毛寒松
- 作品数：4 被引量：7H指数：1
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- 相关领域：电子电信文化科学化学工程更多>>
- 新型功率混合集成电路材料——氮化铝
- 2000年
- 1 前言长期以来,绝大多数功率混合集成电路的陶瓷封装材料一直沿用Al2O3,和BeO陶瓷,但由于性能、环保、成本等因素,已不能完全适合功率电子器件发展的需要,因此,一种综合性能优越的新型电子陶瓷—A1N陶瓷,无疑将成为传统Al2O3和BeO封装和基板的替代材料。 AIN是—种纤锌矿结构的Ⅲ—Ⅴ族合成化合物,于19世纪60年代被发现。尽管单晶AIN理论热导率达到320W/mK,单晶或多晶AIN因为晶格中隙入氧和金属杂质而使热导率降低很多。
- 毛寒松王传声崔嵩
- 关键词：氮化铝功率混合集成电路半导体材料
- 新型功率混合集成电路材料——氮化铝(AlN)被引量：7
- 2001年
- 本文主要介绍了AlN的成瓷工艺 ,金属化方法、特性及在新型电子元器件中的应用示例 ,AlN在功率电子领域有望取代BeO ,成为本世纪大量应用的主导电子材料。
- 毛寒松王传声崔嵩
- 关键词：功率混合集成电路氮化铝封装材料
- 氮化铝陶瓷的制造与应用
- 2001年
- 长期以来,绝大多数功率混合集成电路的陶瓷封装材料一直沿用Al_2O_3和BeO陶瓷,但由于性能、环保、成本等因素逐渐显露出已不能完全适合功率电子器件发展的需要,因此,一种综合性能优越的新型电子陶瓷——AlN陶瓷,无疑将成为传统Al_2O_3和BeO封装和基板的替代材料。 AIN是一种纤锌矿结构的合成Ⅲ-Ⅴ化合物,于19世纪60年代被发现。
- 毛寒松王传声崔嵩
- 关键词：氮化铝陶瓷功率混合集成电路
