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谭为

作品数:8 被引量:8H指数:2
供职机构:中国工程物理研究院更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市科学技术委员会基础研究重点项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 5篇二极管
  • 4篇隧穿
  • 4篇共振隧穿
  • 4篇共振隧穿二极...
  • 3篇太赫兹
  • 3篇赫兹
  • 2篇RTD
  • 2篇ALGAN/...
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇异质结
  • 1篇振荡器
  • 1篇势垒
  • 1篇输运
  • 1篇探测器
  • 1篇能态
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋流
  • 1篇自旋输运
  • 1篇拓扑

机构

  • 7篇中国工程物理...
  • 5篇中国工程物理...
  • 2篇同济大学
  • 1篇四川大学

作者

  • 8篇谭为
  • 5篇谭为
  • 3篇苏娟
  • 2篇陈鸿
  • 2篇石向阳
  • 1篇张健
  • 1篇李倩
  • 1篇李倩
  • 1篇高博
  • 1篇唐海林
  • 1篇曾建平
  • 1篇李志强
  • 1篇安宁
  • 1篇冯正
  • 1篇唐海林
  • 1篇孙勇

传媒

  • 3篇太赫兹科学与...
  • 2篇物理
  • 1篇移动通信
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2012
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
子阱及非对称势垒对GaN RTD电学特性的影响
2017年
利用Silvaco软件对Al_(0.2)Ga_(0.8)N/GaN共振隧穿二极管(RTD)进行仿真,重点研究了InGaN子量子阱结构及相应非对称势垒结构设计对其电流特性的影响。对比分析了子量子阱结构中InGaN的In组分和子阱厚度对RTD微分负阻(NDR)特性的影响,得出了提升器件性能的最佳参数范围。为了克服Al_(0.2)Ga_(0.8)N/GaN RTD势垒低对器件电流峰谷比(PVCR)的影响,在子量子阱结构的基础上引入了非对称势垒结构设计,通过改变收集区侧势垒的高度和厚度,将AlGaN/GaN的I_p和PVCR由基本结构的0.42 A和1.25,提高到了0.583 A和5.01,实现了器件性能的优化,并为今后的器件研制提供了设计思路。
苏娟谭为高博
关键词:共振隧穿二极管ALGAN/GAN异质结
光子人工微结构材料中的若干类量子现象
2012年
类量子现象又称为量子现象的经典对应(quantum-classical analogies),它是利用经典波动行为与量子波动行为的相似性来模拟和研究量子现象.近年来,光子人工微结构材料中类量子现象研究很活跃,文章对这方面的有关研究进展做了简要介绍.内容主要包括光子晶体和超构材料(metamaterials)中的类凝聚态系统量子现象和类原子系统量子现象,如类石墨烯量子现象、类拓扑绝缘体量子现象、类量子动力学现象、类Rabi振荡现象、类电磁感应透明现象、类Fano共振现象等.
孙勇谭为陈鸿
关键词:光子晶体
超构材料中的光学拓扑态被引量:1
2017年
拓扑态是当前凝聚态物理中的研究热点,是一种由于整体拓扑效应所导致的全新电子态。近年来,大量理论和实验工作表明,由于拓扑态本质上是一种单粒子波动行为,因此可以在光学体系中找到类比,于是开启了光学拓扑态这一新兴研究方向。光子晶体、光学耦合腔阵列等体系成为重要的拓扑态模拟平台。文章主要以一维Dirac方程体系和二维p波超导体系为例,介绍超构材料(Metamaterials)中的光学拓扑态特性,包括能带翻转、边界态、畴壁、涡旋零能态等典型拓扑行为。
