您的位置： 专家智库 > >

蔡茂世

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇非极性
  • 1篇ALGAN
  • 1篇GAN
  • 1篇HRXRD
  • 1篇MOCVD
  • 1篇MOCVD生...
  • 1篇表面形貌

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇蔡茂世
  • 1篇张进成
  • 1篇许晟瑞
  • 1篇毛维
  • 1篇杨林安
  • 1篇周小伟
  • 1篇曹艳荣
  • 1篇史林玉
  • 1篇杨翠
  • 1篇欧新秀
  • 1篇郝跃

传媒

  • 1篇中国科学：技...

年份

  • 2篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
Mg掺杂AlGaN的MOCVD生长以及表征
本文应用MOCVD生长方法进行了Mg掺杂AlGaN材料的生长，并对生长之后的样品进行结晶质量、表面形貌、电学性能、杂质原子浓度分布等方面的表征与分析。　　 1、对于均匀Mg掺杂的AlGaN材料的分析，得到以下研究结果：...
蔡茂世
关键词：热退火MOCVD表面形貌
在r面蓝宝石上生长的a面掺硅GaN的光学和电学性质研究被引量：1
2011年
在r面蓝宝石(Al2O3)衬底上生长了非极性掺硅的a面GaN薄膜,用光致发光(PL)谱,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM),和霍尔测量研究了材料的光学和电学性质.结果表明,Si的掺入会使材料的结晶质量和形貌出现微小的退化.黄带也随着SiH4流量的增加而提高.但是随着硅的掺入,材料迁移率极大提高,这种现象主要是由于镓空位(VGa)被填补引起的.
许晟瑞周小伟郝跃杨林安张进成毛维杨翠蔡茂世欧新秀史林玉曹艳荣
关键词：非极性GANHRXRD光致发光
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0