杨祖念
- 作品数：46 被引量：75H指数：4
- 供职机构：成都师范学院更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术文化科学电子电信更多>>
- 物理教育专业实践教育体系的改革与实践被引量：2
- 2013年
- 实践能力、学习能力和创新能力已成为当今人才的能力标准,在这种情况下,加强大学实践教育的呼声正日益高涨。文章在阐述我们对实践教育理解的基础上,对物理师范生实践教育体系进行了一些改革和实践,收到了较好的效果。
- 李斌杨祖念张容吴显云
- 关键词：实践教育
- 室温电化学制备的SrWO_4多晶膜的团簇生长实验研究被引量：1
- 2005年
- 采用室温恒电流电化学技术,在含Sr2+的碱性溶液中制备出了结晶良好的、形貌可控的Sr WO4多晶膜,研究了电流密度、电极间距和衬底的处理方式,对Sr WO4多晶膜的团簇生长的影响及产生的原因.SEM分析表明,在不同的条件下,多晶膜的团簇生长行为也会有所不同.实验结果表明电流密度是影响沉积膜形貌的最主要因素,当它降到0.05mA/cm2时团簇会消失,Sr WO4多晶膜呈现层状或近层状生长;电极间距也是影响沉积膜形貌的主要因素,当它达到4.5cm时团簇已经基本消失;衬底的粗糙程度也会影响沉积膜形貌,但相对于电流密度和电极间距来说,影响的程度要小得多.作者认为,生长团簇的出现是由于材料的结构特性、晶体生长的物理化学条件等综合因素的影响而产生的.
- 陈连平余萍肖定全毕剑金晓玲杨祖念
- 关键词：团簇
- 室温电化学技术制备白钨矿CaWO_4薄膜生长特性的研究
- 2016年
- 采用室温恒电流电化学技术直接在金属钨片上制备了1~155 min不同时间的CaWO_4晶态薄膜样品,并对这些样品进行SEM和XRD测试,研究表明:电化学技术制备CaWO_4薄膜时,开始成核时间较晚,晶核和晶粒最先在基底的缺陷处形成,晶核的形成和晶粒的长大同时进行,由W-O_4负离子配位多面体的沉积和Ca^(2+)的填充来完成;晶粒长大后的形貌呈表面光滑的团簇状;晶粒数量和粒度的增加完成薄膜的生长并成为具有四方相结构的单相晶态薄膜。
- 安红娜陈连平杨祖念
- 关键词：电化学技术晶核晶粒
- 力学守恒定律与时空对称性
- 1996年
- 杨祖念
- 关键词：时空对称性不变性守恒量角动量守恒机械能守恒定律
- 电势零点的选择前提被引量：2
- 2001年
- 对不同情况下电势零点的选择进行了分析 。
- 杨祖念
- 关键词：电势零点相对性静电学
- 采用电化学技术制备SrMoO_4薄膜的生长特性实验研究被引量：4
- 2006年
- 采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上制备了具有白钨矿结构的钼酸锶(SrMoO4)多晶薄膜,着重在实验上研究了薄膜的晶体生长特性。研究表明,采用电化学技术制备SrMoO4晶态薄膜时,薄膜的生长具有如下特点:(1)晶核生成需要一定的时间,但晶核一旦生成,其形貌就比较完整;(2)晶核和晶粒优先选择在基体缺陷(折叠、划痕、缺陷、凹凸不平等)处生长和堆砌;(3)基体上晶粒的数量随着制备时间的增加而增加,晶粒的尺寸随着时间的增加而长大,晶粒逐渐从基体表面上的稀疏分布直到布满整个基体;(4)晶粒的{111}面总是显露的;(5)在薄膜生长的整个过程中,晶粒基本上以其c轴垂直于薄膜基体表面进行的。上述研究结果对进一步认识薄膜的晶体生长和利用电化学法制备晶态薄膜都具有重要意义。
