您的位置: 专家智库 > >

石成儒

作品数:13 被引量:36H指数:3
供职机构:浙江大学分析测试中心更多>>
发文基金:浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信自然科学总论一般工业技术更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 5篇金刚石膜
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 3篇金刚石薄膜
  • 2篇石英玻璃
  • 2篇气相沉积
  • 2篇热丝
  • 2篇热丝化学气相...
  • 2篇中子
  • 2篇中子发生器
  • 2篇纳米金刚石薄...
  • 2篇金刚石
  • 2篇加速器
  • 2篇刚石
  • 2篇成核
  • 1篇等离子体法
  • 1篇低能加速器
  • 1篇低压
  • 1篇电子流
  • 1篇镀膜

机构

  • 6篇浙江大学
  • 4篇杭州大学
  • 3篇兰州大学
  • 1篇加州理工学院

作者

  • 13篇石成儒
  • 5篇邱东江
  • 3篇吴惠桢
  • 3篇庞国锋
  • 2篇韩高荣
  • 2篇郝天亮
  • 1篇苏桐岭
  • 1篇陈克凡
  • 1篇曾跃武
  • 1篇朴禹伯
  • 1篇潘民生
  • 1篇陈奶波
  • 1篇朱学培
  • 1篇徐晓玲
  • 1篇水永清
  • 1篇洪忠悌
  • 1篇郑志豪
  • 1篇杨保太
  • 1篇江兴流
  • 1篇杨成

