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梁赪

作品数:4 被引量:5H指数:2
供职机构:华东师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市科学技术委员会基础研究重点项目上海市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇多孔硅
  • 2篇石墨
  • 2篇纳米
  • 1篇导电
  • 1篇电极
  • 1篇镀镍
  • 1篇修饰
  • 1篇氧化锗
  • 1篇石墨电极
  • 1篇石墨烯
  • 1篇衰减全反射
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇碳纳米管修饰
  • 1篇全反射
  • 1篇网络
  • 1篇网络架构
  • 1篇微机电系统
  • 1篇纳米管
  • 1篇空芯光纤
  • 1篇化学镀

机构

  • 4篇华东师范大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇燕山大学

作者

  • 4篇梁赪
  • 2篇王连卫
  • 1篇徐少辉
  • 1篇郭洪
  • 1篇胡文迪
  • 1篇敬承斌
  • 1篇褚君浩
  • 1篇马海生
  • 1篇吴大军
  • 1篇郭文锋
  • 1篇许春芳

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
应用于锌溴电池的石墨电极碳纳米管修饰工艺探索被引量:2
2012年
采用扫描电子显微镜(SEM)、循环伏安法、充放电实验,研究了不同修饰工艺获得的石墨/碳纳米管CNT电极的表面形貌和电化学特性,并尝试应用于锌溴电池。研究结果表明:采用碳纳米管修饰石墨电极能明显改善石墨电化学活性、并提高锌溴电池充电电流大小及电池容量。
胡文迪徐少辉梁赪许春芳王连卫
关键词:碳纳米管石墨电极
宏孔导电网络架构下的纳米石墨烯—氢氧化钴
宏多孔硅是基于微电子机械系统技术,通过清洗、氧化、光刻、刻蚀等标准工艺实验步骤,制备的形状规则的理想三维结构,大比表面积和高深宽比是此结构的优势。用作微型储能器件的基础结构时,宏多孔硅展现了优异的性能。宏多孔硅导电性极差...
梁赪
关键词:储能器件
文献传递
全反射氧化锗空芯光纤弹性弯曲半径的计算与验证被引量:3
2015年
金属的塑性形变特性使金属毛细管空芯光纤在激光传输过程中容易产生不可逆塑性形变,依据金属管材的弹塑性弯曲理论和液相沉积金属毛细管氧化锗(GeO2)空芯光纤的工艺要求,本文对铍铜和不锈钢毛细管GeO2全反射空芯光纤的弹性弯曲半径进行了计算并通过实验验证。结果表明,铍铜和不锈钢空芯光纤的最小弹性弯曲半径的计算值与实验值相吻合。
郭洪梁赪花修春马海生郭文锋敬承斌褚君浩
关键词:衰减全反射
基于MEMS技术的宏孔导电网络工艺
2016年
宏多孔硅基于MEMS技术,通过清洗、氧化、光刻和湿法刻蚀等工艺流程制备,其大比表面积的多孔三维结构可作为很好的骨架结构。以宏多孔硅为基底,在其表面以及通道内沉积集流层,制备的宏孔导电网络可作为微型储能器件电极的衬底。实验改进了传统浸泡的沉积方法,使其优化为液流沉积,显著改善了集流层沉积不均匀现象。改善后的宏孔导电网络集流层均匀性良好,在作为储能器件的衬底时,可以更好地沉积活性物质,增强其黏附性、扩大储能器件的容量,并在后续储能器件的循环测试中起到大幅度提高稳定性的作用。
梁赪吴大军王连卫
关键词:化学镀镍
共1页<1>
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