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臧松干

作品数：27 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 22篇晶体管
  • 17篇场效应
  • 17篇场效应晶体管
  • 13篇半导体
  • 12篇驱动电流
  • 12篇漏电
  • 12篇漏电流
  • 8篇芯片
  • 7篇电路
  • 6篇栅控
  • 6篇集成电路
  • 6篇集成度
  • 6篇功耗
  • 5篇隧穿
  • 5篇沟道
  • 4篇电离
  • 4篇开关速度
  • 4篇半导体器件
  • 3篇低功耗
  • 3篇电路芯片

机构

  • 27篇复旦大学

作者

  • 27篇臧松干
  • 26篇张卫
  • 26篇王鹏飞
  • 7篇孙清清
  • 5篇刘昕彦
  • 4篇丁士进
  • 1篇林曦

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2013
  • 7篇2012
  • 4篇2011
  • 15篇2010
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
凹陷沟道的碰撞电离型场效应晶体管及其制造方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，具体为一种凹陷沟道的碰撞电离型场效应晶体管及其制造方法。包括一个半导体衬底，位于衬底底部的具有第一种掺杂类型的漏区，位于衬底内的凹槽结构，覆盖在凹槽内的栅极，位于栅极与半导体衬底之间的栅...
臧松干刘昕彦王鹏飞张卫
一种隧穿场效应晶体管及其制造方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括一个源极、一个漏极、一个栅极、以及一个衬底。所述半导体器件的沟道向衬底内凹陷，使其漏电流降低的同时驱动电流上升。本发明还公开了上述半导体器...
王鹏飞臧松干孙清清张卫
文献传递
凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的集成电路及其制造方法
本发明属于集成电路技术领域，具体公开了一种半导体集成电路。该半导体集成电路包括一个栅控PNPN晶体管和一个MOS晶体管。所述集成电路中的栅控PNPN晶体管和MOS晶体管均采用凹陷型沟道结构，可在提高驱动电流的同时抑制漏电...
臧松干刘昕彦王鹏飞张卫
文献传递
一种半导体存储器结构及其控制方法
本发明属于半导体非挥发性存储器技术领域，具体公开了一种半导体存储器结构及其控制方法。该半导体存储器包括至少一个半导体衬底、一个用于对半导体存储器进行控制的隧穿晶体管结构、一个用于存储信息的存储单元和一个用于连接存储单元的...
王鹏飞臧松干孙清清丁士进张卫
文献传递
一种凹陷沟道的PNPN场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种凹陷沟道的PNPN场效应晶体管。凹陷型的沟道结构使得晶体管在减小漏电流的同时增大了驱动电流。同时，本发明还公开了上述PNPN场效应晶体管的制造方法。采用本发明的PNPN场效应晶体管的隧穿结更加陡直，而且可...
臧松干王鹏飞张卫
文献传递
一种自对准的U型凹槽制造方法
本发明属于半导体芯片技术领域，具体为一种自对准的U型沟槽制造方法。包括：以氧化硅为掩膜刻蚀半导体衬底；形成氮化硅侧墙；在暴露的半导体衬底上生长氧化硅；剥除氮化硅侧墙；以氧化硅为掩膜刻蚀暴露出的半导体衬底形成器件的U型沟槽...
王鹏飞臧松干张卫
文献传递
一种互补栅控PNPN场效应晶体管及其制造方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种互补栅控PNPN场效应晶体管及其制备方法。该晶体管由源极为窄禁带宽度的凹陷沟道的N型栅控PNPN场效应晶体管和P型栅控PNPN场效应晶体管组成。所述晶体管的凹陷沟道使其漏电流得到...
王鹏飞臧松干张卫
一种在单块芯片上集成高性能器件与低功耗器件的制造方法
本发明属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种在单块芯片上集成碰撞电离场效应晶体管（IMOS）与隧穿场效应晶体管（TFET）的制造方法，其中通过控制第三次离子注入的剂量，不仅可以制造出相同沟道类型的TFET和与IMOS，...
臧松干王鹏飞张卫
垂直沟道双栅隧穿晶体管及其制备方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体本发明公开了一种半导体器件，它包括一个N型隧穿晶体管和一个P型MOS晶体管。对于N型隧穿晶体管，采用垂直沟道双栅结构；对于P型MOS晶体管，采用凹陷沟道结构。本发明还公开了上述半导体器件...
臧松干王鹏飞张卫
一种新型高速嵌入式动态随机存储器
2012年
基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器。该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成。MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极管的p型掺杂区,同时也是电荷存储单元。写"0"操作通过正向偏置二极管实现,而写"1"操作通过反向偏置二极管,同时在控制栅上加负电压使栅控二极管工作为隧穿场效应晶体管(Tunneling FET)来实现。由于正向偏置二极管和隧穿晶体管开启时接近1μA/μm的电流密度,实现了高速写操作过程,而且该器件的制造工艺与闪烁存储器和逻辑器件的制造兼容,因此适合在片上系统(SOC)中作为嵌入式动态随机存储器使用。
臧松干王鹏飞林曦刘昕彦丁士进张卫
关键词：栅控二极管
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