贡顶
- 作品数：18 被引量：27H指数：4
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学更多>>
- 器件效应数值模拟中漂移扩散模型的误差分析
- 为了确定数值模拟过程中的误差来源,并针对误差来源改进软件,减小计算误差,对半导体器件数值模拟中的采用的漂移扩散模型进行了研究。结合自主开发的半导体器件效应软件GSRES,分析了软件中漂移扩散模型的理论近似,对计算模型中由...
- 李勇贡顶宣春夏洪富谢海燕王建国
- 关键词：漂移扩散模型半导体数值模拟误差分析
- 半导体器件／电路混合模拟及其在HPM效应中的应用被引量：6
- 2009年
- 建立了自行研制的通用二维半导体器件数值模拟软件GSRES与电子电路仿真软件SPICE的接口;实现了半导体器件/电路混合模拟功能,从而将电子系统的高功率微波效应模拟容纳到电路模拟的框架下;给出对CMOS反相器及典型数字电路的混合模拟算例。计算结果验证了该方法的可行性及有效性.
- 宣春贡顶谢海燕王建国
- 关键词：半导体器件电子系统高功率微波混合模拟
- 合肥光源储存环束流截面测量系统改造和软件升级被引量：1
- 2003年
- 存储环束流截面及发射度是同步辐射加速器重要的基本参数。从束流截面大小的变化和束斑位置的移动规律,可以进行环上的束流不稳定性的研究。介绍了合肥光源,储存环束流截面测量系统局部改造和它的软件升级并且着重介绍西欧核子中心(CERN)的软件框架ROOT在数据处理和显示方面的应用。
- 王筠华贡顶孙葆根刘建宏卢平杨永良郑凯
- 关键词：发射度束流不稳定性
- 典型半导体器件γ剂量率辐射效应数值模拟
- 深亚微米半导体器件辐射效应研究的需要,将粒子输运的蒙特卡罗方法与半导体器件数值模拟的有限体积法相结合,实现了从粒子输运到器件剂量率响应的一体化模拟.利用该方法对不同结构的反向偏置二极管在矩形γ射线脉冲辐照下的瞬态响应过程...
- 韦源贡顶牛胜利黄流兴
- 关键词：蒙卡方法有限体积法半导体器件剂量率
- 基于流体力学方程的2D GaAs MESFET数值模拟
- 本文采用流体动力学模型对半导体器件进行了二维数值模拟.该模型适用于描述高频强电场条件下运行的亚微米半导体器件.本文首先给出了半导体模型方程,然后介绍时间推进步骤和有限体积方法,再讨论了器件的边界条件.最后对具有亚微米级的...
- 贡顶王刚王建国
- 关键词：流体动力学模型肖特基接触半导体器件有限体积方法热电子
- 文献传递网络资源链接
- 通用二维半导体器件模拟软件的设计被引量：8
- 2007年
- 介绍自行研制的通用二维半导体器件模拟软件GSS,该软件的求解器同时实现了漂移扩散模型和流体动力学模型,可对多种材料、不同结构的器件进行稳态和瞬态计算.作为算例,应用该软件对NPN三极管和MESFET管进行了数值模拟,给出了IV曲线、电子密度分布和温度变化等.
- 贡顶王建国张殿辉张相华韩峰童长江张茂钰
- 关键词：TCAD漂移扩散模型
- 典型半导体器件γ剂量率辐射效应数值模拟
- 根据深亚微米半导体器件辐射效应研究的需要,将粒子输运的蒙特卡罗方法与半导体器件数值模拟的有限体积法相结合,实现了从粒子输运到器件剂量率响应的一体化模拟。利用该方法对不同结构的反向偏置二极管在矩形γ射线脉冲辐照下的瞬态响应...
- 韦源贡顶牛胜利黄流兴
- 关键词：蒙卡方法有限体积法半导体器件剂量率
- 文献传递
- 蒙卡方法与有限体积法相结合模拟半导体器件的γ剂量率辐射响应
- 本文采用蒙卡方法与器件模拟的有限体积法相结合的方法，在自主开发的二维半导体器件模拟程序GSS的基础上，加入粒子输运模块和辐射效应模拟模块，使之具备模拟半导体器件γ剂量率辐射效应的能力，实现了从粒子输运到器件辐射效应的一体...
- 韦源贡顶牛胜利黄流兴
- 关键词：半导体器件Γ剂量率数值模拟蒙特卡罗方法
- 文献传递
- 金属氧化物半导体场效应管长期辐射效应的数值模拟被引量：7
- 2013年
- 将粒子输运的蒙特卡罗方法与器件数值模拟的有限体积法相耦合来模拟典型金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的长期辐射效应。二氧化硅中的陷阱电荷及硅中的自由电子和空穴均使用漂移扩散模型来描述,入射粒子的能量沉积可作为源项耦合至漂移扩散模型方程,并根据有限体积法得到控制方程的离散格式,方程的数值解即为MOSFET的长期辐射响应结果。使用该方法模拟了MOSFET受射线粒子辐照后的阈值电压漂移与关态漏电流现象。结果表明,耦合方法适用于典型半导体器件长期辐射效应模拟,其阈值电压漂移及漏电流计算结果与文献符合较好。
- 韦源谢红刚贡顶朱金辉牛胜利黄流兴
- 关键词：总剂量效应漏电流
- MOS管长期辐射效应的数值模拟
- 本文将粒子输运的蒙特卡罗方法与器件数值模拟的有限体积法相耦合来模拟典型MOS管的长期辐射效应。使用漂移扩散模型来描述二氧化硅中的陷阱电荷及硅中的自由电子和空穴。入射粒子的能量沉积作为源项耦合至漂移扩散模型方程，并根据有限...
- 韦源谢红刚贡顶朱金辉牛胜利黄流兴
- 关键词：蒙特卡罗法有限体积法
- 文献传递