- 杨祖念肖定全余萍安红娜高道江毕剑金晓玲陈连平王辉
- 关键词：电化学技术白钨矿结构晶体生长
- 电化学法制备钼酸盐和钨酸盐薄膜的生长特性研究
- 2007年
- 采用恒电流电化学技术直接在金属片M（钼或钨）上制备了具有白钨矿结构的不同体系（钼酸盐、钨酸盐）、不同时间（从薄膜开始生长到生长结束）的AMO4晶态薄膜，利用SEM技术、结合其它相关测试手段，对这些薄膜进行测试，对相应结果进行了对比分析。研究表明：在利用电化学法制备AMO4薄膜的过程中，薄膜的生长具有以下几个特性：（1）在电化学制备技术中，由电流密度分布不均匀使得基片缺陷处的电流密度大于其它位置的电流密度，使得这些位置的成核速率较大，因而晶核和晶粒优先选择在金属基体缺陷处堆砌和生长；（2）在薄膜的制备过程中，金属M发生电化学反应形成MO4^2-，一定量的MO4^2-沉积在基体表面并构成具有白钨矿结构的骨架，与A^2＋结合形成AMO4晶核和晶粒；（3）薄膜生长初期就有比较完整的晶核生成；（4）随着反应时间的延长，一方面新的晶核不断形成，基体上晶粒的密度不断增加；另一方面晶核和晶粒不断长大；经过这样的过程，最终晶粒布满整个基体形成致密的薄膜。
- 安红娜杨祖念肖定全余萍刘志强黄昕
- 关键词：电化学技术白钨矿结构钼酸盐钨酸盐晶态薄膜
- 工艺参数对电化学制备钨酸钡多晶薄膜形貌影响的研究被引量：2
- 2006年
- 采用恒电流电化学技术,在一定浓度Ba(OH)2溶液中,于室温环境下在金属钨片上制备了BaWO4多晶薄膜。利用XRD和SEM测试手段分析表征了薄膜的晶相和表面形貌;对比讨论了金属钨片表面质量、电流密度以及溶液浓度对沉积薄膜的表面形貌及晶粒生长形态的影响。研究表明,在本实验条件下制得的BaWO4多晶薄膜均具有单一的四方相结构;衬底表面质量对沉积薄膜的表面平整度有很大的影响;电流密度的大小影响晶粒几何尺寸;晶粒显露面族及几何外形因溶液浓度的改变而变化。
- 金晓玲余萍肖定全陈连平杨祖念毕剑
- 关键词：恒电流技术电化学
- 利用电化学技术制备白钨矿结构BaMoO4薄膜的成核和生长过程
- 采用恒电流电化学技术直接在金属铝片上制备了具有白钨矿结构的钼酸盐(BaMoO4)薄膜;通过EDX测试研究了该薄膜的成核和生长.研究结果表明,在薄膜生长的初期,一定数量的MoO4负离子配位多面体沉积在基片上并形成具有白钨矿...
- 安红娜杨祖念肖定全余萍陈连平黄昕王辉
- 关键词：电化学技术钼酸盐薄膜生长
- 文献传递
- BaMoO_4薄膜在电化学法制备中生长基元的实验研究被引量：2
- 2006年
- 在采用恒电流电化学技术研究BaMoO4薄膜的初期生长特性实验中,发现了若干很重要的实验现象:薄膜生长初期形成的晶核首先具有白钨矿结构的骨架;晶核和刚开始长大生成的晶粒都是疏松的,晶粒都明显显示有蜂窝状空隙存在;随着制备时间的增加,白钨矿结构骨架原先疏松的程度逐渐减弱,经过一定时间,晶粒趋于饱满,晶粒表面基本光滑;在薄膜形成的过程中,新生成的晶核也具有类似情况。结合BaMoO4薄膜电化学制备机制分析,作者认为:利用电化学技术制备BaMoO4晶态薄膜时,在生长初期基体Mo以[MoO4]2-的形式构成负离子配位多面体生长基元,这些生长基元优先选择在基体缺陷处作为白钨矿结构的晶核堆砌和生长,并进而与溶液中的[Ba]2+相连接,键合成BaMoO4晶粒,再逐渐长大。显然,该发现和研究对于丰富晶体生长动力学知识及指导利用电化学技术制备晶态薄膜都具有重要意义。
- 杨祖念肖定全余萍高道江毕剑陈连平金晓玲
- 关键词：电化学技术BAMOO4白钨矿结构