谭为陈鸿
AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管的仿真与制作
2018年
基于GaN横向肖特基势垒二极管(SBD)的频率特性和应用的需要,设计了一种基于AlGaN/GaN异质结的横向SBD。利用Silvaco Atlas软件研究了AlGaN势垒层的厚度和Al摩尔组分对异质结Al_xGaN_(1-x)/GaN SBD电学性能的影响。仿真结果表明,SBD器件截止频率随Al摩尔组分的增加先增大再减小,当Al_xGaN_(1-x)层中Al摩尔组分为0.2~0.25,其厚度为20~30 nm时,AlGaN/GaN SBD器件的频率特性最好。在仿真的基础上,设计制作出了肖特基接触直径为2μm的非凹槽和凹槽型AlGaN/GaN横向空气桥SBD。通过直流I-V测试和射频S参数测试,提取了两种SBD器件的理想因子、串联电阻、结电容、截止频率和品质因子等关键参数,该平面SBD可应用于片上集成和混合集成的太赫兹电路的设计与制造。
李倩李倩安宁曾建平唐海林唐海林李志强
关键词:ALGAN/GAN空气桥太赫兹
太赫兹共振隧穿二极管探测器研究进展及应用被引量:1
2022年
太赫兹波独特的性质使其在物理学、生物学、医疗诊断、无损检测、无线通信等领域有着广阔的应用前景。共振隧穿二极管(RTD)是一种基于量子隧穿效应的半导体器件,利用其负微分电阻和直流非线性特性,可以分别实现太赫兹波的产生和探测,近年来获得越来越多的关注。基于RTD的太赫兹探测器具有可室温工作、体积小、易集成、灵敏度高等特点,使其在未来短距离、超高速的太赫兹无线通信及万物互联等场景具备优势。本文将重点介绍太赫兹RTD探测器的研究进展及其应用进展,并对后续技术发展进行展望。
王东双苏娟谭为
关键词:共振隧穿二极管相干探测
InP基RTD太赫兹振荡源及其应用研究进展被引量:2
2018年
紧凑和相干的太赫兹源是太赫兹应用的关键组成,共振隧穿二极管(RTD)是目前振荡频率最高的电子学器件,RTD太赫兹振荡源具有结构紧凑、功耗低、室温工作、有一定输出功率、易集成、覆盖频率较宽等优点。In P基RTD太赫兹振荡源在600 GHz左右的频段内输出功率可达百微瓦量级,可见报道的最高振荡频率为1.92 THz,输出功率0.4μW。RTD振荡源的输出功率可以通过偏置电压进行直接调制,使得其在高容量短距离的太赫兹通信系统中具有很大的优势。目前,In P基RTD太赫兹振荡源成为太赫兹源领域的研究热点。
石向阳苏娟谭为谭为
关键词:共振隧穿二极管振荡器
基于共振隧穿二极管的近程太赫兹通信技术被引量:1
2023年
太赫兹通信技术是实现6G愿景的关键底层技术之一,针对应用场景选择不同技术路线定制收发系统将是其发展趋势。RTD太赫兹收发模块具有室温、高频率、高灵敏度、易集成等特点,成为太赫兹通信技术领域的新星。通过介绍RTD太赫兹源、探测器及通信系统的工作原理和现状,分析了目前面临的效率及灵敏度提升挑战,并从器件和电路层面探讨和展望了可能解决方案和技术方向,为推动RTD太赫兹通信实用化提出思考。
苏娟苏娟
关键词:共振隧穿二极管
自旋太赫兹源:性能、调控及其应用被引量:4
2020年
自旋太赫兹源基于铁磁/非磁纳米薄膜异质结构中的超快自旋流-电荷流转换产生太赫兹脉冲,具有超宽频谱、固态稳定、偏振可调、超薄结构、成本低廉等独特优点,近年来引起很大的关注.本文首先简要介绍太赫兹波、太赫兹自旋电子学及自旋太赫兹源;其次从自旋太赫兹源的性能提升、调控及其应用3方面对其研究进展进行详细的综述,分别为:1)基于自旋太赫兹源产生太赫兹的3个过程--超快自旋输运、光学激发、太赫兹出射的性能提升方法, 2)自旋太赫兹源偏振和频谱的主动调控, 3)自旋太赫兹源在太赫兹超宽谱测试、磁结构检测及成像、太赫兹超分辨近场成像等方面的应用;最后总结全文,指出自旋太赫兹源目前存在的问题,并展望其发展方向.
冯正王大承孙松谭为
关键词:太赫兹自旋流
共1页<1>
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