您的位置： 专家智库 > >

李志奇

作品数：5 被引量：5H指数：1
供职机构：上海交通大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇探测器
  • 3篇光电
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 2篇势垒
  • 2篇铟镓砷
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子学
  • 2篇GAAS
  • 1篇电极
  • 1篇电特性
  • 1篇砷化镓
  • 1篇千兆
  • 1篇千兆赫
  • 1篇金属
  • 1篇金属电极
  • 1篇功率MOSF...
  • 1篇光电特性
  • 1篇光电子
  • 1篇光电子技术

机构

  • 5篇上海交通大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 5篇李志奇
  • 4篇王庆康
  • 4篇史常忻
  • 1篇杨悦非
  • 1篇夏冠群
  • 1篇李晓明
  • 1篇严萍

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1990
  • 1篇1988
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
铟镓砷光电探测器
锢镓砷光电探测器，属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层、P型掺杂In<Sub>0.53</Sub>Ga<Sub>0.47</Sub>As增强层、金属电极组成。具有结构新颖、工艺简单、稳定可靠、势垒增...
史常忻王庆康李志奇
文献传递
GaAs MSM结构光电探测器的光电特性研究被引量：4
1992年
报导了作者研制的GaAs MSM—PD的直流及脉冲光电特性,对不同材料、不同结构尺寸的器件进行了试验和分析,测试结果:最大暗电流1.9nA,最高灵敏度为0.25A/W,FWHM小于110 ps(10V下),有较好的光电流和光功率线性关系,通过实验研究,发现对插指结构的器件在同一面积下受光面积与单位面积上的光电流存在最优化选择。
李志奇王庆康史常忻
关键词：砷化镓光电探测器光电特性
高频横向功率MOSFET器件的特性评述
1988年
高频横向功率MOSFET是目前用于高压集成、功率集成的重要器件。本文对该器件的特性进行了评述。提供了各种LDMOS结构及其发展趋势,评述了不同结构的特性并与其它功率MOS器件进行了比较。
李志奇
关键词：LDMOS
2千兆赫GaAs分频器设计被引量：1
1990年
本文介绍了我国自行研制成功的GaAs 2千兆赫二分频分频器的设计。其试验电路测试结果表明该设计方法的可行性。
史常忻王庆康李晓明李志奇夏冠群杨悦非严萍
关键词：分频器
铟镓砷光电探测器
铟镓砷光电探测器，属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层、P型掺杂In<Sub>0.53</Sub>Ga<Sub>0.47</Sub>As增强层、金属电极组成。具有结构新颖、工艺简单、稳定可靠、势垒增...
史常忻王庆康李志奇
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0