薛舫时
- 作品数：123 被引量：112H指数：7
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程经济管理更多>>
- GaN HFET中的实时能带和电流崩塌被引量：4
- 2019年
- 从场效应管能带和能带峰耗尽的新概念出发,提出了研究GaN HFET射频工作中实时能带的新课题。运用自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算软件详细计算了不同栅压和漏压下的实时稳态能带,由此求出各种实时能带下的局域电子气密度和局域电子气势垒。考虑从应力偏置转换到测试偏置时异质结充放电引起的非稳态能带变化,用电子状态转换及其在异质结充放电中的输运行为成功解释了各类DLTS和电流崩塌实验中的动态行为。建立起新的电流崩塌能带模型。详细比较了陷阱模型和能带模型对电流崩塌和器件射频工作的不同描述。从电流崩塌同异质结构关联研究中提出新的器件优化设计方案。
- 薛舫时杨乃彬郁鑫鑫
- 关键词：电流崩塌
- AlGaN/GaN势垒层异质结构与二维电子气密度的相互作用
- 2015年
- 在忽略二维电子气波函数对势垒层渗透的前提下提出了直接求解无电子势垒层泊松方程来计算势垒层能带的新思路,提出了把势垒层以外的极化电荷、杂质电荷及电子电荷作为势垒层边界上的界面电荷来解势垒层泊松方程的新方法。由此计算出的势垒层能带和自洽能带计算结果相吻合。用电子气密度多项式来拟合沟道阱子带能级随电子气密度变化的曲线,推算出新的二维电子气密度的超越方程。对于各种不同异质结构,从超越方程解出的电子气密度和势垒层能带同自洽能带计算结果相吻合,从而创立了一种自洽求解沟道阱泊松方程和薛定谔方程的新方法。研究了二维电子气密度与势垒层异质结构的相互作用,讨论了电子气密度随异质结构的变化,提出了异质结能带剪裁的新思路。
- 薛舫时
- GaN HFET中的耦合沟道阱
- 2010年
- 从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了GaN异质结构中的耦合沟道阱,求出了耦合沟道阱中电子状态随异质结构的变化,发现通过适当的能带剪裁可以使基态子带和激发态子带分别落在主阱和副阱中,从而显著降低了子带间的散射。使用这种新颖的耦合沟道阱完成了低噪声HFET的优化设计。
- 薛舫时
- 关键词：优化设计
- AlGaN/GaN HFET中的陷阱位置和激活能
- 2007年
- 自洽求解薛定谔方程和泊松方程求出了异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数.研究了表面陷阱位置及其激活能.发现表面高密度缺陷减薄了势垒层,显著增强了热电子隧穿过程.从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型出发,解释了HFET的瞬态电流和产生.复合噪声.最后讨论了改进材料生长和器件工艺来抑制陷阱效应,改善器件性能的途径.
- 薛舫时
- GaN HFET偏置转换中的亚稳态能带被引量：2
- 2020年
- 从场效应管瞬态电流谱中慢峰展示的异质结慢充电过程出发,提出了研究GaN HFET偏置转换中出现的亚稳态新概念。利用亚稳态随时间的缓变特征,建立了自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程的能带计算方案。选用能带峰和填充能级来描绘亚稳态,编制成计算不同应力偏置和测试偏置下亚稳态能带的计算软件。运用新编软件计算了不同能带峰和填充能级下的亚稳态能带。详细描述了偏置转换中产生的能带谷充电过程及外沟道堵塞,由此建立起应力偏置与测试偏置下动态电流间的关联。从场效应管射频工作中栅、漏电压的变化条件出发提出新的电流崩塌动态模型。运用应力偏置和测试偏置下的定态能带和亚稳态能带解释了瞬态电流谱随应力偏置和测试偏置的变化行为。最后讨论亚稳态能带在GaN HFET研究中的重要意义。
- 薛舫时杨乃彬陈堂胜
- 关键词：电流崩塌
- 耦合量子阱和超晶格中的Stark效应及电场感生的局域化被引量：2
- 1990年
- 本文使用单带双谷模型和隧道谐振方法计算了电场作用下耦合量子阱和超晶格中的电子态.计算中考虑了能谷的非抛物线性和Г,Х两个能谷的贡献.算得的耦合量子阱能级同实验结果之间吻合良好,并且得出在某些电场下两个阱中的不同能级之间可能产生耦合.对超晶格的计算同样得到了同实验吻合的电场作用下的局域化及电子的带间跃迁能量.在GaAs/AlAs超晶格中还算得了适当电场下的有趣的Г-Х混和现象.
- 薛舫时
- 关键词：半导体超晶格STARK效应
- 一种制造InxAl1-xN复合势垒GaN增强型场效应管的方法
- 本发明是一种制造In<I>x</I>Al1-<I>x</I>N复合势垒GaN增强型场效应管的方法，其工艺步骤包括在衬底上依次生长成核层、Al<I>x</I>Ga1-<I>x</I>N缓冲层、GaN沟道层、Al<I>x</...
- 孔月婵薛舫时周建军董逊陈辰
- GaAs/AlGaAs量子阱隧道电流的压力效应
- 1990年
- 本文使用单带双谷模型计算了通过AlGaAs势垒的隧道电流的压力系数.计算中考虑了能谷的非抛物线性,Г,X两个能谷的贡献以及电场的作用,说明了电流压力系数随电场增强而下降以及大压强下隧道电流对数偏离线性的实验现象.在此基础上进一步研究了加压GaAs/AlAs量子阱隧道电流中的Г-X混和效应.
- 薛舫时
- 关键词：ALGAAS压力效应
- 半导体异质结构中的谷间电子转移效应被引量：9
- 1990年
- 本文使用单带双谷理论研究了GaAs/AlGaAs异质结构中的谷间电子转移效应。计入每一异质结界面上的能带交错,谷间耦合和电场的贡献,导出了计算异质结构隧穿概率和隧道电流的公式。以GaAs/AlGaAs异质结构为例,算出不同结构、不同合金组分比及不同电压下的隧穿概率和隧道电流。讨论了异质结界面、势阱和势垒材料的能带结构以及外加电压对谷间电子转移效应的影响。算得的隧道电流同实验结果相符合,证实了这一理论在研究多能谷系统中的适用性。在此基础上进一步分析了这一谷间电子转移效应与熟知的Gunn效应间的区别,并讨论了它在半导体器件设计中的应用。
- 薛舫时
- 关键词：半导体
- 锗硅超晶格和多孔硅中的分波发光
- 1995年
- 锗硅超晶格和多孔硅的大量实验分析表明，其发光性能既不能用间接带隙来解释，也不同于直接光跃迁。本文通过波函数的谐波分析和表面化学键诱生的能带混合研究得出这两种材料中都可能产生出直接带隙分波，从而得到直接光跃迁。运用这种分波发光模型，解释了锗硅超晶格和多孔硅的大量实验结果。最后比较了这两种材料能带工程中的物理效应和化学效应，提出了综合此两效应优化设计新发光材料的新方法。
- 薛舫时
- 关键词：多孔硅量子限制效应
