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武斌

作品数:54 被引量:38H指数:4
供职机构:中国科学院化学研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市科技计划项目更多>>
相关领域:一般工业技术理学化学工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 35篇专利
  • 10篇会议论文
  • 8篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 16篇一般工业技术
  • 9篇理学
  • 3篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学

主题

  • 34篇石墨
  • 32篇石墨烯
  • 32篇化学气相
  • 31篇气相沉积
  • 31篇化学气相沉积
  • 18篇气相
  • 18篇气相沉积法
  • 18篇化学气相沉积...
  • 14篇单晶
  • 11篇纳米
  • 7篇抛光
  • 7篇金属
  • 6篇微波辐射
  • 5篇电化学抛光
  • 5篇晶体管
  • 5篇化学抛光
  • 5篇基底
  • 5篇场效应
  • 5篇催化
  • 5篇催化剂

机构

  • 54篇中国科学院
  • 5篇中国科学院大...
  • 1篇东北师范大学
  • 1篇华中科技大学

作者

  • 54篇武斌
  • 50篇刘云圻
  • 28篇于贵
  • 20篇陈建毅
  • 19篇黄丽平
  • 17篇耿德超
  • 16篇郭云龙
  • 14篇薛运周
  • 10篇刘洪涛
  • 8篇魏大程
  • 6篇郑健
  • 6篇朱道本
  • 5篇张洪亮
  • 4篇罗庇荣
  • 4篇狄重安
  • 3篇王立锋
  • 2篇徐洁
  • 1篇王帅
  • 1篇黄曼
  • 1篇付朝阳

