王玮
- 作品数：4 被引量：32H指数：2
- 供职机构：湖北大学物理学与电子技术学院更多>>
- 发文基金：武汉市青年科技晨光计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 溶胶-凝胶法制备外延Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜及其结构与性能研究被引量：6
- 2002年
- 应用溶胶 凝胶技术在Pt MgO(10 0 )衬底上成功地制备了Ba0 .65Sr0 .3 5TiO3 外延薄膜 .XRD和SEM分析结果表明 :该薄膜在O2 气氛中 6 5 0℃热处理 1h后 ,其 (0 0 1)面是沿着Pt(10 0 )和MgO(10 0 )面外延取向生长的 ;薄膜表面均匀致密 ,厚度为2 6 0nm ,平均晶粒大小为 4 8.5nm .当测试频率为 10kHz时 ,BST薄膜的介电常数和损耗因子分别为 4 80和 0 .0 2 .介电常数 温度关系测试结果表明 :sol gel工艺制备的Ba0 .65Sr0 .3 5TiO3 薄膜其居里温度在 35℃左右 ,且在该温度下Ba0 .65Sr0 .3 5TiO3 薄膜存在扩散铁电相变特征 .当外加偏置电压为 3V时 ,BST薄膜的漏电流密度为 1.5× 10 -7A cm2 .该薄膜可作为制备新型非制冷红外焦平面阵列和先进非制冷红外热像仪的优选材料 .
- 章天金王玮杨向荣
- 关键词：溶胶-凝胶工艺电性能
- 低压ZnO压敏陶瓷晶粒边界电子陷阱态的研究(英文)被引量：2
- 2002年
- 应用HP4192A低频阻抗分析仪测量了低压ZnO压敏陶瓷的复电容曲线 ,研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律 ,探讨了晶粒边界耗尽层中电子陷阱的种类和起因 ,并对电子陷阱的特征参数进行了表征 .实验发现 :在低压ZnO压敏陶瓷中存在两种非理想的Debye弛豫现象 ,对于每一种弛豫 ,其复电容曲线存在压低现象 ,且其压低角随着烧结温度的升高而迅速减小 .在低压ZnO压敏陶瓷的耗尽层区域内存在两种电子陷阱 ,它们分别位于导带底 0 .2 0 9eV和 0 .34 2eV处 ,其中 0 .2 0 9eV处的陷阱能级对应于本征施主Zn×i的二次电离 ,而 0 .34 2eV处的陷阱能级对应于氧空位VO 的一次电离 .
- 章天金顾豪爽王玮
- 关键词：低压ZNO压敏陶瓷
- 外延Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜的Sol-Gel法制备及其电性能研究被引量：1
- 2002年
- 以 Ba(CH3COO) 2 、Sr(CH3COO) 2 和 Ti(OC4 H9) 4为原料 ,以乙二醇甲醚为溶剂、冰乙酸为催化剂 ,应用溶胶 -凝胶技术在 Pt/ Mg O(10 0 )衬底上成功地制备了处延生长 Ba0 .6 5Sr0 .35Ti O3薄膜。 XRD和 SEM分析结果表明 ,该薄膜在 O2 气氛中 6 5 0°C热处理 1h后 ,其 (0 0 1)面是沿着 Pt(10 0 )和 Mg O(10 0 )面外延取向生长的 ,其平均晶粒大小为 4 8.5 nm。电性能测试结果表明 ,当测试频率为 10 k Hz时 ,其介电常数和损耗因子分别为 4 80和 0 .0 2。电滞回线测试结果表明 ,外延生长 Ba0 .6 5Sr0 .35Ti O3薄膜的剩余极化为 2 .8μC/ cm2 ,其矫顽场为 5 2 k V/ cm。
- 章天金王玮杨向荣
- 关键词：铁电薄膜电性能
- Ba_(0.64)Sr_(0.36)TiO_3薄膜的介电与热释电性能的研究被引量：24
- 2002年
- 应用溶胶 -凝胶工艺在Pt/SiO2 /Si(10 0 )衬底上制备了Ba0 .6 4Sr0 .36 TiO3薄膜 ,研究了薄膜的结构与电学性能。实验结果表明 :Ba0 .6 4·Sr0 .36 TiO3薄膜经 70 0℃热处理 1h ,薄膜呈现出钙钛矿结构。当测试频率为 2 0 0Hz时 ,薄膜的介电常数和损耗因子分别为 5 92和 0 .0 2 8。在40℃时 ,Ba0 .6 4Sr0 .36 TiO3薄膜存在一扩散铁电 -顺电相变。在室温 (2 5℃ )、10 0kHz条件下测试薄膜的C -V特性得到一“蝶形”曲线 ,表明Ba0 .6 4Sr0 .36 TiO3薄膜在室温下处于铁电相 ,且当直流偏压从 -5V增至 + 5V期间 ,薄膜电容由 495 pF增至 110 8pF。热释电性能测试结果表明 :室温下Ba0 .6 4Sr0 .36 TiO3薄膜的热释电系数为 1860 μC/(m2 ·K) ,材料的优值为 3 7.4μC/(m3·K) ,这些结果表明 :应用溶胶 -凝胶工艺制备的Ba0 .6 4Sr0 .36
- 章天金王玮
- 关键词：钛酸锶钡薄膜介电性能溶胶-凝胶工艺红外材料
