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汪金铭

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇混频
  • 3篇混频器
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇电路
  • 2篇射频集成
  • 2篇射频集成电路
  • 2篇集成电路
  • 2篇放大器
  • 1篇低噪声设计
  • 1篇双平衡混频器
  • 1篇片上系统
  • 1篇平衡混频器
  • 1篇硅工艺
  • 1篇本振
  • 1篇SIGE_B...
  • 1篇硅
  • 1篇E工艺
  • 1篇KU波段

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇汪金铭
  • 2篇韩磊
  • 1篇谢李萍
  • 1篇马建国

传媒

  • 1篇电子科技大学...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
SiGe BiCMOS工艺Ku波段低噪声放大器和混频器RFIC设计
随着设计水平和应用要求的不断提高，无线通信系统向着小型化和集成化方向发展。片上系统(System on Chip,SoC)成为业界焦点。近年来，SiGe BiCMOS片上系统的全集成设计己成为国内外学术界和工业界研究的热...
汪金铭
关键词：射频集成电路低噪声放大器混频器片上系统
文献传递
基于硅工艺的12GHz单片接收RF Front-End设计
2006年
提出了一种基于硅材料的、工作在12 GHz频率的用于接收卫星数字图像广播的单片射频前端系统,该系统含有低噪声放大器、混频器和第二级放大器,所有的电路都集成在硅材料工艺中,可以用于频率在12GHz的卫星通信频段信号的接收。
马建国韩磊谢李萍汪金铭
关键词：硅低噪声放大器混频器本振
12．5GHz基于SiGe工艺超低噪声混频器芯片设计
本文设计了工作在12GHz基于Gilbert单元为核心的BiCMOS有源双平衡下混频器。通过采用了一种改进型的Gilbert双平衡混频器结构,这种结构可以实现射频信号功率和噪声的同时匹配以达到提高噪声性能指标的目的。该混...
汪金铭韩磊
关键词：射频集成电路SIGE低噪声设计
文献传递
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共1页<1>
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