估计方法,该方法根据线性调频信号在FrFT域具有明显聚焦的特性实现对调频率的搜索。对从脉压后的数据域提取的若干强散射单元分别进行dechirp处理,进行FFT得到频域聚焦图像。提取各距离单元最大值点并进行加窗处理,然后经IFFT变换到慢时间域与dechirp共轭参考函数相乘,根据设定的阶数进行FrFT处理。通过评估FrFT变换后信号的熵值确定阶数是否达到最优,利用搜索的最优阶数计算出多普勒调频率。在实验数据分析部分,分别利用仿真数据以及实测数据对所提方法进行验证,最终结果分析表明该方法具有很高的估计精度,经过方位匹配滤波后可以得到聚焦良好的SAR图像。
- 陈英陈涛李可为肖菊兰刘洪利
- 关键词：多普勒调频率分数阶傅里叶变换SARDECHIRP