传媒

  • 2篇科学通报
  • 2篇物理学报
  • 2篇全国第八届有...
  • 1篇化学通报
  • 1篇物理
  • 1篇化学学报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 6篇2020
  • 3篇2019
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 8篇2013
  • 5篇2012
  • 7篇2011
  • 8篇2010
  • 1篇2009
54 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
介电层上石墨烯的制备被引量:12
2014年
石墨烯因其优异而独特的性能,自发现以来便受到了广泛的关注.为了实现石墨烯的进一步应用,可控制备大面积、高质量的石墨烯便成为研究人员需要首先攻克的难题.利用传统方法在金属基底上催化生长的石墨烯,需要先转移到介电层上才能进行后续的器件构筑.与之相比,介电层表面上直接生长石墨烯后,就可直接利用目前的硅加工工艺制备器件,从而避免因转移而引起的污染、破损,进而有望得到高质量、无污染的石墨烯样品.介绍了近年来介电层上直接生长石墨烯的研究进展,其中包括在各种传统介电层材料和新型六方氮化硼薄膜上制备石墨烯的各种方法.总结展望了介电层表面石墨烯制备的主要挑战及发展方向.
陈集思武斌刘云圻
关键词:石墨烯化学气相沉积六方氮化硼
选择性气相刻蚀半导体性单壁碳纳米管
自单壁碳纳米管被发现以来,以其优异的电学性能引起了广泛的关注和研究。但是,现有方法制备的单壁碳纳米管都是金属性管和半导体性管的混合物,为使金属性管和半导体性管各尽其用,而不是互相影响进而降低彼此的器件性能,单壁碳纳米管的...
张洪亮魏大程黄丽平陈建毅武斌刘云圻
一种制备二维四氧化三铁单晶的方法
本发明公开了一种制备等边三角形四氧化三铁单晶的方法。该方法包括:以表面具有铁镀层的铜箔为铁源,将所述铁源置于衬底上,在保护气和还原气存在的条件下,使得铜箔转换为液态后,降温至1080℃以下,通入碳源进行化学气相沉积反应,...
武斌杨云畅刘云圻
文献传递
双层石墨烯的化学气相沉积法制备及其光电器件被引量:5
2017年
石墨烯是一种具有优异性质,在光电及能源领域具有巨大应用前景的二维材料.尽管单层石墨烯具有超高的迁移率,但是它的能带结构具有狄拉克锥(K点),即价带和导带并未有明显分离,所以在半导体器件方面的应用受到一定的限制.由双层石墨烯搭建而成的双门器件,在施加外加电场的情况下,它的带隙可以打开,并在一定范围内可调,这种性质赋予了双层石墨烯在半导体器件应用方面的前景.然而机械或者液相剥离石墨烯,在层数和大小方面可控性较差.如何通过化学气相沉积法可控制备双层石墨烯是目前研究的核心问题之一.本文主要综述了如何通过化学气相沉积法制备双层石墨烯和制备双层石墨烯器件的一系列工作,其中包括最新的研究进展,对生长机理的研究做了详细的介绍和讨论,并对该领域的发展进行了展望.
杨云畅武斌刘云圻
关键词:化学气相沉积法
二维平面和范德瓦耳斯异质结的可控制备与光电应用被引量:5
2021年
自石墨烯被发现以来,二维材料因其优异的特性获得了持续且深入的探索与发展,以石墨烯、六方氮化硼、过渡金属硫化物、黑磷等为代表的二维材料相关研究层出不穷.随着二维新材料制备与应用探索的不断发展,单一材料性能的不足逐渐凸显,研究者们开始考虑采用平面拼接和层间堆垛所产生的协同效应来弥补单一材料的不足,甚至获得一些新的性能.利用二维材料晶格结构的匹配构建异质结,实现特定的功能化,或利用范德瓦耳斯力进行堆垛,将不同二维材料排列组合,从而在体系里引入新的自由度,为二维材料的性质研究和实际应用打开了新的窗口.本文从原子制造角度,介绍了二维平面和范德瓦耳斯异质结材料的可控制备和光电应用.首先简要介绍了应用于异质结制备的常见二维材料的分类及异质结的相关概念,然后从原理上分类列举了常用的表征方法,随后介绍了平面和垂直异质结的制备方法,并对其光电性质及器件应用做了简要介绍.最后,对领域内存在的问题进行了讨论,对未来发展方向做出了展望.
姚文乾孙健哲陈建毅郭云龙武斌刘云圻
关键词:异质结光电器件
一种制备大面积铜Cu(111)单晶的方法
本发明公开了一种制备大面积单晶Cu(111)的方法。该方法包括如下步骤:将多晶铜箔进行若干次处理,得到所述单晶Cu(111);每次处理均为先抛光,后退火。上述方法中,若干次至少为3次;具体为3次或4次。利用该方法所得铜箔...
武斌张家宁杨贺刘云圻
文献传递
一种单层、有序排布的等角六边形石墨烯的制备方法
本发明公开了一种制备单层、有序排布的等角六边形石墨烯的方法。该方法采用化学气相沉积法进行制备,包括下述步骤:将沉积有铜的衬底或表面放置有铜的衬底放入无水无氧的反应器中,加热使所述衬底的温度不低于1080℃,维持30-60...
武斌耿德超陈建毅黄丽平薛运周郭云龙于贵刘云圻
文献传递
一种规则氮掺杂石墨烯及其制备方法
本发明公开了一种规则形貌的氮掺杂石墨烯及其制备方法。该氮掺杂石墨烯是采用化学气相沉积法进行制备的,包括下述步骤:将金属催化剂置于反应器中,在非氧化性气氛中加热使所述催化剂升温至200~600℃,然后向所述反应器中通入碳氮...
刘云圻薛运周武斌黄丽平陈建毅耿德超于贵
文献传递
少数层石墨烯的可控制备和电性能研究
<正>石墨烯具有原子级的厚度,优异的电学性能,出色的化学稳定性和热力学稳定性,使得石墨烯在未来纳米电子学中具有重要的应用前景,已成为目前凝聚态物理和材料科学研究的热点[1]。我们探索了
刘云圻魏大程狄重安武斌郭云龙于贵
关键词:石墨烯化学气相沉积场效应晶体管
文献传递
一种规则石墨烯及其制备方法
本发明公开了一种具有规则形貌的石墨烯及其制备方法。该规则形貌的石墨烯是采用化学气相沉积法,按照包括以下步骤的方法进行制备的:将金属箔或带有金属催化剂的衬底放入无氧无水的反应器中,使金属箔或衬底的温度达到800~1050℃...
武斌耿德超黄丽平
文献传递
共6页<123456>
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