杜小丽
- 作品数：8 被引量：24H指数：2
- 供职机构：昆明理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- 一种孔结构可调控的Co基多孔陶瓷的制备方法
- 本发明提供一种孔结构可调控的Co基多孔陶瓷的制备方法，以La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Co<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>和SrCO<Sub>3</Sub>为原料，以La：Sr...
- 虞澜王勇杜小丽倪佳覃永雄傅佳
- 文献传递
- 一种多孔陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种多孔陶瓷的制备方法，通过下述技术方案予以实现：以SrCO<Sub>3</Sub>、Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Co<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>和CuO为原料...
- 虞澜杜小丽秦梦李国芳宋世金
- 文献传递
- 长波紫外照射下高温硫化硅橡胶的微观物性及憎水性研究被引量：22
- 2014年
- 在高温硫化(HTV)硅橡胶复合绝缘子广泛应用于高海拔地区特高压输电的形势下,研究HTV硅橡胶老化性能日显迫切。本文采用自行设计的可调式紫外老化试验箱对HTV硅橡胶进行了紫外照射加速老化实验,照射光波长为320~750nm,通过测试样品表面静态接触角评价其憎水性及变化,并利用扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)以及X射线光电子能谱(XPS)等研究试样微观物性变化,进一步探讨了憎水性变化机理。研究结果表明:长波紫外照射后,HTV硅橡胶表面静态接触角下降,憎水性降低,这是由于长波紫外线切断硅氧主链两侧对称排列的Si-C键,促使侧链的非极性甲基基团发生氧化,导致其对硅氧键强极性的屏蔽作用减弱,大分子链极性增加,亲水性基团(-COOH)增加。另外,部分Si-C键断裂,生成的新自由基进一步交联和氧化,导致表面孔洞生成、填充物外露、平整度下降,这也是憎水性降低的一个重要原因。
- 覃永雄虞澜傅佳李国芳王勇郭文义杜小丽梁英
- 关键词：高温硫化硅橡胶憎水性X射线光电子能谱
- 室温铁磁Sr3YCo4-xCuxO10.5+δ(0≤x≤0.4)的制备及输运性质研究
- Sr3YCo4O10.5+δ是一种复杂层状的钙钛矿结构Co基氧化物,CoO6八面体和氧缺失层的CoO4+δ四面体沿c轴交替堆叠;同时,Sr/Y离子在ab面内有序排列,在c轴方向上以-Sr-Y-Y-Sr-的形式周期性排列。...
- 杜小丽
- 关键词：CU掺杂多孔结构热电势室温铁磁性
- 可调式紫外老化试验箱
- 本实用新型提供的可调式紫外老化试验箱，包括主箱体、控制柜，其中，主箱体设有连接控制柜的导线孔，控制柜以导线通过导线孔与主箱体连接，主箱体包括光源室、挡板和样品室，挡板上部为光源室，下部为样品室，挡板由支架和滤光片组成，滤...
- 虞澜覃永雄傅佳郭文义梁英王勇杜小丽
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- 一种多孔陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种多孔陶瓷的制备方法，通过下述技术方案予以实现：以SrCO<Sub>3</Sub>、Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Co<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>和CuO为原料...
- 虞澜杜小丽秦梦李国芳宋世金
- 文献传递
- 室温铁磁Sr_(4-x)Er_xCo_4O_(10.5+δ)(0.6≤x≤1.2)多晶电输运和磁性能被引量：1
- 2016年
- 采用固相反应法制备Sr_（4-x）Er_xCo_4O_（10.5＋δ）（0.6≤x≤1.2）多晶,系统研究了Er掺杂对体系结构、电输运和磁性质的影响。X射线衍射结果表明室温下x=0.4时多晶为立方晶系,空间群为P3—m3,0.6≤x≤1.2时,为四方晶系,空间群为I4/mmm,四方相晶格常数随着Er含量增加而减小。扫描电子显微镜结果表明,随着Er掺杂量增加,晶粒细化,晶界增加。采用四探针法测量多晶的电阻率-温度曲线,结果表明多晶样品在80-300 K为半导体电输运行为,且随Er化学计量比增加样品电阻率和热激活能增大。采用超导量子干涉仪测量多晶的磁化强度-温度曲线和磁滞回线,结果表明0.6≤x≤1.2时Sr_（4-x）Er_xCo_4O_（10.5＋δ）多晶具有室温铁磁性,Tc≈320-335 K,室温铁磁性可能源于A位Sr和Er离子有序及Co O4.5＋δ层中Co离子自旋倾斜净磁矩不为零。
- 康冶虞澜杜小丽樊堃宋世金谭红琳陈亮维杨森
- 关键词：室温铁磁性磁化强度磁滞回线
- 室温铁磁Sr_3YCo_4O_(10.5+δ)多晶的制备及其性能研究被引量：2
- 2017年
- 采用传统简便的固相烧结法制备了四方相的室温铁磁Sr_3YCo_4O_(10.5+δ)多晶。热分析、X射线衍射和扫描电镜结果表明Sr_3YCo_4O_(10.5+δ)多晶最终烧结温度应在963℃以上,较佳的烧结温度为1180℃。Sr_3YCo_4O_(10.5+δ)多晶在80~300K为半导体电输运行为,较佳烧结温度多晶的室温电阻率~78.8 mΩ·cm;多晶热电势在317~1018 K随温度增加而减小,317 K时为70.74μV/K。磁化强度-温度曲线、磁滞回线结果表明,多晶在受外加磁场、温度及晶体场的影响下,内部Co^(3+)自旋态及磁畴壁、磁矩方向发生改变,导致多晶磁化强度变化及多晶磁性的改变。外磁场(0.1 T)下的ZFC曲线在320 K出现磁化强度最大为0.46 emu/g的Hopkinson峰,居里温度(T_C)=323 K,而FC曲线在奈尔温度(T_N)=264 K时磁化强度达到最大为1.1 emu/g,TC=320 K。ZFC、FC方式下多晶均表现为室温铁磁性。
- 胡建力虞澜杜小丽宋世金
- 关键词：电输运热电势室温铁磁性
