燕英强
- 作品数：11 被引量：10H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种基于TSV工艺的晶圆级硅基板制备方法
- 本发明公开了一种基于TSV工艺的晶圆级硅基板制备方法,包括以下步骤：采用DRIE工艺在基板圆片上制备第一盲孔；第一盲孔内壁淀积绝缘层、黏附/扩散阻挡层和种子层金属；第一盲孔内电镀铜，并采用CMP工艺进行电镀铜平坦化；在基...
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- 文献传递
- 一种晶圆级高深宽比TSV封装基板制备方法
- 本发明公开了一种晶圆级高深宽比TSV封装基板制备方法。所述方法包括以下工艺步骤：采用DRIE工艺在基板圆片上制备通孔，通孔贯穿基板；通孔侧壁淀积钝化层；在圆片双面淀积通孔侧壁黏附/扩散阻挡层和种子层金属；将淀积有种子层金...
- 燕英强吉勇丁荣峥
- 文献传递
- 一种硅基气密性密封结构及其制造方法
- 本发明公开了一种硅基气密性密封结构及其制造方法，该密封结构包括具备完整通孔填充第一金属、表面钝化、背面带有焊盘的硅基板，硅基板正面填充带有开口的聚合物介质层，开口内填充第二金属；聚合物介质层上表面设置金属布线层和绝缘层，...
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- 高深宽比硅通孔检测技术研究
- 2014年
- 由于SEM显微镜、FIB显微镜检测高深宽比硅通孔耗时、费用高,研究了垂直扫描白光干涉技术检测硅通孔的可行性。设定刻蚀/钝化时间比率,改变深硅刻蚀功率和刻蚀时间,获得不同深度和侧壁粗糙度的硅通孔,并用垂直扫描白光干涉技术进行检测。研究结果表明垂直扫描白光干涉技术可以观察硅通孔的形状、测量侧壁粗糙度、精确无损测量硅通孔深度,可以替代SEM、FIB检测方法。
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- 关键词：白光干涉无损检测
- 硅基密封气密性及结构强度研究被引量：1
- 2014年
- 探讨了硅基气密性封装的可行性,将电镀镍-金镀层的柯伐盖板、密封区金属化的硅基板用金锡焊料片通过熔封形成密封。硅是一种脆性材料,在硅基气密性密封结构中,需要研究气密性封装腔体大小对结构强度的影响(规律),以及可承受的压力。试验结果表明,腔体小于11 mm×27 mm时(腔体高度不限),350μm厚度的硅基板可直接与柯伐盖板密封,密封结构中的硅基板不会碎裂且可承受至少0.1 MPa的压力。
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- 关键词：气密性
- 基于圆片级硅通孔工艺基板的结构强度增强的制作方法
- 本发明公开了一种基于圆片级硅通孔工艺基板的结构强度增强的制作方法，其包括以下步骤：在已完成通孔、绝缘层制备、通孔已填充金属的圆片背面制作具有开口的介质层，所述开口对应每一个有填充金属的位置；在开口中电镀或化镀填充金属形成...
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- 3D-TSV封装技术被引量：9
- 2014年
- 3D-TSV封装技术是实现多功能、高性能、高可靠且更轻、更薄、更小的系统级封装最有效的技术途径之一。3D-TSV封装关键技术包括:通孔制作、通孔薄膜淀积、磁控溅射、通孔填充、铜化学机械研磨、超薄晶圆减薄、芯片/晶圆叠层键合等。阐述了每种关键技术的工艺原理、技术特点、应用范围及发展前景,关键设备、关键材料以及TSV在三维封装技术中的应用。
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- 一种晶圆级高深宽比TSV封装基板制备方法
- 本发明公开了一种晶圆级高深宽比TSV封装基板制备方法。所述方法包括以下工艺步骤：采用DRIE工艺在基板圆片上制备通孔，通孔贯穿基板；通孔侧壁淀积钝化层；在圆片双面淀积通孔侧壁黏附/扩散阻挡层和种子层金属；将淀积有种子层金...
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- 一种硅基气密性密封结构及其制造方法
- 本发明公开了一种硅基气密性密封结构及其制造方法，该密封结构包括具备完整通孔填充第一金属、表面钝化、背面带有焊盘的硅基板，硅基板正面填充带有开口的聚合物介质层，开口内填充第二金属；聚合物介质层上表面设置金属布线层和绝缘层，...
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- 基于圆片级硅通孔工艺基板的结构强度增强的制作方法
- 本发明公开了一种基于圆片级硅通孔工艺基板的结构强度增强的制作方法，其包括以下步骤：在已完成通孔、绝缘层制备、通孔已填充金属的圆片背面制作具有开口的介质层，所述开口对应每一个有填充金属的位置；在开口中电镀或化镀填充金属形成...
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