李国华
- 作品数：110 被引量：205H指数：8
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程电气工程更多>>
- 表面化学分子吸附增强多孔硅发光效率被引量：2
- 1998年
- 尹峰李学萍肖绪瑞张宝文曹怡李国华韩和相汪兆平
- 关键词：表面化学吸附多孔硅发光效率
- 半导体压力光谱研究
- 赵学恕李国华韩和相汪兆平唐汝
- 半导体的压力光谱是研究半导体的电子和声子结构的重要方法。该项成果首次用静压光谱技术研究半导体中杂质态的特性、鉴别半导体中的深、浅能级，并研究了ＧａＰ、ＧａＡｓ中Ｎ等电子陷阱束缚激子发光的压力特性，为等电子陷阱的研究和半导...
- 关键词：
- 关键词：光谱半导体
- 纳米硅薄膜光学性质的测定与研究被引量：8
- 2005年
- 通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙。计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度与用台阶仪测量的结果吻合很好。在620 nm波长附近的吸收系数介于吸收系数较小的晶体硅与吸收系数较大的非晶硅之间,光能隙约为1.6 eV,两者都随晶态含量增大而呈减小趋势。
- 钟立志张维佳崔敏吴小文李国华丁琨
- 关键词：纳米硅薄膜折射率
- 利用x射线小角散射技术研究微晶硅薄膜的微结构被引量：6
- 2005年
- 采用x射线小角散射 (SAXS)技术研究了由射频等离子体增强化学气相沉积 (rf PECVD)、热丝化学气相沉积(HWCVD)和等离子体助热丝化学气相沉积 (PE HWCVD)技术制备的微晶硅 (μc Si:H)薄膜的微结构 .实验发现 ,在相同晶态比的情况下 ,PECVD沉积的 μc Si:H薄膜微空洞体积比小 ,结构较致密 ,HWCVD沉积的 μ Si:H薄膜微空洞体积比大 ,结构较为疏松 ,PE HWCVD沉积的 μc Si:H薄膜 ,由于等离子体的敲打作用 ,与HWCVD样品相比 ,微结构得到明显改善 .采用HWCVD二步法和PE HWCVD加适量Ar离子分别沉积 μc Si:H薄膜 ,实验表明 ,微结构参数得到了进一步改善 .4 5°倾角的SAXS测量显示 ,不同方法制备的 μc Si:H薄膜中微空洞分布都呈各向异性 .红外光谱测量也证实了SAXS的结果 .
- 周炳卿刘丰珍朱美芳谷锦华周玉琴刘金龙董宝中李国华丁琨
- 关键词：微晶硅薄膜微结构
- 非对称耦合双阱中载流子共振隧穿和LO声子辅助隧穿的光学证据
- 1993年
- 用稳态光致发光研究了偏压下的GaAs/Ga_(0.65)Al_(0.35)As/GaAs非对称耦合双阱(ADQW)结构中电子的隧穿现象。清楚地观察到电子从窄阱到宽阱的共振隧穿和LO声子辅助隧穿效应,而且证明来自于GaAlAs势垒层中的类AlAs模式声子在LO声子辅助隧穿过程中占据主导地位。
- 徐士杰江德生李国华张耀辉罗晋生
- 关键词：半导体材料载流子
- GaN外延层的拉曼散射研究
- 李国华段树琨王晓亮
- 关键词：纳米X射线衍射拉曼光谱
- 氢化非晶硅氧薄膜微结构被引量：2
- 2002年
- 以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸收光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧（a-SiOx:H）薄膜的微结构及键构型.研究表明,在0.525≤x≤1.58的氧含量范围内,a-SiOx:H薄膜成分和结构不是均一的,依赖于局域键构型氧化程度的不同,大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分,即Si,SiO（:H）,SiO（:H）,SiO2（:H）和SiO2.其中的Si相以非氢化的非晶硅（a-Si）颗粒形式存在,随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在.提出一种多壳层模型来描述a-SiOx:H薄膜的结构,认为a-SiOx:H薄膜中a-Si颗粒依次为Si2O（:H）,SiO（:H）,Si2O3（:H）和SiO2壳层所包围.随薄膜氧含量x的增加,各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变.
- 王永谦廖显伯刁宏伟陈长勇张世斌徐艳月陈维德孔光临程文超李国华
- 关键词：微结构PECVD法发光机制
- nc-Si:H薄膜的内应力特性研究被引量：1
- 2003年
- 测试了采用PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜的内应力。利用XRD、Raman、AFM、HRTEM研究了nc-Si:H薄膜的微结构,用全场薄膜应力测试仪测量了nc-Si:H薄膜的内应力。结果表明:nc-Si:H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关,强烈依赖于制备工艺。压应力随掺杂浓度的提高而增加;在一定功率密度范围内掺磷nc-Si:H薄膜的压应力随功率密度增加而减少,并过渡为张应力;在373-523K之间,掺硼nc-Si:H薄膜的压应力随衬底温度升高而增加;nc-Si:H薄膜的压应力随氢气对硅烷稀释比的变化而变化。
- 韦文生王天民张春熹李国华韩和相丁琨
- 关键词：内应力PECVD微结构掺杂磷
- 自组织生长的量子点结构及其光学特性
- 1997年
- 自组织生长的量子点结构及其光学特性汪兆平韩和相李国华（半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院半导体研究所北京１０００８３）ＱｕａｎｔｕｍＤｏｔｓＧｒｏｗｎｂｙａＳｅｌｆ┐ＯｒｇａｎｉｚｅｄＭｅｔｈｏｄａｎｄＴｈｅｉｒＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓ...
- 汪兆平韩和相李国华
- 关键词：自组织生长光学特性半导体
- 测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响被引量：3
- 1998年
- 利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ＞８０Ｋ后呈指数下降趋势．ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用．
- 彭英才刘明何宇亮江兴流李国华韩和相
- 关键词：光致发光单晶硅氢化
