蒋良兴
- 作品数：298 被引量：146H指数：9
- 供职机构：中南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技支撑计划湖南省院士基金更多>>
- 相关领域：电气工程冶金工程金属学及工艺理学更多>>
- 一种废旧磷酸铁锂黑粉提锂后磷铁渣合成磷酸铁锂的方法
- 本发明公开了一种废旧磷酸铁锂黑粉提锂后磷铁渣经预除杂合成磷酸铁锂的方法，包括以下步骤：步骤(1)：将磷铁渣于除杂浸渍液中进行预除杂浸出，获得磷铁浸出渣和除杂液，所述除杂浸渍液中H<Sup>+</Sup>的浓度≤0.6mo...
- 蒋良兴刘怀峻刘芳洋张宗良郑文军周嫄朱坤
- Cu_2ZnSnS_4薄膜的制备及其表征被引量：2
- 2014年
- 采用Cu-Zn-Sn三元合金靶,以直流反应磁控溅射原位生长的技术制备Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜材料。采用X线能量色散谱仪、扫描电镜、X线衍射仪、拉曼光谱、紫外可见分光光度计和霍尔效应测试系统对薄膜进行表征。研究结果表明:原位生长的CZTS薄膜的成分呈富铜贫锌,具有均质、致密和平整的形貌,且由贯穿整个薄膜厚度的柱状颗粒组成;薄膜在(112)面呈现出明显的择优取向,均为P型材料且具有器件级载流子浓度;随着溅射功率的升高,薄膜的形貌、结晶性能、电学性质均得到一定程度改善。
- 张坤赵联波陈志伟秦勤蒋良兴刘芳洋赖延清李劼刘业翔
- 关键词：反应磁控溅射太阳电池
- 一种亚微米级铝基合金粉体的制备方法
- 本发明提供了一种亚微米级铝基合金粉体的制备方法，包括如下步骤：步骤一：将亚微米级氢氧化铝粉体和外加剂混合，并进行水化处理后得到的水化氢氧化铝粉体于保护气氛下一段焙烧，得到γ‑氧化铝；步骤二：将步骤一得到的γ‑氧化铝酸洗后...
- 刘芳洋蒋良兴艾亮贾明
- 文献传递
- 铅合金微观结构对其腐蚀行为的影响被引量：11
- 2015年
- 铅合金由于在硫酸体系中稳定性好而广泛应用于湿法冶金电沉积工序。铅合金的耐腐蚀性能不仅影响生产成本,还会影响阴极产品质量,因此耐腐蚀性能是评价铅合金优劣的关键因素。简要综述了铅合金的晶粒尺寸,二次相形貌及分布和轧制对其腐蚀行为的影响。总结了具有理想耐腐蚀性能的铅合金的微观结构的特征,并对铅合金晶界工程和微区腐蚀行为研究提出了展望。
- 李劼钟晓聪蒋良兴吕晓军刘业翔
- 关键词：晶粒尺寸偏聚共晶组织枝晶
- Pb-Ag-Nd合金在H_2SO_4溶液脉冲电流极化过程中的电化学行为（英文）被引量：1
- 2015年
- 采用计时电位、SEM、XRD、EIS和Tafel等方法对比研究Pb-Ag-Nd合金在160 g/L H2SO4溶液中的脉冲电流极化和恒电流极化过程中的氧化膜和析氧行为。研究结果表明:脉冲电流极化的Pb-Ag-Nd合金表面的氧化膜孔洞更少,膜层更致密。这是由于在脉冲电流极化过程中的低电流阶段析氧反应更缓和,有利于多孔氧化膜的修复,因此低电流阶段可作为氧化膜的"修复期"。Pb-Ag-Nd阳极在脉冲电流极化过程中表现出更低的阳极电位,这与脉冲电流极化过程中阳极更小的传荷阻抗和高过电位区间更小的Tafel斜率相对应。更低的阳极电位可能与其氧化膜中更高的PbO2含量有关,因为PbO2可以促进析氧反应活性位点的生成。
- 钟晓聪于枭影蒋良兴李飞李劼刘业翔
- 一种稀土铝合金泡沫及其制备方法
- 本发明公开了一种稀土铝合金泡沫及其制备方法，涉及合金技术领域。采用真空渗流铸造法，包括步骤：将填料粒子填充到充型模中，预热；将铝锭在惰性气体氛围中加热至熔融，按比例向熔液中加入镁、钙、稀土，混匀后真空吸入至步骤一所得充型...
- 刘芳洋艾燕蒋良兴贾明
- 文献传递
- 一种基于铜锌锡硫太阳电池的光伏储能一体化电源
- 本发明公开了一种光伏储能一体化电源，包括光电转换器件、可充电储能系统，二者使用探针和导线直接连接；光电转换器件包括多片铜锌锡硫(硒)薄膜太阳电池和玻璃板；铜锌锡硫(硒)薄膜太阳电池为依次复合的钼电极、光吸收层、缓冲层、窗...
- 刘芳洋李计深费文斌陈望献景圣皓张宗良蒋良兴贾明
- MoS<Sub>2</Sub>/硫化物固态电解质复合正极及电池的制备方法
- 本发明涉及一种MoS<Sub>2</Sub>/硫化物固态电解质复合正极材料及电池的制备方法。利于MoO<Sub>3</Sub>粉和硫化物固态电解质充分混合后在含硫气氛下烧结得到复合正极材料，该制备方法简单，原料丰富，在硫...
- 刘芳洋景圣皓胡雅琪蒋良兴贾明张宗良
- 文献传递
- 全固态锂电池、石榴石固态电解质及其制备方法
- 本发明公开一种全固态锂电池、石榴石固态电解质及其制备方法，其中，该石榴石固态电解质包括基体，所述基体为石榴石型快离子导体Li<Sub>a</Sub>M<Sub>b</Sub>La<Sub>c</Sub>Zr<Sub>d<...
- 刘芳洋赖延清孙振吕娜蒋良兴贾明李劼刘业翔
- 文献传递
- 一种硫化铋半导体薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种硫化铋半导体薄膜的制备方法，该制备方法是将基底依次置于铋盐乙二醇甲醚溶液中浸泡和含硫化合物有机溶液中浸泡后，在保护气氛中进行热处理，即在基体表面生成硫化铋半导体薄膜，该方法操作简单、成本低、重现性好、易于...
- 蒋良兴汪颖陈建宇刘芳洋孙凯乐赖延清
