您的位置： 专家智库 > >

李文

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
相关领域：电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇中文专利

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇晶格
  • 8篇混沌
  • 8篇超晶格
  • 6篇噪声源
  • 6篇振荡
  • 6篇声源
  • 6篇混沌振荡
  • 4篇导体
  • 4篇电池
  • 4篇太阳能电池
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体超晶格
  • 4篇薄膜太阳能电...
  • 4篇衬底
  • 3篇信号
  • 3篇量子
  • 3篇量子限制效应
  • 3篇混沌信号
  • 3篇材料体系
  • 3篇超晶格材料

机构

  • 15篇中国科学院

作者

  • 15篇黄寓洋
  • 15篇张耀辉
  • 15篇李文
  • 8篇殷志珍
  • 6篇冯成义
  • 5篇崔国新
  • 5篇张宇翔
  • 2篇王秋阳
  • 2篇马文龙
  • 2篇吴德明
  • 2篇宋贺伦
  • 1篇许家明
  • 1篇朱明皓
  • 1篇茹占强

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2013
  • 4篇2012
  • 3篇2011
共 15 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
随机噪声源
本发明涉及一种随机噪声源，其包括半导体超晶格器件以及封装体。其中，半导体超晶格器件由采用InP衬底上的In<Sub>0.53</Sub>Ga<Sub>0.47</Sub>As/In<Sub>0.52</Sub>Al<Su...
李文黄寓洋殷志珍张耀辉
文献传递
一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法
本发明涉及一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造领域，这种制造方法，包括：使用分子束外延或者金属有机物化学气相沉积法在衬底上沉积至少包括自衬底往上生成且依次连接的隔离层、下接触层、隧道结、多结p-n结结构、顶接触层的...
黄寓洋张耀辉殷志珍崔国新张宇翔冯成义李文
随机噪声源及其制作方法
本发明涉及一种随机噪声源及其制作方法，该随机噪声源包括固定在微波印刷电路板上并与之电连接的二端半导体超晶格器件。该二端半导体超晶格器件包括：半绝缘半导体衬底，依序外延生长在半绝缘半导体衬底上的第一半导体接触层、半导体超晶...
黄寓洋张耀辉李文
文献传递
一种薄膜太阳能电池衬底的剥离转移方法
本发明涉及一种薄膜太阳能电池衬底的剥离转移技术，其具体步骤如下：首先在硬性衬底上沉积生长出一腐蚀牺牲层；然后在已生长好的腐蚀牺牲层上沉积生长出太阳能电池层；在太阳能电池层上加热黑蜡融化并自然冷凝至常温后固定在太阳能电池层...
殷志珍黄寓洋崔国新张宇翔冯成义李文张耀辉
文献传递
随机噪声源
本发明涉及一种随机噪声源，其包括半导体超晶格器件以及封装体。其中，半导体超晶格器件由采用InP衬底上的In<Sub>0.53</Sub>Ga<Sub>0.47</Sub>As/In<Sub>0.52</Sub>Al<Su...
张耀辉黄寓洋李文
文献传递
光通信系统及方法
本申请公开了一种光通信系统，包括：信息接收部，其包括光源和探测器，所述光源输出光源信号；信息发送部，其包括一空间光调制器，该空间光调制器接收所述光源信号并对其进行调制，并将反馈信息加载到所述光源信号上后反射至所述信息接收...
黄寓洋茹占强李文冯成义张耀辉
文献传递
一种薄膜太阳能电池衬底的剥离转移方法
本发明涉及一种薄膜太阳能电池衬底的剥离转移技术，其具体步骤如下：首先在硬性衬底上沉积生长出一腐蚀牺牲层；然后在已生长好的腐蚀牺牲层上沉积生长出太阳能电池层；在太阳能电池层上加热黑蜡融化并自然冷凝至常温后固定在太阳能电池层...
殷志珍黄寓洋崔国新张宇翔冯成义李文张耀辉
聚四氟乙烯清洗花篮改良结构
本实用新型涉及一种应用于半导体清洗工艺中的聚四氟乙烯清洗花篮改良结构，其包括把手和一个以上花篮本体，所述把手上设置一个以上卡槽，所述花篮本体的一侧部设置可与所述卡槽紧密插接配合的突出部。所述卡槽优选采用T型卡槽。所述花篮...
张宇翔黄寓洋崔国新殷志珍朱明皓李文许家明张耀辉
文献传递
一种基于超晶格混沌同步的通讯系统
本发明涉及一种基于超晶格混沌同步的通讯系统，包括原始信息发生装置、第一混沌信号发生装置、调制装置、解调装置、第二混沌信号发生装置以及原始信息接收装置。第一混沌信号发生装置、第二混沌信号发生装置均为基于超晶格器件的混沌信号...
张耀辉李文吴德明马文龙王秋阳宋贺伦黄寓洋
文献传递
一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造方法
本发明涉及一种串联式单片集成多结薄膜太阳能电池的制造领域，这种制造方法，包括：使用分子束外延或者金属有机物化学气相沉积法在衬底上沉积至少包括自衬底往上生成且依次连接的隔离层、下接触层、隧道结、多结p-n结结构、顶接触层的...
黄寓洋张耀辉殷志珍崔国新张宇翔冯成义李文
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0