肖志松
- 作品数：102 被引量：128H指数：7
- 供职机构：北京航空航天大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程化学工程更多>>
- 稀土离子掺杂氟碲钨酸盐玻璃制备及发光性质
- 采用传统的高温熔融法,制备了一系列不同掺杂浓度的Ho,Yb共掺杂氟硫酸盐玻璃样品。样品中各组分的摩尔百分比分别为(69-x)TeO-20BaF10NaF-1HoOYbF3(X=1.0,1.5,2.0,2.5,3.0)。应...
- 刘佳铭黄馨肖志松
- 关键词：光致发光
- 文献传递
- 高k介质在新型半导体器件中的应用被引量：4
- 2012年
- 当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下,SiO_2作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要,用高k材料替代SiO_2是必然选择.然而,由于高k材料自身存在局限性,且与器件其他部分的兼容性差,产生了很多新的问题如界面特性差、阈值电压增大、迁移率降低等.本文简要回顾了高k栅介质在平面型硅基器件中应用存在的问题以及从材料、结构和工艺等方面采取的解决措施,重点介绍了高k材料在新型半导体器件中的应用,并展望了未来的发展趋势.
- 黄力黄安平郑晓虎肖志松王玫
- 关键词：高K材料FINFET
- 一种精确测量相距微小距离下两处磁场一致性的方法
- 本发明公开了一种利用原子干涉仪精确测量相距微小距离下两处磁场一致性的方法，构建一种原子干涉回路，通过测量磁场中相距微小距离的两个相干原子波包一致性的演化，来评估两处磁场的一致性。其中，两个相干原子波包的距离长短和方向可以...
- 亓鲁房建成全伟肖志松
- 文献传递
- 一种LED路灯二次光学透镜
- 本发明涉及一种LED路灯二次光学透镜，由内外两层曲面构成，LED灯位于透镜内曲面所构成的凹槽内；其特征在于：所述透镜外曲面具体是由圆环体与椭圆柱体切割而成的曲面体，该曲面体的上表面呈椭球面状，横断面为扇形平面，侧斜面为倾...
- 黄安平肖志松郑晓虎朱放邓思盛
- 高浓度掺铒硅发光薄膜的制备
- E<'3+>在石英光纤中的成功应用开拓了掺Er光纤放大器和光纤激光器，成为光通讯技术发展中的重大突破;Er<'3+>第一激发态到基态的跃迁发出的光波长为1.54μm，正好对应于标准石英光纤的最小吸收窗口，因此，掺Er硅在...
- 肖志松徐飞谢大韬
- 关键词：掺铒硅发光薄膜
- 文献传递
- RE(La、Dy)/Si多层膜的结构研究
- 2000年
- 利用XRD、TEM、SEM等技术,对热处理前后的La/Si和Dy/Si多层膜样品的结构进行了研究.在未退火时,La/Si多层膜中形成了非晶态LaSi合金,Dy/Si多层膜存在非晶硅和纳米结构的Dy.两类多层膜中均未有稀土硅化物形成;经过400℃热处理后,多层膜中的稀土原子和硅原子的扩散加强,两元素之间的相互作用也随之增强,La/Si多层膜开始析出LaSi2-x相,Dy/Si多层膜中开始析出DySi2-c相.随着热处理温度的升高,La/Si多层膜样品中LaSi2-x硅化物的量逐渐增加,结晶逐渐完整;Dy/Si多层膜中DySi2-x硅化物相量逐渐增加,结晶逐渐完整.
- 程国安游琼玉徐飞肖志松叶敦茹
- 关键词：多层膜
- MEVVA离子源(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜近红外光致发光的研究被引量：1
- 2000年
- 利用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO_2/Si薄膜,获得高浓度Er掺杂硅基发光薄膜。RBS分析表明,稀土元素Er离子掺杂到热氧化SiO_2/Si薄膜中的Er原子浓度百分比达到～10at.％,即Er原子体浓度为～10^(21)/cm^3。这是高能离子注入所不能达到的,它为稀土Er离子高掺杂硅基发光薄膜的制备提供了一个新途径。XPS研究发现,热氧化SiO_2膜厚,溅射保留量多;Er以固溶态存在。在77K下,我们获得了近红外区1540 nm处较强的光致发光。氧离子对Er掺杂热氧化SiO_2/Si薄膜近红外光致发光起了很大作用,发光强度提高了3～5倍。
- 徐飞程国安肖志松朱景环王水凤张通和
- 关键词：热氧化双注入光致发光
- 专业物理实验的实践教学研究
- 肖志松黄安平王金良王玫苗明川
- 一种多孔Ni(OH)<Sub>2</Sub>纳米笼及其制备方法
- 本发明公开了一种多孔Ni(OH)<Sub>2</Sub>纳米笼及其制备方法。包括如下步骤：第一步是通过化学沉淀法得到Ni<Sub>3</Sub>[Co(CN)<Sub>6</Sub>]<Sub>2</Sub>；第二步，将...
- 肖志松陈晓娟张浩
- 文献传递
- 高k/SiO2/Si界面对全栅结构费米能级钉扎效应的影响
- 本文在电子态密度模型研究金属栅/高k结构费米能级钉扎效应的基础上，重点分析了高k/SiO2/Si中间层氧空位对全栅结构费米能级钉扎效应的影响，理论研究表明SiO2中氧空位对金属/高k界面真空能级产生影响，并进一步改变其费...
- 李越黄安平王玫肖志松
- 关键词：界面电荷