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 2篇杭州大学学报...
  • 1篇科技通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇核技术
  • 1篇表面技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇广西大学学报...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第三次电磁场...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2004
  • 3篇2002
  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1989
  • 1篇1986
  • 1篇1900
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
300KV中子发生器
郑志豪苏桐岭孙别和石成儒杨保太江兴流潘民生朱学培陈克凡洪忠悌杨成刘绍湘水永清张之
小型低能加速器作为强中子源,在核物理研究、活化分析、地质探矿、肿瘤治疗和国防科研等方面均有重要意义。该发生器的技术指标为:(1)空载电压320KV;(2)在300KV1.5毫安靶流下能稳定工作;(3)靶面有效直径φ36m...
关键词:
关键词:加速器低能加速器中子源中子发生器
RF-HFCVD生长高质量纳米金刚石薄膜被引量:2
2002年
采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积 (RF HFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了高质量的纳米金刚石薄膜 .研究了衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性和光学性质的影响 ,其最佳值分别为70 0℃、2× 133Pa和 2 0 0W .在该条件下金刚石成核密度达 10 11cm-2 ,经 1h生长即获得连续薄膜 ,其平均晶粒尺寸为 2 5nm ,表面粗糙度仅为 5 5 ,在近红外区域 (80 0nm处 )的光透过率达 90 % .
邱东江吴惠桢陈奶波石成儒
关键词:纳米金刚石薄膜
石英玻璃的MeV离子注入效应(英文)
1989年
用电子顺磁共振和光吸收法研究了1—17MeV^(35)Cl和^(19)F离子注入石英玻璃产生的缺陷的特性,并与2MeV质子注入和0.633MeVγ射线辐照的结果作了比较。观察到MeV重离子轰击下石英表面发生分裂和密度变化现象。对于17MeV^(35)Cl^(+4)离子,注入通量约为1×10^(11)Clcm^(-2)下,体收缩率约为0.36 %。
石成儒T.A.Tombrello
关键词:石英玻璃离子注入
低压等离子体结合热解法制备金刚石膜
1995年
金刚石膜具有与天然金刚石相似的优异特性,预计会有十分广阔的应用前景.本文介绍了一种新颖的金刚石膜生长技术─—强流电子增强化学气相沉积法(IECVD),它结合了传统的热丝法和等离子体法各自的优点,成为一种具有较高生长速率,能够制备大面积均匀金刚石膜的技术.对用这种方法制备的金刚石膜进行了喇曼、扫描电镜和X-Ray衍射分析,并对这项技术的优点作了阐述.
庞国锋石成儒韩惠雯
关键词:金刚石等离子体法热解法低压
热丝化学气相沉积法在CH_4/H_2混合气体中低温生长超薄纳米金刚石膜(英文)被引量:7
2006年
用热丝化学气相沉积方法研究了低温(-550℃)和低反应气压(-7 Torr)下硅片上金刚石膜的成核和生长.成核过程中采用2.5%的CH。浓度,在经充分超声波预处理的硅片上获得了高达1.5×10^11cm^-2的成核密度.随CH4浓度的增加所成膜中的金刚石晶粒尺寸由亚微米转变到纳米级.成功合成了表面粗糙度小于4nm、超薄(厚度小于500nm)和晶粒尺寸小于50nm的纳米金刚石膜.膜与衬底结合牢固.膜从可见光至红外的光吸收系数小于2×10^4cm^-1.用我们常规的HFCVD技术,在低温度和低压下可以生长出表面光滑超薄的纳米金刚石膜.
张衡郝天亮石成儒韩高荣
关键词:热丝化学气相沉积超声波预处理
多种材料上金刚石膜的成核和生长研究被引量:2
1997年
采用改进的热丝化学气相沉积(AHFCVD)装置,在四类六种不同性质衬底材料(W、Mo、Cu、Si、SiO_2、Al_2O_3)上研究了金刚石膜成核与生长特性。研究了基片材料特性(如材料的结晶特性、晶格常数、热膨胀系数、化学性质等)、沉积条件及基片预处理对金刚石膜成核与生长特性的影响。实验结果表明,在六种不同性质的材料上都能生长多晶金刚石膜,与是否形成碳化物中间层无关。反应气压、衬底温度和CH_4/H_2比例对其形貌、质量、成核密度的影响趋势是一致的,但也有它们各自的特点。对提高金刚石膜的质量及膜与基片的结合强度提出了一些改进措施。
邱东江石成儒曾耀武郝天亮庞国锋
关键词:金刚石膜成核化学气相沉积镀膜衬底
强电子流增强化学气相沉积法生长金刚石膜
1992年
金刚石具有许多优异特性,掺杂后可成为半导体.常规的高温高压合成方法难于成膜,特别是很难控制掺杂的深度分布和产生适合制作器件的良好结构.近年来迅速发展了多种低压气相金刚石膜生长技术,在低压(≤1atm)和低温(1000℃)下制成了金刚石多晶膜.但是,各种方法都存在不少问题:难于获得大面积,均匀的膜,膜表面粗糙,膜内存在大量的缺陷,与基体结合差等.限制了它在电子、光学、机械等领域的应用.为了解决这些困难,我们正在研究发展一种强电子流增强化学气相沉积(HECVD)制备金刚石膜技术.
石成儒庞国锋徐月明邱东江
关键词:金刚石膜化学气相沉积
强中子发生器、离子光路计算和物理设计中的一些问题
朴禹伯石成儒王亮涛
关键词:离子光学离子加速器
石英玻璃上生长表面光滑高光透射率的金刚石膜
2004年
石英玻璃衬底在金刚石粉和丙酮形成的悬浮液中超声波预处理 ,有效提高了金刚石成核密度。在最佳预处理和热丝化学气相沉积条件下 ,成核密度高达 10 10 cm-2 以上。采用HFCVD中四步法生长工艺 ,制备出了表面粗糙度小于 10nm、膜厚 30 0nm、晶粒直径 10 0nm~ 15 0nm、致密、均匀、高质量和高光透射率的金刚石膜 ,其 1μm~ 5 μm波段的光透射率达 74 %~85 %。金刚石膜与石英玻璃衬底结合牢固 ,膜中无裂纹。
郝天亮石成儒韩高荣
关键词:金刚石膜石英玻璃膜厚表面光滑热丝化学气相沉积
热丝碳化促进CVD金刚石成核增强的物理机制被引量:6
2002年
采用扫描电镜、X射线衍射及喇曼光谱等手段研究了HFCVD过程中热丝碳化对金刚石成核特性的影响。热丝经充分碳化后能发射出更多热电子,进而从反应气体中激发出更多原子H和CH3+,使金刚石晶核的孕育期大为缩短,3min内即可在未经表面预处理的Si衬底上获得1010cm-2以上的高晶核密度。
邱东江吴惠桢石成儒徐晓玲郝天亮
关键词:金刚石成核CVD金刚石膜
共2页<12>
聚类工具0